P6SMBJ33_R2_10001,P6SMBJ33_R2_10001 pdf中文资料,P6SMBJ33_R2_10001引脚图,P6SMBJ33_R2

文档预览

P6SMBJ SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

STAND-OFF VOLTAGE

5 to 220 Volts

Recongnized File # E210467

0.155(3.94)

0.130(3.30)

0.083(2.11)

0.075(1.91)

0.185(4.70)

0.160(4.06)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.096(2.44)

0.083(2.13)

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.220(5.59)

0.200(5.08)

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Typical I

less than 1.0µA above 10V

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability

Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-214AA,Molded plastic over passivated junction.

• Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Standard Packaging: 12mm tape (EIA-481)

• Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types P6SMBJ5.0 thru types P6SMBJ220.

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000uS waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000us waveform(Note 1)Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

P P M

F S M

P P M

J A

S T G

Value

600

100

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5.0mm

(0.13mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

September 12,2012-REV.06

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P6SMBJ SERIES

@ I

Part N umber

R WM

Min .

UNI

Ma x .

U N I-

B I-

UNI

@ V

RWM

@ I

Marki ng C ode

600W Transient Voltage Suppressor

P6SMBJ5.0

P6SMBJ5.0A

P6SMBJ6.0

P6SMBJ6.0A

P6SMBJ6.5

P6SMBJ6.5A

P6SMBJ7.0

P6SMBJ7.0A

P6SMBJ7.5

P6SMBJ7.5A

P6SMBJ8.0

P6SMBJ8.0A

P6SMBJ8.5

P6SMBJ8.5A

P6SMBJ9.0

P6SMBJ9.0A

P6SMBJ10

P6SMBJ10A

P6SMBJ11

P6SMBJ11A

P6SMBJ12

P6SMBJ12A

P6SMBJ13

P6SMBJ13A

P6SMBJ14

P6SMBJ14A

P6SMBJ15

P6SMBJ15A

P6SMBJ16

P6SMBJ16A

P6SMBJ17

P6SMBJ17A

P6SMBJ18

P6SMBJ18A

P6SMBJ20

P6SMBJ20A

P6SMBJ22

P6SMBJ22A

P6SMBJ24

P6SMBJ24A

P6SMBJ26

P6SMBJ26A

P6SMBJ28

P6SMBJ28A

P6SMBJ30

P6SMBJ30A

P6SMBJ33

P6SMBJ33A

P6SMBJ36

P6SMBJ36A

P6SMBJ40

P6SMBJ40A

P6SMBJ5.0C

P6SMBJ5.0C A

P6SMBJ6.0C

P6SMBJ6.0C A

P6SMBJ6.5C

P6SMBJ6.5C A

P6SMBJ7.0C

P6SMBJ7.0C A

P6SMBJ7.5C

P6SMBJ7.5C A

P6SMBJ8.0C

P6SMBJ8.0C A

P6SMBJ8.5C

P6SMBJ8.5C A

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P6SMBJ9.0C A

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P6SMBJ10C A

P6SMBJ11C

P6SMBJ11C A

P6SMBJ12C

P6SMBJ12C A

P6SMBJ13C

P6SMBJ13C A

P6SMBJ14C

P6SMBJ14C A

P6SMBJ15C

P6SMBJ15C A

P6SMBJ16C

P6SMBJ16C A

P6SMBJ17C

P6SMBJ17C A

P6SMBJ18C

P6SMBJ18C A

P6SMBJ20C

P6SMBJ20C A

P6SMBJ22C

P6SMBJ22C A

P6SMBJ24C

P6SMBJ24C A

P6SMBJ26C

P6SMBJ26C A

P6SMBJ28C

P6SMBJ28C A

P6SMBJ30C

P6SMBJ30C A

P6SMBJ33C

P6SMBJ33C A

P6SMBJ36C

P6SMBJ36C A

P6SMBJ40C

P6SMBJ40C A

6.5

7.5

8.5

6.4

6.67

7.22

7.78

8.33

8.89

9.44

11.1

12.2

13.3

14.4

15.6

16.7

17.8

18.9

22.2

24.4

26.7

28.9

31.1

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7.55

7.25

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7.67

9.14

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9.86

8.95

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9.58

11.3

10.23

11.92

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12.6

11.5

14.1

12.8

15.4

16.9

15.3

18.2

16.5

19.8

17.9

21.1

19.2

22.6

20.5

23.9

21.7

25.3

23.3

28.1

25.5

30.9

33.8

30.7

36.6

33.2

39.4

35.8

42.2

38.3

46.5

42.2

50.7

56.3

51.1

800

500

200

100

1600

1000

400

200

100

9.6

9.2

11.4

10.3

12.3

11.2

13.3

12.0

14.3

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15.0

13.6

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14.4

16.9

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18.8

20.1

18.2

19.9

23.8

21.5

25.8

23.2

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28.8

30.5

27.6

32.2

29.2

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32.4

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35.5

38.9

46.6

42.1

45.4

53.5

48.4

53.3

64.3

58.1

71.4

64.5

62.5

65.2

52.6

58.3

48.7

53.6

45.1

46.5

44.1

37.7

41.7

35.5

31.9

35.3

29.9

27.3

30.2

25.2

27.9

23.3

25.8

22.3

20.8

23.1

19.7

21.7

18.6

20.5

16.7

18.5

15.2

16.9

15.4

12.4

14.2

13.2

11.2

12.4

10.2

11.3

9.3

10.3

8.4

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P6SMBJ SERIES

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Part N umber

R WM

Min .

UNI

Ma x .

