P4KE82CA,P4KE82CA pdf中文资料,P4KE82CA引脚图,P4KE82CA电路-Datasheet-电子工程世界

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P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Typical I

less than 1µA above 10V

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

R ating

Peak Power D i ssi pati on at T

=25

Symbol

P K

F S M

S T G

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

-65 to +175

Uni ts

Watts

C , Tp=1ms (Note 1)

Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)

Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on

Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)

Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range

C/W

Amps

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

STAD-SEP.02.2008

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P4KE SERIES

@ I

Min.

UNI

M a x.

UNI -

@ V

RWM

BI-

UNI

Part Number

RWM

@ I

Marking Code

400W Transient Voltage Suppressor

P4KE6.8

P4KE6.8A

P4KE7.5

P4KE7.5A

P4KE8.2

P4KE8.2A

P4KE9.1

P4KE9.1A

P 4K E 10

P 4K E 10A

P4KE11

P4KE11A

P 4K E 12

P 4K E 12A

P 4K E 13

P 4K E 13A

P 4K E 15

P 4K E 15A

P 4K E 16

P 4K E 16A

P 4K E 18

P 4K E 18A

P 4K E 20

P 4K E 20A

P 4K E 22

P 4K E 22A

P 4K E 24

P 4K E 24A

P 4K E 27

P 4K E 27A

P 4K E 30

P 4K E 30A

P 4K E 33

P 4K E 33A

P 4K E 36

P 4K E 36A

P 4K E 39

P 4K E 39A

P 4K E 43

P 4K E 43A

P 4K E 47

P 4K E 47A

P 4K E 51

P4KE6.8C

P4KE6.8CA

P4KE7.5C

P4KE7.5CA

P4KE8.2C

P4KE8.2CA

P4KE9.1C

P4KE9.1CA

P 4K E 10C

P 4K E 10C A

P4KE11C

P4KE11CA

P 4K E 12C

P 4K E 12C A

P 4K E 13C

P 4K E 13C A

P 4K E 15C

P 4K E 15C A

P 4K E 16C

P 4K E 16C A

P 4K E 18C

P 4K E 18C A

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P 4K E 20C A

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P 4K E 27C A

P 4K E 30C

P 4K E 30C A

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P 4K E 33C A

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P 4K E 36C A

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P 4K E 39C A

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P 4K E 43C A

P 4K E 47C

P 4K E 47C A

P 4K E 51C

5.5

5.8

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6.4

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12.1

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1000

500

200

2000

1000

400

100

10.8

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6.2

5.7

P4KE6.8

P4KE6.8A

P4KE7.5

P4KE7.5A

P4KE8.2

P4KE8.2A

P4KE9.1

P4KE9.1A

P 4K E 10

P 4K E 10A

P4KE11

P4KE11A

P 4K E 12

P 4K E 12A

P 4K E 13

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P 4K E 15

P 4K E 15A

P 4K E 16

P 4K E 16A

P 4K E 18

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P 4K E 20A

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P 4K E 27A

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P 4K E 36

P 4K E 36A

P 4K E 39

P 4K E 39A

P 4K E 43

P 4K E 43A

P 4K E 47

P 4K E 47A

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P4KE6.8C

P4KE6.8CA

P4KE7.5C

P4KE7.5CA

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P4KE8.2CA

P4KE9.1C

P4KE9.1CA

P 4K E 10C

P 4K E 10C A

P4KE11C

P4KE11CA

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P 4K E 43C

P 4K E 43C A

P 4K E 47C

P 4K E 47C A

P 4K E 51C

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P4KE SERIES

@ I

Min.

UNI

M a x.

