首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

RB411D

0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
R-PDSO-G3
针数
3
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
125 °C
最大输出电流
0.5 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大功率耗散
0.5 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
技术
SCHOTTKY
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
RB411D
Schottky Barrier Diode
VOLTAGE
40Volts
POWER
500mA
FEATURES
Reliability
High
Low Reverse Current
Ultra High-speed Switching
MECHANICAL DATA
Case : SOT-23, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-202G,
Method 208
Approx. Weight : 0.08 gram
Marking : 11D
ABSOLUTE RATINGS (T
A
=25
Parameter
Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
Forward Current Surge Peak (t=8.3ms)
Junction Temperature
Storage Temperature
)
Symbol
V
RM
I
O
I
FSM
T
J
T
STG
Value
40
500
3
125
-40 to +125
Units
V
mA
A
:
:
8/02/2006
Page 1
www.panjit.com
RB411D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
Parameter
Symbol
Min.
-
Forward Voltage
V
F
-
Reverse Current
Junction Capacitance
I
R
C
J
-
-
-
-
16
0.3
30
-
V
uA
pF
I
F
= 10mA
V
R
= 10V
V
R
= 10V, f=1MHz
Typ.
-
Max.
0.5
)
Units
V
Conditions
I
F
= 500mA
8/02/2006
Page 2
www.panjit.com
RB411D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
Fig. 1. Typical Forward Voltage
Fig. 2. Typical Reverse Current
Fig. 3. Typical Operating Temperature Derating
8/02/2006
Page 3
www.panjit.com
RB411D
MOUNTING PAD LAYOUT
LEGAL STATEMENT
8/02/2006
Page 4
www.panjit.com
查看更多>