U N I-

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UNI

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Marki ng C ode

600W Transient Voltage Suppressor

P6SMBJ43

P6SMBJ43A

P6SMBJ45

P6SMBJ45A

P6SMBJ48

P6SMBJ48A

P6SMBJ51

P6SMBJ51A

P6SMBJ54

P6SMBJ54A

P6SMBJ58

P6SMBJ58A

P6SMBJ60

P6SMBJ60A

P6SMBJ64

P6SMBJ64A

P6SMBJ70

P6SMBJ70A

P6SMBJ75

P6SMBJ75A

P6SMBJ78

P6SMBJ78A

P6SMBJ85

P6SMBJ85A

P6SMBJ90

P6SMBJ90A

P6SMBJ100

P6SMBJ100A

P6SMBJ110

P6SMBJ110A

P6SMBJ120

P6SMBJ120A

P6SMBJ130

P6SMBJ130A

P6SMBJ150

P6SMBJ150A

P6SMBJ160

P6SMBJ160A

P6SMBJ170

P6SMBJ170A

P6SMBJ180

P6SMBJ180A

P6SMBJ190

P6SMBJ190A

P6SMBJ200

P6SMBJ200A

P6SMBJ210

P6SMBJ210A

P6SMBJ220

P6SMBJ220A

P6SMBJ43C

P6SMBJ43C A

P6SMBJ45C

P6SMBJ45C A

P6SMBJ48C

P6SMBJ48C A

P6SMBJ51C

P6SMBJ51C A

P6SMBJ54C

P6SMBJ54C A

P6SMBJ58C

P6SMBJ58C A

P6SMBJ60C

P6SMBJ60C A

P6SMBJ64C

P6SMBJ64C A

P6SMBJ70C

P6SMBJ70C A

P6SMBJ75C

P6SMBJ75C A

P6SMBJ78C

P6SMBJ78C A

P6SMBJ85C

P6SMBJ85C A

P6SMBJ90C

P6SMBJ90C A

P6SMBJ100C

P6SMBJ100C A

P6SMBJ110C

P6SMBJ110C A

P6SMBJ120C

P6SMBJ120C A

P6SMBJ130C

P6SMBJ130C A

P6SMBJ150C

P6SMBJ150C A

P6SMBJ160C

P6SMBJ160C A

P6SMBJ170C

P6SMBJ170C A

P6SMBJ180C

P6SMBJ180C A

P6SMBJ190C

P6SMBJ190C A

P6SMBJ200C

P6SMBJ200C A

P6SMBJ210C

P6SMBJ210C A

P6SMBJ220C

P6SMBJ220C A

100

110

120

130

150

160

170

180

190

200

210

220

47.8

53.3

56.7

64.4

66.7

71.1

77.8

83.3

86.7

94.4

100

111

122

133

144

167

178

189

198

209

220

231

242

60.5

54.9

63.3

57.5

67.5

61.3

71.8

65.2

81.6

74.1

84.5

76.7

90.1

81.8

98.6

89.5

105.7

95.8

109.8

99.7

119.2

108.2

126.5

115.5

141

128

154.5

140.5

169

153

182.5

165.5

211.5

192.5

226

205

239.5

217.5

253.8

230.4

267.9

243.2

282

256

296.1

268.8

310.2

281.6

76.7

69.4

80.3

72.7

85.5

77.4

91.1

82.4

96.3

87.1

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93.6

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114

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308

358

