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PTA12N65

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,0.60?@10V,12A

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:丽隽(PIP)

厂商官网:http://www.pipsemi.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
73W(Tc)
类型
N沟道
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