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NS4225

输出功率:23W x 2 @ 8Ω

器件类别:模拟混合信号IC    音频功率放大器   

厂商名称:纳芯威(Nsiway)

厂商官网:http://www.nsiway.com.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
输出功率
23W x 2 @ 8Ω
额外特性
差分输入,过流和热保护,欠压保护
文档预览
深圳市纳芯威科技有限公司
SHENZHENNSIWAYTECHNOLOGY CO.,LTD
NS4225 Nov. 2018 V1.0
NS4225 23W
双声道
D
类音频功率放大器附加
PBTL/BTL
功½
1
特性
输出功率:
10W×2(8Ω
负½½/
VCC=12V/ THD+N=10%/ BTL
模式)
23W×2(8Ω
负½½/
VCC=18V/ THD+N=10%/ BTL
模式)
17W×2(4Ω
负½½/
VCC=12V/ THD+N=10%/ BTL
模式)
20W(4Ω
负½½/
VCC=12V/ THD+N=10%/ PBTL
模式)
46W(4Ω
负½½/
VCC=18V/ THD+N=10%/ PBTL
模式)
推荐工½电压:6V½18V
PBTL
输出功½
无需滤波器设计
差分输入方式
效率高达
94%( 8Ω
负½½/VCC=12V/Po=8W×2)
优异的“上电,掉电”噪声抑制
过流保护、过热保护、欠压保护
TSSOP-24
封装
3
说明
NS4225
是一款无需滤波器,每声道可输出
25W
D
类立½声音频功率放大器。NS4225 采用
先进的技术,
在全带½范围内极大地降½了
EMI
扰,最大限度地减少对其他部件的½响。其输出无
需滤波器的
PWM
调制结构减少了外部元件、PCB
面积和系统成本。NS4225 工½在
PBTL
模式时,即
为一单声道音频功放。此时,输出驱动½力更强,
功放效率更高。
NS4225
内½过流保护、过热保护及欠压保护功
½,有效地保护芯片在异常工½状况下不被损坏。
NS4225
提供
TSSOP-24
封装,额定的工½温度
范围为-40℃至
85℃。
2
应用范围
蓝牙音响
移动音箱扩音器
其他消费类音频设备
4
典型应用电路
1
2017Copyright © Nsiway Technology
深圳市纳芯威科技有限公司
SHENZHENNSIWAYTECHNOLOGY CO.,LTD
NS4225 Nov. 2018 V1.0
5
管脚配½
编号
1,24
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12,13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
2
管脚名称
PVCCL
NC
/SD
LINP
LINN
AGND
AVDD
RINN
RINP
PBTL
NC
PVCCR
BSTPR
OUTPR
PGND
OUTNR
BSTNR
BSTNL
OUTNL
PGND
OUTPL
BSTPL
管脚描述
左声道功率电源输入
空脚
关断控制端(高电平开启,½电平关断)
放大器左声道正输入端
放大器左声道负输入端
模拟地
内部
LDO
外接去耦电容
放大器右声道负输入端
放大器右声道正输入端
并联
BTL(PBTL)模式控制端
空脚
右声道功率电源输入
右声道正半桥自举端
放大器右通道正输出端
功率地
放大器右通道负输出端
右声道负半桥自举端
左声道负半桥自举端
放大器左通道负输出端
功率地
放大器左通道正输出端
左声道正半桥自举端
2018Copyright © Nsiway Technology
深圳市纳芯威科技有限公司
SHENZHENNSIWAYTECHNOLOGY CO.,LTD
NS4225 Nov. 2018 V1.0
6
极限工½参数
6V ~ 20V
电源电压范围
0V ~ 5V
/SD/PBTL/BTL/LINP/LINN/RINP/RINL
管脚电压
2000V
ESD
电压
-40℃ ~ +85℃
工½温度范围
-65℃ ~ +150℃
存储温度范围
+150℃
最大结温
+260℃
焊接温度(10s 内)
33/30
o
C/W
θ
JC
JA
注:超过上述极限工½参数范围可½导致芯片永久性的损坏。长时间暴露在上述任½极限条件下可½会½
响芯片的可靠性和寿½。
7
结构框图
3
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NS4225 Nov. 2018 V1.0
8
电气特性
工½条件(除非特别说明)
:T=25℃,VDD=12V,RL=8Ω。
符号
V
DD
I
DD
I
SD
V
OS
PSRR
CMRR
f
SW
η
V
IH
V
IL
参数
推荐工½电压
电源静态电流
关断漏电流
输出失调电压
电源抑制比
共模抑制比
调制频率
效率
逻辑控制端
逻辑控制端
Po=8W×2,RL =8Ω
Logic High
Logic Low
THD=1%,f=1KHz,
R
L
=4Ω,PBTL
R
L
=4Ω,BTL
R
L
=8Ω,BTL
THD=10%,f=1KHz
R
L
=4Ω,PBTL
R
L
=4Ω,BTL
R
L
=8Ω,BTL
THD=1%,f=1KHz
R
L
=4Ω,PBTL
R
L
=8Ω,BTL
THD=10%,f=1KHz
R
L
=4Ω,PBTL
R
L
=8Ω,BTL
Gain=20dB,f=1kHz
R
L
=8Ω,P
O
=4W
Gain=20dB,f=1kHz
R
L
=8Ω,P
O
=8W
20Hz-20kHz,Gain=20dB
Gain=20dB,f=1kHz
R
L
=8Ω,P
O
=8W
16
14
8
20
17
10
36
18
46
23
0.06
90
270
-90
150
20
2.8
0.4
V
V
IN
=0V,No
load
V
/SD
=0V
V
IN
=0V,Gain=20dB
217Hz
20KHz
测试条件
最小值
6
35
1
20
-65
-60
-70
280
94
标准值
最大值
18
单½
V
mA
µA
mV
dB
dB
dB
kHz
%
W
VCC=12V
P
O
输出功率
W
W
VCC=18V
W
%
dB
uV
dB
THD+N
SNR
Vn
CS
OTP
OTH
总失真度+噪声
信噪比
输出噪声
L/R
分离度
热保护温度
滞回温度
注意:芯片在较高电压工½时,应保证良½的散热环境以避免过温保护。
4
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典型特性曲线
下列特性曲线中,除非指定条件,T=25℃。
5
2018Copyright © Nsiway Technology
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