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376

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394

356

7.8

8.6

7.5

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7.7

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6.2

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5.3

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4.5

4.9

4.3

4.7

3.9

4.4

3.8

4.1

3.4

3.7

3.4

2.8

3.1

2.6

2.9

2.2

2.5

2.1

2.3

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1.9

2.1

1.8

1.7

1.9

1.6

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P6SMBJ SERIES

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P6SMBJ SERIES

MOUNTING PAD LAYOUT

ORDER INFORMATION

• Packing information

T/R - 3K per 13" plastic Reel

T/R - 0.5Kper 7” plastic Reel

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低压MOS代替三极管降低漏电流: 低压MOS代替三极管降低漏电流低压MOS代替三极管降低漏电流低压MOS代替三极管降低漏电流这个取决于电路，很多情况下三极管漏电流并不比MOS大！确实啊毕竟电流那么小33mA内阻0.1欧...; QWE4562009 综合技术交流

【转帖】原来电路是算出来的！: 在你看这边文章之前，我想作出几点说明：（1）最近在看拉扎维的书，写下来这些东西，这也只是我个人在学习过程中的一点总结，有什么观点大家可以相互交流；（2）不断的思考，不断的理解，不断的总结！希望大家坚持下去！1、CS单管放大电路共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为M...; Ameya360皇华综合技术交流

高鸟揭膜机参数: 哪位大佬有高鸟的揭膜机相关参数，具体设备可以单独私聊。高鸟揭膜机参数揭膜机相关参数还用私聊找设备的具体型号，再联系厂家或代理，他们还保密？设备比较老了，厂家也没有对应的程序了，所以才找大神帮忙看谁还在用。朋友帮忙，不好直接说设备型号的揭膜机四什么设备？第一次听到这个名字。路人过来涨涨见识！...; 永失吾爱Lee 综合技术交流

物联网网关电路图: 我做的一个UART串口转网口的模块电路图现在贡献给大家。做好的实物图：全部电路图贡献出来。核心部分使用一个串口转网口的单芯片实现，外围电路照样做可以了。引出的引脚有：CTS、LINK、485_TEN、RTS、nRST、TXD、RXD、DEF，这些都是直接从ZLAN1003芯片引出来的引脚。电源输入可以是5V或者3.3V。网络部分图如下：原理图网络接口部分（RJ45集成网络变压器）网口部分的设计，其中LINK和ACT连接到RJ45的灯上，用于指示...; wzzlin123 综合技术交流

【新思科技IP资源】使用带有处理器 IP 的计算存储来优化数据中心功耗和性能: 简介据FortuneBusinessInsights称，服务提供商每年将增加约25%的存储支出，以便在未来几年内管理增加的数据。这意味着，数据中心的年度存储支出到2022年将增长到850亿美元，到2027年将增长到近3000亿美元。在增加数据存储的同时，数据中心运营商希望减少能源费用以及与运营相关的碳足迹。因此，服务提供商将投资重点放在更高性能和更低功耗计算能力上，从而减少数据移动，因为数据移动本身是一个十分耗费能源的过程。例如，每分钟将超过500小时的内...; arui1999 综合技术交流

E络盟双 11 购物嘉年华来了！: 一年一度的双十一年度大促惊喜来袭啦！大家千万不要错过本次折扣机会，欢迎前往e络盟官网询料下单。把握大促机会，立省采购成本！即刻扫描二维码，在线下单满1,000元，立享限时15%优惠*如何使用折扣？1、选择产品并将产品加入购物篮。2、在购物篮页面右侧的添加购物券代码文本框中，输入正确的购物券代码：1111CN24，并点击申请。...; eric_wang 综合技术交流

