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RS1MF

反向恢复时间(trr):500ns 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A

器件类别:分立半导体    快恢复二极管   

厂商名称:合科泰(Hottech)

厂商官网:http://www.heketai.com

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器件参数
参数名称
属性值
反向恢复时间(trr)
500ns
直流反向耐压(Vr)
1kV
平均整流电流(Io)
1A
正向压降(Vf)
1.3V @ 1A
文档预览
RS1AF-RS1MF
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
FEATURES
Glass Passivated Die Construction
Low reverse leakage
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability
Ideally Suited for Automated Assembly
Plastic Material: UL Flammability Classification Rating 94V-0
SMAF
MECHANICAL DATA
10
Case: SMAF Molded plastic
Terminals: Pure tin plated, lead free
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 27mg (approx.)
Cathode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate current by 20%.
Parameter
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current at T
A
=75 °C
Peak Forward Surge Current 8.3ms
Single Half Sine-wave Superimposed
on Rated Load (JEDEC)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1 A
Maximum DC Reverse Current at
Rated DC Blocking Voltage
T
A
= 25 °C
T
A
=100 °C
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJA
T
J, TS
150
15.0
50.0
- 50 to + 150
RS1AF
50
35
50
RS1BF
100
70
100
RS1DF
200
140
200
RS1GF
RS1JF
600
420
600
RS1KF
800
560
800
RS1MF
1000
700
1000
Uni
t
V
V
V
A
A
V
µA
400
280
400
1.0
30.0
1.3
5.0
50.0
Maximum reverse recovery time
(NOTE1)
Typical Junction Capacitance
(NOTE2)
Maximum Thermal Resistance
(NOTE3)
Operating and Storage Temperature Range
250
500
nS
pF
°C/
W
°C
Note: 1.Reverse recovery condition I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
1
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RS1AF-RS1MF
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
Typical Characteristics
AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT,
AMPERES
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
1.0
FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD
SURGE CURRENT
30
0.8
25
0.6
20
0.4
Single Phase
Half Wave 60Hz
Resistive or
inductive Load
15
0.2
10
8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE
(JEDEC Method)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
5.0
1
10
100
AMBIENT TEMPERATURE, C
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT,
MICROAMPERES
FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
1,000
INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT,AMPERES
20
10
100
1
10
0.1
T
J
=25 C
PULSE WIDTH=300
µs
1%DUTY CYCLE
TJ=100 C
1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.5
0.1
TJ=25 C
0.01
0
20
40
60
80
100
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,
VOLTS
PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%
FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE,
C/W
FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
100
JUNCTION CAPACITANCE, pF
200
100
T
J
=25 C
10
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.1
1.0
10
100
REVERSE VOLTAGE,VOLTS
t,PULSE DURATION,sec.
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
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RS1AF-RS1MF
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
SMAF Package Outline Dimensions
∠ALL
ROUND
∠ALL
ROUND
C
H
E
A
V M
A
E
D
A
g
g
pad
Top View
Bottom View
UNIT
mm
max
min
mil
max
min
A
1.1
0.9
43
35
C
0.20
0.12
7.9
4.7
D
3.7
3.3
146
130
E
2.7
2.4
106
94
e
1.6
1.3
63
51
g
1.2
0.8
47
31
pad
E
e
H
E
4.9
4.4
193
173
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD
E-mail:hkt@heketai.com
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