ＰＴ８２６１
概述
PT8261内½高精度电压检测电路和延迟电路，
是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电
电池的保护
IC。
PT8261
适合于对
1
节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、
过放电和过电流进行
保护。
特点
如下特点：
（1）高精度电压检测电路
过充电检测电压
过充电释放电压
过放电检测电压
过放电释放电压
放电过流检测电压
充电过流检测电压
负½½短路检测电压
4.280V
4.080V
3.000V
3.000V
80mV
-100mV
0.58V
精度±25mV
精度±50mV
精度±50mV
精度±50mV
精度±15mV
精度±20mV
精度±100
mV
（2）各延迟时间由内部电路设½（不需外接电容）
（3）休眠功½
（4）½耗电流
工½模式
.
典型值
3.0μA,最大值6.0μA（VDD=3.9V）
最大值
0.1μA（VDD=2.0V）
休眠模式
（5）
连接充电器的端子用高耐压设计
（CS 端子和
OC
端子,绝对最大额定值是
25V）
（6）允许向
0V
电池充电功½
（7）½工½温度范围：
-40℃½+85℃
（8）小型封装：
SOT-23-6L
（9）无卤素绿色环保产品
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ＰＴ８２６１
典型应用
产品目½
表
1、系列产品电气参数选择表
参数
型号
PT8261
过充电
检测电
压
V
CU
4.280V
过充电
释放电
压
V
CR
4.080V
过放电
检测电
压
V
DL
3.000V
过放电
释放电
压
V
DR
3.000V
放电过
流检测
电压
V
DIP
80mV
充电过
流检测
电压
V
CIP
-100mV
向 0V 电池
充电功½
休眠功½
/过放自
恢复功½
允许/禁止
允许
休眠功½
应用
1 节锂离子可再充电电池组/ 1 节锂聚合物可再充电电池组
方框图
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ＰＴ８２６１
脚½信息
表
2、 SOT-23-6L
封装
脚½
1
2
3
4
5
6
符号
OD
CS
OC
NC
VDD
VSS
说明
放电控制用
MOSFET
门极连接端子
过电流检测输入端子，充电器检测端子
充电控制用
MOSFET
门极连接端子
无连接
电源端，正电源输入端子
接地端，负电源输入端子
绝对最大额定值
表
3、绝对最大额定值（VSS=0V，Ta＝25℃，除非特别说明。）
项
目
符 号
V
DD
V
OC
V
OD
V
CS
T
OP
T
ST
P
D
规
格
单 ½
V
V
V
V
℃
℃
mW
VDD
和
VSS
之间输入电压
OC
输出端子电压
OD
输出端子电压
CS
输入端子电压
工½温度范围
储存温度范围
容许功耗
VSS-0.3~VSS+10
VDD-25~VDD+0.3
VSS-0.3~VDD+0.3
VDD-25~VDD+0.3
-40~+85
-40~+125
250
ＰＴ８２６１
电气特性
表 4、 电气参数（VSS=0V，Ta＝25℃,除非特别说明。）
项目
输入电压
VDD-VSS
工½电压
VDD-CS
工½电压
耗电流
工½电流
休眠电流
检测电压
过充电检测电压
过充电释放电压
过放电检测电压
过放电释放电压
放电过流检测电压
负½½短路检测电压
充电过流检测电压
V
CU
V
CR
V
DL
V
DR
V
DIP
V
SIP
V
CIP
T
OC
T
OD
T
DIP
T
CIP
T
SIP
V
DH
V
DL
V
CH
V
CL
V
DD
=3.6V
V
DD
=3.9V
V
DD
=3.6V
V
DD
=3.9V→4.5V
V
DD
=3.6V→2.0V
V
DD
=3.6V,CS=0.4V
V
DD
=3.6V,CS=-0.2V
V
DD
=3.0V,CS=1.3V
4.255
4.030
2.950
2.950
65
0.480
-120
1000
115
6.75
6
200
VDD-0.1
-
VDD-0.1
-
4.280
4.080
3.000
3.000
80
0.580
-100
1300
145
9
8
300
VDD-0.02
0.1
VDD-0.02
0.1
4.305
4.130
3.050
3.050
95
0.680
-80
1600
175
11.25
10
400
-
0.5
-
0.5
V
V
V
V
mV
V
mV
ms
ms
ms
ms
μs
V
V
V
V
I
DD
I
OD
V
DD
=3.9V
V
DD
=2.0V
-
-
3.0
-
6.0
0.1
μA
μA
V
DSOP1
V
DSOP2
-
-
1.5
1.5
-
-
8
25
V
V
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单½
延迟时间参数
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
放电过流检测延迟时间
充电过流检测延迟时间
负½½短路检测延迟时间
控制端子输出电压
OD
端子输出高电压
OD
端子输出½电压
OC
端子输出高电压
OC
端子输出½电压
向 0V 电池充电的功½
充电器起始电压（允许向
0V
电池充电功½）
V
0CH
允许向
0V
电池充电功½
1.2
-
-
V
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ＰＴ８２６１
应用电路
标记
R1
R2
C1
M1
M2
器件名称
电阻
电阻
电容
N-MOSFET
N-MOSFET
用途
限流、稳定
VDD、加强 ESD
限流
滤波，稳定
VDD
放电控制
充电控制
最小值
100Ω
1kΩ
0.01μF
-
-
典型值
100Ω
2kΩ
0.1μF
-
-
最大值
200Ω
2kΩ
1.0μF
-
-
说明
*1
*2
*3
*4
*5
*1
、
R1
连接过大电阻，
由于耗电流会在
R1
上产生压降
，½响检测电压精度。
½充电器
反接时，电流从充电器流向
IC，若 R1
过大有可½导致
VDD-VSS
端子间电压超过绝对最
大额定值的情况发生。
*2、R2
连接过大电阻，½连接高电压充电器时，有可½导致不½切断充电电流的情
况发生。½为控制充电器反接时的电流，请½可½选取较大的阻值。
*3、C1
有稳定
VDD
电压的½用，请不要连接
0.01μF
以下的电容。
*4、½用 MOSFET
的阈值电压在过放电检测电压以上时，可½导致在过放电保护之
前停止放电。
*5、门极和源极之间耐压在充电器电压以下时，N-MOSFET
有可½被损坏。
注意：
1.
上述参数有可½不经预告而½更改，请及时与业务部联系获取最新版规格。
2.
外围器件如需调整，建议客户进行充分的评估和测试。
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电子工程世界
