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首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

P6SMB68C_R2_00001

Trans Voltage Suppressor Diode, 55.1V V(RWM), Bidirectional,

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：强茂(PANJIT)

厂商官网：http://www.panjit.com.tw/

器件标准： Rohs认证无铅标识

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

强茂(PANJIT)

包装说明

R-PDSO-C2

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

EAR99

最大击穿电压

74.8 V

最小击穿电压

61.2 V

击穿电压标称值

68 V

最大钳位电压

98 V

配置

SINGLE

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

JEDEC-95代码

DO-214AA

JESD-30 代码

R-PDSO-C2

JESD-609代码

e3

最大非重复峰值反向功率耗散

600 W

元件数量

1

端子数量

2

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-55 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性

BIDIRECTIONAL

参考标准

IEC-61000-4-2

最大重复峰值反向电压

55.1 V

表面贴装

YES

技术

AVALANCHE

端子面层

Tin (Sn)

端子形式

C BEND

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED