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PJSD15TG_R1_00001

Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
16.7 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散
100 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-50 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压
15 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
PJSD03TG~PJSD36TG
SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PROTECTION PORTABLE ELECTRONICS
VOLTAGE
FEATURES
• 100 Watts peak pules power( tp=8/20
µs)
• Small package for use in portable electronics
• Suitable replacement for MLV’S in ESD protection applications
• Low clamping voltage and leakage current
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.026(0.65)
0.021(0.55)
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.042(1.05)
0.037(0.95)
3~36 Volts
POWER
100 Watts
SOD-723
Unit
inch(mm)
APPLICATIONS
• Case: SOD-723 plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx.Weight : 0.0008 grams
• Marking : PJSD03TG : FS
PJSD05T : FT
G
PJSD08T : FU
G
PJSD12TG : FV
PJSD15T : FW
G
PJSD24TG : FX
PJSD36TG : FY
0.007(0.18)
0.003(0.08)
0.057(1.45)
0.053(1.35)
0.006(0.15)MIN.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHATACTERISTICS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Rating
Peak Pulse Power (tp=8/20
µ
s)
ESD Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
ELECTRICAL CHARA CTERISTICS
Symbol
Value
100
25
-50 to 150
-50 to 150
P
PK
V
ESD
T
J
T
STG
PJSD03TG
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
BR
=1mA
V
R
=3.3V
I
PP
=10A
0Vdc Bias=f=1MHz
3Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
4
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
180
100
Max.
3.3
-
125
7.5
-
-
Units
V
V
µA
V
pF
pF
0.013(0.32)
0.009(0.25)
Units
W
KV
O
C
C
O
REV.0.1-FEB.16.2009
PAGE . 1
PJSD03TG~PJSD36TG
PJSD05T
G
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
R W M
V
B R
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
B R
=1mA
V
R
=5V
I
P P
=
8.5
A
0Vdc Bias=f=1MHz
5Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
6
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
65
Max.
5
-
10
Units
V
V
µA
V
pF
pF
9.8
110
-
PJSD08T
G
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
R W M
V
B R
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
B R
=1mA
V
R
=8V
I
P P
=
7.5
A
0Vdc Bias=f=1MHz
8Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
8.5
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
Max.
8
-
10
13.4
Units
V
V
µA
V
pF
pF
-
40
70
-
PJSD12T
G
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
R W M
V
B R
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
B R
=1mA
V
R
=12V
I
P P
=
6.7
A
0Vdc Bias=f=1MHz
12Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
13.3
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
30
Max.
12
-
1
20
46
Units
V
V
µA
V
pF
pF
-
PJSD15T
G
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
R W M
V
B R
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
B R
=1mA
V
R
=15V
I
P P
=
6
A
0Vdc Bias=f=1MHz
15Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
16.7
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
Max.
15
-
1
2
4
Units
V
V
µA
V
pF
pF
-
20
35
-
REV.0.1-FEB.16.2009
PAGE . 2
PJSD03TG~PJSD36TG
PJSD24T
G
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
R W M
V
B R
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
B R
=1mA
V
R
=24V
I
P P
=
4.5
A
0Vdc Bias=f=1MHz
24Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
26.7
-
-
-
-
Typical
-
-
-
Max.
24
-
1
Units
V
V
µA
V
pF
pF
-
-
14
43
25
-
PJSD36T
G
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
R W M
V
B R
I
R
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
B R
=1mA
V
R
=36V
I
P P
=
3
A
0Vdc Bias=f=1MHz
36Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
40
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
Max.
36
-
1
52
18
Units
V
V
µA
V
p
pF
12
-
PJSD03TG
PJ : Panjit
SD : Singal direction
03 : Voltage
TG : Package SOD-723
REV.0.1-FEB.16.2009
PAGE . 3
PJSD03TG~PJSD36TG
100
t
f
Peak
Value I
PP
TEST
m
I
PP
-Peak Pulse Current-% of I
PP
120
100
80
60
40
20
0
0
5
%Of Rated Power
WAVEFORM
PARAMETERS
80
60
40
20
0
0
Peak
Pulse Power
8/20
m
s
e
-t
-t
m
t
d
=t
I
PP
/2
Average
Power
10
15
T-Time-
m
s
20
25
30
25
50
75
100
125 150
O
T
L
-Lead Temperature- C
FIG. 2-Power Derating Curve
FIG. 1- Pulse Wave Form
P
PP
-Peak Pulse Current-Watts
10000
1000
100
10
0.01
1
10
100
1000
10000
t
d
-Pulse Duration-
m
s
FIG. 3-Peak Pulse Power vs Pulse Time
400
C-C apa cita nce -pF
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
6
V
R
=Reverse Voltage-Volts
FIG. 4-Typical Reverse Voltage vs Capacitance
REV.0.1-FEB.16.2009
PAGE .
4
PJSD03TG~PJSD36TG
MOUNTING PAD LAYOUT
SOD-723
Unit
inch(mm)
0.075
(1.90)
0.020
(0.50)
0.035
(0.90)
ORDER INFORMATION
• Packing information
T/R - 8K per 7" plastic Reel
REV.0.1-FEB.16.2009
PAGE . 5
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