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PJSD05ULFN2_R1_00001

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DFN-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
包装说明
R-PBCC-N2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
6 V
击穿电压标称值
7.4 V
最大钳位电压
11.5 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散
200 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
参考标准
IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压
5 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
NO LEAD
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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