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PJGBLC12-AU_R1_000A1

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件:PJGBLC12-AU_R1_000A1

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
R-PDSO-F2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
15.44 V
最小击穿电压
13.97 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散
350 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
参考标准
AEC-Q101; IEC-61000-4-2, 4-4; TS 16949
最大重复峰值反向电压
12 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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