RALEC
旺詮
1
適用範圍:
RTT
系列½阻厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-122
2018/07/23
1
1.1
本規範適用於RTT系列½阻無鉛、無鹵素符合RoHS條款的厚膜晶片電阻器。
1.2
該產品應用於一般電子用途。
2
型別名稱:
(例)
RTT
02
R100
J
TH
型別
尺寸
電阻值
容差
包裝型式(請參閱
IE-SP-054)
Q1：1 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
QE：1 mm Pitch Carrier Tape 150000 pcs
TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
H0：2 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
H1：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H2：2 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
H3：2 mm Pitch Carrier Tape 30000 pcs
H4：2 mm Pitch Carrier Tape 40000 pcs
H5：2 mm Pitch Carrier Tape 50000 pcs
H6：2 mm Pitch Carrier Tape 60000 pcs
TP：4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs
P2：4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs
P3：4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs
P4：4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs
TE：4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs
E6：8 mm Pitch Carrier Tape 2000 pcs
BA：散裝(盒裝)
RTT
系列½阻厚
膜晶片電阻器
02(0402)
03(0603)
05(0805)
06(1206)
12(1210)
18(1812)
20(2010)
25(2512)
4-碼
EX.
0.10Ω=R100
0.47Ω=R470
0.56Ω=R560
F=± 1%
G=± 2%
J=± 5%
IE
制訂
審查
核准
會½
QA
備註
發行管制章
DATA Center.
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
Series No.
60
RALEC
旺詮
3
規格表
型別
RTT
系列½阻厚膜晶片電阻器
規格標準書
最高
額定電流
最高
過負荷電流
T.C.R
( ppm /
℃
)
溫度係數
±1500
±1200
±600
±300
±250
±200
±1500
±1200
±600
±300
±600
±400
±1500
±1200
±800
±600
±200
±1500
±1200
±1000
±600
±200
±1500
±1000
±700
±400
±200
±1500
±1200
±900
±500
±200
±200
±1500
±1200
±900
±500
±200
±1500
±1200
±900
±500
±200
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-122
2018/07/23
2
額定功率
RTT02
(0402)
1
W
16
1.58A
3.95A
RTT03
(0603)
1
W
10
3.16A
7.91A
RTT05
(0805)
1
W
8
3.53A
8.82A
RTT06
(1206)
1
W
3
5.77A
14.42A
RTT12
(1210)
1
W
2
7.07A
17.67A
RTT18
(1812)
3
W
4
8.66A
21.65A
RTT20
(2010)
3
W
4
8.66A
21.65A
RTT25
(2512)
1W
10A
25A
½用溫度範圍
阻值範圍
F(±1%)、G(±2%)、J((±5%)
E-24、E-96
25 mΩ≦R＜37 mΩ
37 mΩ≦R＜60 mΩ
60 mΩ≦R＜200 mΩ
200 mΩ≦R＜400 mΩ
400 mΩ≦R＜600 mΩ
600 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜37 mΩ
37 mΩ≦R＜60 mΩ
60 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜200 mΩ
200 mΩ≦R＜500 mΩ
500 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜19 mΩ
19 mΩ≦R＜33 mΩ
33 mΩ≦R＜50 mΩ
50 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜19 mΩ
19 mΩ≦R＜25 mΩ
25 mΩ≦R＜50 mΩ
50 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜19 mΩ
19 mΩ≦R＜25 mΩ
25 mΩ≦R＜50 mΩ
50 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜19 mΩ
19 mΩ≦R＜25 mΩ
25 mΩ≦R＜50 mΩ
50 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜19 mΩ
19 mΩ≦R＜25 mΩ
25 mΩ≦R＜50 mΩ
50 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
10 mΩ≦R＜19 mΩ
19 mΩ≦R＜25 mΩ
25 mΩ≦R＜50 mΩ
50 mΩ≦R＜100 mΩ
100 mΩ≦R＜1000 mΩ
-55℃ ~ +155℃
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章