UNI -

@ V

RWM

BI-

UNI

Part Number

RWM

@ I

Marking code

400W Transient Voltage Suppressor

P 4K E 51A

P 4K E 56

P 4K E 56A

P 4K E 62

P 4K E 62A

P 4K E 68

P 4K E 68A

P 4K E 75

P 4K E 75A

P 4K E 82

P 4K E 82A

P 4K E 91

P 4K E 91A

P 4K E 100

P 4K E 100A

P4KE110

P4KE110A

P 4K E 120

P 4K E 120A

P 4K E 130

P 4K E 130A

P 4K E 150

P 4K E 150A

P 4K E 160

P 4K E 160A

P 4K E 170

P 4K E 170A

P 4K E 180

P 4K E 180A

P 4K E 200

P 4K E 200A

P 4K E 220

P 4K E 220A

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P 4K E 250A

P 4K E 300

P 4K E 300A

P 4K E 350

P 4K E 350A

P 4K E 400

P 4K E 400A

P 4K E 440

P 4K E 440A

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P 4K E 56C

P 4K E 56C A

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P 4K E 68C A

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P 4K E 100C A

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P4KE110CA

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P 4K E 160C A

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P 4K E 170C A

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P 4K E 180C A

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P 4K E 220C

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P 4K E 300C A

P 4K E 350C

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P 4K E 400C

P 4K E 400C A

P 4K E 440C

P 4K E 440C A

43.6

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420

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600

5.2

5.5

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3.4

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3.1

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2.2

2.3

1.8

1.9

1.7

1.8

1.6

1.7

1.5

1.2

1.1

1.2

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P 4K E 51A

P 4K E 56

P 4K E 56A

P 4K E 62

P 4K E 62A

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P 4K E 68A

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P 4K E 75A

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P 4K E 130

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P 4K E 160A

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P 4K E 170A

P 4K E 180

P 4K E 180A

P 4K E 200

P 4K E 200A

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P 4K E 220A

P 4K E 250

P 4K E 250A

P 4K E 300

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P 4K E 400A

P 4K E 440

P 4K E 440A

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P4KE110CA

P 4K E 120C

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P 4K E 400C A

P 4K E 440C

P 4K E 440C A

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P4KE SERIES

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WinDriver Error 0x2000000b - Kernel PlugIn failure?谁知道怎么回事啊: WinDriverDebugMonitorv10.00.RunningWinDriverv10.00Jungo(c)1997-2008BuildDate:Jan202009X8632bitSYS11:48:08OS:WindowsNT5.1Build0.0.2600ServicePack3Time:DÇÆúèÕ¶tÔÂ516:39:092017WDC_DriverO...; kofwwj 综合技术交流

《Python编程快速上手让繁琐工作自动化第2版》第一部分: Python编程基础: 《Python编程快速上手让繁琐工作自动化第2版》读后感1-第一部分:Python编程基础感谢首先感谢社区组织的读书活动,可以让我有机会接触到《Python编程快速上手让繁琐工作自动化第2版》。因为工作中会使用一些Python语言完成数据处理,文件处理,算法验证等工作，自己在网上也学习了一些Python的知识，接着社区的这次读书活动，让我有机会完整的学习Python语言，可以更好的利用它快速的完成我的任务。最后再次感谢社区和本书的作者以及译者。...; 我爱下载综合技术交流

一个大学生在校制作的绘图仪: 绘图仪图片一个大学生在校制作的绘图仪辛苦了很不错啊做这个的是高手啊这个是自动控制的吧！以前同学做过一个画正弦波的1~...; xu__changhua 综合技术交流

凌特LT3789如果要输出12V10A 直接并联MOS就可以？: 凌特LT3789如果要输出12V10A直接并联MOS就可以？凌特LT3789如果要输出12V10A直接并联MOS就可以？凌特LT3789如果要输出12V10A直接并联MOS就可以？并联是没办法才用的办法，5A到10A只需换颗Ron更小的MOS就行了老蒋定律（2）：MOSFET的选用原则：相同封装，主要看Ron；说明：Ron小的基本上电流都够用，如果按照口口相传的教条，电流要多少多少倍的话，电流大的管子Ron不一定就小。电压不提。补充一个老蒋定律（1）：反激宜先...; QWE4562009 综合技术交流

像打游戏一样画PCB: 以前画PCB就有听说大的PCB可以团队协作，就是好几个人同时设计一块PCB,实际了解之后发现，原来所谓的协同设计其实只是划定了区域然后每个人单独的在自己电脑上做布局布线之后再导入到服务器上的PCB里面，非常不灵活而且不能实时看到其他成员的操作。最近看到一个视频介绍了真正的PCB团队协作，是cadence17.2版本里面提供的功能，几台机器可以连接到同一个服务器上操作同一个PCB，而且是每个客户端的操作都实时的看到其他成员的动作，真实效果就像是玩网游一样，效率很高，期待以后AD也有...; Nubility 综合技术交流

