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PJX8808_R1_00001

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件:PJX8808_R1_00001

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
500mA
栅源极阈值电压
900mV @ 250uA
漏源导通电阻
400mΩ @ 500mA,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
300mW
类型
双N沟道
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