首页 > 器件类别 > 分立半导体

MUR1020FCT

Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes 超快恢复整流二极管

器件类别:分立半导体   

厂商名称:扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网:http://www.21yangjie.com/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.95 V
最大非重复峰值正向电流
55 A
最高工作温度
175 °C
最大输出电流
10 A
最大重复峰值反向电压
200 V
最大反向恢复时间
0.035 µs
表面贴装
NO
Base Number Matches
1
文档预览
MUR1010FCT THRU MUR1060FCT
超快恢复整流二极管
Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes
■特征
Features
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
I
o
10.0A
V
RRM
100V~600V
玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
ITO-220AB
.406(10.3)
MAX
.112(2.85)
.100(2.55)
.134(3.4)
.113(3.0)
耐正向浪涌电流½力高
High surge forward current capability
DIA
.124(3.16)
MAX
.185(4.7)
MAX
.606(15.5)
.583(14.8)
.161(4.1)
MAX
PIN1 2
3
■用途
Applications
.110(2.8)
.098(2.5)
快速整流用
High speed switching
.55(1.4)
MAX
.035(0.9)
MAX
.100(2.55)
.087(2.20)
.543(13.8)
.512(13.2)
.100(2.55)
.087(2.20)
.030(0.76)
MAX
PIN1
PIN2
PIN3
CASE
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values(Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward Current
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续
时间的积分值
Current Squared Time
贮存温度
Storage Temperature
结温
Junction Temperature
Dimensions in inches and (millimeters)
符号 单½
Symbol Unit
V
RRM
I
o
I
FSM
I
2
t
V
A
A
A
2
s
条件
Conditions
MUR-FCT
1010
100
1015
150
1020
200
10
55
1040
400
1060
600
60H
Z
正弦波,电阻负½½,T
a
=25℃
60H
Z
sine wave, R- load, T
a
=25℃
60H
Z
正弦波,一个周期,T
a
=25℃
60H
Z
sine wave, 1 cycle, T
a
=25℃
1ms≤t<8.3ms T
j
=25℃,单个二
极管
1ms
t
<8.3ms
T
j
=25℃,Rating of
per diode
12
T
stg
T
j
-55 ~ +150
-55 ~ +175
■电特性
(T
a
=25℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
热阻
Thermal Resistance
符号
Symbol
V
FM
I
RRM1
I
RRM2
Trr
R
θ
J-C
单½
Unit
V
μA
测试条件
Test Condition
I FM =5.0A
Ta=25℃
 
Ta=125℃
I
F
=0.5A I
RM
=1A
I
RR
=0.25A
MUR-FCT
1010
1015
0.95
10
500
35
50
1020 1040 1060
1.25
1.7
V
RM
=V
RRM
 
ns
℃/W
结和壳之间 
Between junction and case
2.0
Document Number 0164
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
MUR1010FCT THRU MUR1060FCT
■特性曲线(典型)
Characteristics(Typical)
1
:正向电流降额曲线
FIG1: IF
AV
--Tc Derating
Io(A)
图2:耐正向浪涌电流曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
IFSM(A)
120
100
80
8.3
毫秒正弦半波
8.3ms Single Half Since-Wave
JEDEC Method
20.0
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
TC measure point
IN DC
60
40
20
2.0
0
0
50
100
150
200
Ta(
)
0
1
2
10
20
周波数
100
Number of Cycles
图3:正向电压曲线
FIG3:Instantaneous Forward Voltage
IF(A)
40
20
MUR1010FCT-MUR1020FCT
10
MUR1040FCT
5.0
MUR1060FCT
I
RRM
(uA)
60
100
图4:反向电流曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
Tj=125
10
1.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Tj=25
0.1
Ta=25
1.6
1.8
2.0
VF(V)
0.01
0
20
40
60
80
100
V
RRM
(%)
5:
反向恢复时间试验电路及测试波½示意图
FIG.5: Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time
I
D
IF
t
rr
V
R
I
F
R
L
0
I
RR
t
I
R
Document Number 0164
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
查看更多>