DATA Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
RTT
系列½阻厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-122
2018/07/23
3
3.1
功率衰減曲線:
½用溫度範圍：－55℃
~
＋155℃
周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下圖曲線予以修定之。
100
80
負載功率比(%)
60
40
70
155
20
0
-55
20
40 60
80 100 120 140 160
環境溫度(℃)
3.2
額定電流:
額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。
可用下列公式求得，½求得之值若超過規格表內之最高電流時，則以最高額定電流為其
額定電流。
I
½
P/R
4
尺寸:
I =額定電流(A)
P=額定功率(W)
R=公稱阻值(Ω)
Unit:mm
Dimension
L
Type
Size Code
W
0.50±0.05
0.80±0.10
1.25±0.10
1.55±0.10
2.55±0.10
3.15±0.20
2.50±0.20
3.20±0.20
H
L1
L2
RTT02
RTT03
RTT05
RTT06
RTT12
RTT18
RTT20
RTT25
0402
0603
0805
1206
1210
1812
2010
2512
1.00±0.10
1.60±0.10
2.00±0.10
3.05±0.10
3.05±0.10
4.40±0.20
5.00±0.20
6.30±0.20
0.30±0.10 0.25±0.10 0.20±0.15
0.45±0.10 0.25±0.15 0.35±0.15
0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20
0.50±0.10 0.45±0.20 0.55±0.25
0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20
.0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.20
0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20
0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章
DATA Center.
註
Series No.
60
RALEC
旺詮
5
結構圖:
RTT
系列½阻厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-122
2018/07/23
4
1
2
3
4
5
6
陶瓷基板
正面內部電極
電阻層
1st背面內部電極
1st保護層
2nd保護層
Ceramic substrate
1st Top inner electrode
Resistive layer
Bottom inner electrode
1st Protective coating
2nd Protective coating
7
8
9
10
11
2nd背面內部電極 2nd Bottom inner electrode
G2+MK層
側面內部電極
Ni層電鍍
Sn層電鍍
G2 layer + Marking
Terminal inner electrode
Ni plating
Sn plating
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章
DATA Center.
註
Series No.
60
RALEC
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系列½阻厚膜晶片電阻器
規格標準書
文件編號
版本日期
頁 次
IE-SP-122
2018/07/23
5
6
信賴性試驗項目:
6.1
電氣性½試驗(Electrical
Performance Test)
Item
Conditions
項目
條件
（
R2－ R1）
Temperature
Coefficient of TCR（ppm /
℃）＝
R1（ T2－ T1）
×10
6
Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω)
溫度係數
R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω)
T1:室溫之溫度(℃)
T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。
Specifications規格
Resistors
參考3.規格表
依據
JIS-C5201-1 4.8
Short Time
½加2.5倍的額定電流5秒，靜½30分鐘以上再量測阻值變
1%、 2%、5% : R=± 2.0%
Overload
化率。
短時間過負荷
(額定電流值請參考 3.規格表)
依據
JIS-C5201-1 4.13
Insulation
將晶片電阻½於治具上 在正負極½加100
VDC一分鐘後
≧10
9
Ω
，
Resistance
測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。
絕緣電阻試驗 依據
JIS-C5201-1 4.6
絕 緣 材 質
A
測 試 點
電 阻 背 面
B
測 試 點
印 刷 保 護 層 面
晶 片 電 阻
壓 力 ½ 簧
Dielectric
Withstand
Voltage
絕緣耐電壓
將晶片電阻½於治具上，在正、負極½加VAC
(參考下
列)
RTT05、06、12、18、20、25
用500
VAC－分鐘
RTT02、03用300 VAC－分鐘
無短路或燒毀現象。
依據
JIS-C5201-1 4.7
Intermittent
½於恆溫箱中，½加2.5倍額定電流，1秒ON，25秒OFF，
R=±5.0%
Overload
計10000+400/-0次後取出靜½60分鐘後量測阻值變化量。
斷續過負荷
依據
JIS-C5201-1 4.13
備
非 發 行 管 制 文 件
自 行 注 意 版 本 更 新
非經允許，禁止自行½印文件
發行管制章
DATA Center.
註
Series No.
60
电子工程世界
51单片机