全球IC出货量首次连续两年衰退

市场研究机构ICInsights预测，到2020年，全球IC出货量将首次出现连续两年的下降。在2019年之前，IC出货量下降的前四年分别是1985年、2001年、2009年和2012年。从2013年到2018年，全球IC出货量呈现稳定成长，2013年的成长幅度是8%，2014年又成长9%，2015年与2016年分别成长5%与7%，2017年与2018年成长率更是达到两位数字、分别为...[详细]
英特尔CPU供应短缺恐持续全年，AMD捷足先登？

1月18日，据外媒报道，知名科技媒体DigiTimes日前发布最新报告，称其预计英特尔的CPU供应短缺问题将贯穿2020年全年，为此其许多合作伙伴可能改用AMD的同类产品。这可能并不特别令人感到惊讶。英特尔之前承认自己陷入进退两难的境地，其首席执行官鲍勃·斯旺(BobSwan)对他们目前的处境做出了非常坦率的解释。然而，这确实意味着AMD将从英特尔手中蚕食更多的市场份额，因为原始设备制造...[详细]
“智能的觉醒”：国产手机芯片崛起之路还有多远

芯片作为智能手机“皇冠上的明珠”，一直是智能手机中最难攻克的技术之一，因此手机企业自研芯片这条路也充满艰难险阻。耗资数十亿元，研发过十载，为何华为和小米还要义无反顾地走上这座独木桥？国产手机厂商能否掌握芯片这一核心技术？从“工业的粮食”到“智能的觉醒”，国产手机芯片崛起之路还有多远？　　中国技术快马扬鞭：国产手机芯片崛起之路　　近年来，智能手机芯片市场竞争日趋激烈，德州仪器、博通、Ｍａｒ...[详细]
韩组国家队强攻系统半导体

南韩为了强化系统半导体的竞争力，将结合产、官、学界之力，在未来四至六年内连手投资2,600亿韩元（2.33亿美元），致力开发核心新技术和培育相关专业人才，希望跟上第四次工业革命，奠定国家长期发展的基础。南韩产业通商资源部（MOTIE）30日邀集系统半导体制造商和产学研专家，宣布这个投资计划。政府与民间企业预计在2023年前将投资2,210亿韩元于低耗能、超轻量、超高速半导体的研发计划。这当...[详细]
汽车芯片缺货到底还要持续多久？

从去年开始，各种芯片缺货导致汽车简配甚至生产线停止的新闻就屡见不鲜，奥迪、宝马、奔驰等车厂都推出了专门的专题页面，以向客户解释缺货的现状以及补救应对方案。近日，从俄罗斯传来的新闻显示，俄罗斯官方现在允许当地汽车制造商无视排放标准，可以不再为他们的车辆配备安全气囊、车身电子稳定系统（ESP）、防抱死制动系统（ABS）等重要安全套件甚至安全带预紧器，当然这主要是出于制裁的原因。不过无论如何，缺...[详细]
异质整合芯片前景不可限量台湾半导体产业具先天优势

台湾紧密的半导体产业链，对异质整合的发展至关重要。工研院推动异质整合技术已有十年之久，近年随着光纤通讯的快速发展，该单位自2018年起将正式展开的硅光子IC项目计划，预计于2020年遍地开花，并在数据中心中广泛采用，而台湾以新竹为首十分完整而紧密的半导体产业链，即是达成芯片异质整合的重要关键。工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅表示，异质整合的概念是相当广泛的，除了集成电路(IC)本身的芯片...[详细]
THz量子阱探测器助力中国成功研发新型芯片

高速成像技术是太赫兹(THz)技术应用领域的重要研究方向之一。中国科学家近日成功研制出可无像素成像的THz频率上转换成像芯片，相关研究成果已发表在英国《自然》杂志子刊《科学报告》上。利用THz技术开发高速成像技术在材料分析、高能物理过程分析、生物医学成像、人体安检等方面具有重要的应用价值。然而因低温匹配读出电路的缺乏，使得快速响应光子型焦平面阵列探测器的设计十分困难，进而造成THz...[详细]
南京江北新区将打造中国“芯片之都”

