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PTS2017

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A(Tc) 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5mΩ @ 12A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W(Tc) 类型:N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:迪浦(PUOLOP)

厂商官网:http://www.puolop.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
17A(Tc)
栅源极阈值电压
1.2V @ 250uA
漏源导通电阻
7.5mΩ @ 12A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
2W(Tc)
类型
N沟道
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