2016年第一季度中国集成电路产业运行情况

根据中国半导体行业协会统计，2016年第一季度中国集成电路产业销售额为798.6亿元，同比增长16.5%。其中，设计业继续保持较快增速，同比增长26.1%，销售额为283.9亿元；制造业销售额212.1亿元，同比增长14.7%；封装测试业销售额302.6亿元，同比增长9.8%。根据海关统计，2016年第一季度进口集成电路710.8亿块，同比增长4.6%；进口金额469.4亿美元，同比下...[详细]
成都市委书记范锐平会见格罗方德CEO

电子消息，7月1日，四川省委常委、成都市委书记范锐平会见了格罗方德半导体股份有限公司CEO桑杰·贾一行。双方表示，将保持密切高效协作，共同推动格罗方德在蓉项目加快建成、投产，带动更多上下游配套企业来川来蓉发展，加快形成FD-SOI产业生态圈，助推成都打造世界级的电子信息产业基地。...[详细]
SEMI:第一季全球半导体设备出货金额131亿美元

SEMI（国际半导体产业协会）今（6/6）公布2017年第一季全球半导体设备出货金额达131亿美元。SEMI台湾区总裁曹世纶表示，今年3月份出货金额以56亿美元创下单月新高纪录，使上季出货金额以强劲力道收尾。SEMI公布2017年第一季全球半导体设备出货金额为131亿美元今年第一季全球半导体出货金额较2016年第四季成长14%，与去年同期成长58%。同时上季出货金额亦超越2000年第三...[详细]
大陆国务院发布AI发展规划　AI战略目标三步走

大陆国务院近日印发《新一代人工智能发展规划》，提出了面向2030年大陆新一代人工智能(AI)的总体发展规划，包括新一代AI“三步走”战略、AI数十个落地产业、八大关键技术、AI人才培养与引进，以及成立人工智能规划推进办公室等。从AI首次被写入政府工作报告，到国务院印发的这份AI规划，大陆已经将AI上升为国家战略。大陆AI三步走战略目标该规划确立大陆最新AI发展的战略目标：到20...[详细]
ISSCC：新运算架构打造低延迟资料中心

「资料中心晶片需要更低延迟，才能因应感测器资料的需求，」这是Google资料中心技术研究员LuizBarroso在本周「国际固态电路会议」(ISSCC)期间对与会者发表的重点。此外，在这场名为「打造可支援未来云端运算的资料中心」(DataCenterstoSupportTomorrow’sCloud)的小组讨论上，来自ARM、英特尔(Intel)和富士通(Fujitsu)等公司的技术...[详细]
青春之翼，载梦前行——2019艾睿电子“创新杯”大赛北京站

“我们相信‘创新’是一种可以教授及学习的技能，我们的企业社会责任（CSR）教育计划体现了我们对培养新一代创新者的承诺。在培养青年人才方面，高校和大学是人才培育的摇篮，公司数年前开始和多所高校合作互动，自2014年起和中国多所高校包括：北京交通大学、上海大学和深圳大学合作，举办‘艾睿电子高校创新杯’大赛，旨在与高校建立长期的合作关系，营造更多开放创新的学术以及实践机会，促进鼓励创新精神。”艾睿电...[详细]
政策与业绩双重给力中国集成电路步入黄金时代

工信部电子信息司副司长彭红兵昨日在深圳公开表示，“十三五”期间，工信部将从五大方面着力，系统推进集成电路产业大发展。其中重点提到要“更加注重资源整合，加强顶层设计，聚焦骨干企业、关键节点、重大项目，推动产业链协同发展，打造制造业创新中心。”　　作为高端制造业的“皇冠明珠”，集成电路是衡量一个国家综合实力的重要标志之一，是信息产业的核心。“解决中国芯，支撑中国未来30年的发展。”中科院微...[详细]
黑莓第四季度净亏损1000万美元同比收窄