9月21日，由SOI国际产业联盟主办，南京江北新区承办，南京集成电路产业服务中心（ICisC）协办的2017SOI国际产业联盟高峰论坛在南京召开。据了解，该高峰论坛是首次登陆南京，今后江北新区将打造中国“芯片之都”，一年落户百余家集成电路。国际SOI产业联盟（SOIIndustryConsortium）成立于2007年10月，旨在促进SOI技术的发展并且加速SOI市场的成长，涵盖从学术界...[详细]
联发科跃升为非苹最大处理器供货商

DIGITIMESResearch预期2013年第2季全球品牌平板计算机出货约3,402万台，其中iPad虽进入淡季而小幅衰退，但在品牌厂Non-iPad新机种积极备货下，预期全球平板计算机整体出货仍维持6.6%的季成长，并较2012年同期成长70.1%。而在以自制为主的三星电子(SamsungElectronics)及联想出货占比提升下，台厂出货占全球平板计算机比率将跌至7成，出货量预期为...[详细]
新时代战略物资？外媒分析世界各国半导体发展动向

据日本雅虎新闻网站报道，自俄乌冲突开始以来，各国都有一个明显的举动，即加强本国半导体供应链的安全，因为他们认为半导体目前是一种战略物资，而且欧盟限制从俄罗斯进口原油和液化气，这已经对全球经济产生了重大影响。　　报道称，虽然俄罗斯不是半导体生产国，但它却是钯等稀有金属的出口国，而钯对于尖端半导体和电动车中的蓄电池是必不可少的金属，各国担心这些产品的采购受到影响。过去半年里，发达国家在这...[详细]
AI应用发酵、挖矿商机加持，丽台专业显卡营收可创新高

中国大陆企业用户需求出笼，丽台专业显卡业绩放量，4月营收突破3亿元新台币（下同），以3.02亿元较上月跳增26.3%，年增率更高达63.5%，创下9年以来新高纪录，表现超乎预期，累计前4月合并营收达9.76亿元，较去年同期成长16.7%。丽台指出，4月业绩创高，主因上海分公司的专业显卡包括Quadro与Tesla接获企业用户专案大单所致，推测是受到A...[详细]
阿里巴巴全资收购先声互联，料布局语音专用芯片

阿里巴巴于今(3)日宣布全资收购北京先声互联科技公司(以下简称“先声互联”)，但未透露收购金额。先声互联是大陆最早从事语音增强、远讲语音交互介面技术的团队，曾为阿里、百度、小米等多家公司提供解决方案。阿里表示，此次收购规模不大，主要针对技术和人才。据了解，随着阿里在晶片方面的战略布局，未来也将在语音专用晶片上有更多进展。阿里巴巴表示，先声互联创始人、大陆中科院声学所前研究员付强，入职阿里达...[详细]
功率半导体中国企业竞争力有待提高

功率半导体主要用作电子元件中的开关及整流器，同时是矽、砷化镓、氮化矽等半导体材料，是在经过电学属性调整等一系列工艺后，所得到的电学元件。功率半导体的应用十分广泛，从几十毫瓦的耳机放大系统，到上千兆瓦的高压直流传输过程；从储能、家电，到IT产品、网络通讯，只要是涉及电的领域，都存在它的身影。而在产业结构中(如下图)，分立器件主要以功率二极体、晶闸管、MOSFET和IGBT模组为比...[详细]
意法半导体与MACOM成功试产硅基氮化镓原型

意法半导体宣布与MACOM成功生产了射频用硅基氮化镓GaN-on-Si原型。凭借这一成就，意法半导体和MACOM将继续合作并加强双方的关系。射频硅基氮化镓为5G和6G基础设施提供了高潜力。目前长期存在的射频功率放大技术，即横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS），主导了早期的射频功率放大器（PA）。氮化镓可以为这些射频功率放大器提供卓越的射频特性和比LDMOS高得多的输出功率。此外，它可以在...[详细]
重庆万国半导体项目主体建筑顺利封顶

重庆晨报讯（记者唐国利见习记者梁长炯）随着最后一方混凝土灌注完成，重庆万国半导体12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目顺利完成主体建筑封顶。昨（14）日，重庆万国半导体科技有限公司主体建筑的封顶仪式在两江新区水土高新园举行。该项目预计于明年上半年正式投产。万国半导体科技有限公司在渝项目位于两江新区水土高新园区，占地342余亩，总投资10亿美元。其中，一期投资约5亿美元，建筑面积...[详细]