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PJSMS12_R1_00001

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 12V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
包装说明
R-PDSO-G6
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最小击穿电压
13.3 V
配置
COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
JESD-609代码
e3
最大非重复峰值反向功率耗散
350 W
元件数量
4
端子数量
6
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
参考标准
IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压
12 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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