新浪科技讯北京时间3月28日晚间消息，黑莓公司今日发布了截至2月28日的2017财年第四季度财报。受软件和服务业务的推动，黑莓第四季度亏损额收窄。　　第四季度，黑莓营收为2.33亿美元，同比下滑18.5%。来自企业软件和服务的营收为1.08亿美元，高于上年同期的9100万美元。　　净亏损1000万美元，每股摊薄亏损6美分。而上年同期净亏损4700万美元，每股摊薄亏损10美分...[详细]
苹果不是唯一还有哪些国际大厂在中国建数据中心

苹果公司今日宣布将在贵州省建立在中国的第一个数据中心，一石激起千层浪，云计算俨然成了互联网公司们争奇斗艳的新舞台，更是苹果、谷歌、亚马逊、微软这些大型科技公司未来发展的方向。　　借着苹果公司的东风，我们来看看谷歌、亚马逊、微软在数据中心建设方面有哪些建树。　　微软：25亿美元建立数据中心　　根据微软2017年第三财季财报显示，本季度微软共计营收221亿美元，净利润48亿...[详细]
首届中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会即将盛大召开

由中国集成电路创新联盟（大联盟）指导，中国集成电路设计创新联盟（设计联盟）、中国半导体行业协会集成电路设计分会、国家“芯火”双创基地（平台）、苏州市高新区共同主办的“2021中国集成电路设计创新大会暨IC应用博览会”（简称ICDIA）即将于7月15日-16日在苏州召开。大会为期两天，第一天上午高峰论坛，下午创新峰会；第二天为4个并行主题论坛。同期举办为期两天的“IC应用展”。高峰论坛...[详细]
重振雄风“无锡芯”迎来黄金发展期

编者按：重振集成电路产业雄风，对于无锡这座曾拥有“国家南方微电子工业基地”荣誉的城市来说，是美好愿景，更是生动实践。从近年来一个个重大项目的引进落地，到政府大力度扶持政策的密集出台，再到设计、制造、封测、配套全产业链形成，在无锡产业强市的宏伟乐章中，来自集成电路产业的发展旋律格外激昂。今起，本报推出“打造新时代‘东方硅谷’”系列报道，聚焦无锡为重振集成电路产业雄风所付出的不懈努力，敬请关...[详细]
全球智能手机处理器市占，高通上半年强压联发科

高通与联发科的手机芯片战火，2017上半年战果出炉，高通靠着骁龙600系列芯片明显取得上风，市占率是联发科的两倍有余。市调机构StrategyAnalytics分析师SravanKundojjala指出，高通去年在14奈米行动芯片一役错失先机后，今年10奈米芯片成功抢回先发优势，骁龙835成绩也比前版优异。（telecomlead.com）总结上半年，高通智慧型手机处理营收市占...[详细]
晶圆双雄5月营收月增正成长，预估下半年都将增添营收动能

晶圆双雄台积电与联电分别在8日开完一年一度的股东会之后，9日先后公布5月营收成绩。受惠于半导体市场热度持续增温的影响，台积电与联电也在5月缴出不错的成绩单，台积电5月营收月增28%，联电也有4.9%的月增率。台积电在8日股东会中通过2017年分配每股7元现金股利后，9日随之公布2017年5月的营收状况。根据财报显示，台积电5月合并营收约新台...[详细]
Melexis 推出最新第三代 Triaxis 霍尔传感器 MLX90374

全球微电子工程公司Melexis今日宣布推出最新的第三代Triaxis霍尔传感器MLX90374，首款提供多路输出的单片器件。MLX90374为运动感应提供了双路输出，因此无需在诸多应用中搭载冗余的位置传感器。MLX90374基于Melexis专有的3D霍尔传感技术，可测量移动磁铁的绝对位置，包括360º旋转角度和线性位移。这些功能通过集成于单芯片解决方案的磁性前...[详细]
德州仪器业绩正在逐步好转

2024年第三季度，德州仪器（TexasInstruments，TI）的业绩表现出了一定的复苏迹象。在10月22日召开的季度财报电话会议中，TI首席执行官HavivIlan和首席财务官RafaelLizardi概述了公司在各市场的表现及未来的展望。虽然相较去年同期，TI的整体收入下降了8%，但公司依然实现了环比9%的增长，达到42亿美元的季度收入。尤其是在个人电子设备、通信设备和企业系统领...[详细]