深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
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FAX
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S13005A
*
主要用途 ：
*
主要特点：
主要特点：
NPN
功率三极管
电子镇流器、节½灯、充电器及各类功率开关电路。
硅三重扩散平面工艺、输出特性½、电流容量大。
内部集成二极管。
B
基极
C
集电极
E
发射极
极限值：
极限值：
( Tc=25
℃
)
参
数
名
称
符 号
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
额定值
≥
400
≥
700
≥
9
5.5
45
150
－
55
½
150
单 ½
V
V
V
A
W
℃
℃
集电极－发射极击穿电压
集电极－基极击穿电压
发射极－基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
电特性：
电特性：
( Tc=25
℃
)
参数名称
集电极－发射极击穿电压
集电极－基极击穿电压
发射极－基极击穿电压
集电极－发射极反向漏电流
集电极－基极反向漏电流
发射极－基极反向漏电流
符号
BV
CEO
BV
CBO
BV
EBO
I
CEO
I
CBO
I
EBO
测 试 条 件
I
C
=1mA
；
I
C
=1mA
；
I
E
=1mA
；
V
CE
=380V
；
V
CB
=680V
；
V
EB
=7V
；
V
CE
=5V
；
I
B
=0
I
E
=0
I
C
=0
I
B
=0
I
E
=0
I
C
=0
I
C
=1A
I
C
=1mA
I
B
=1A
15
8
规范值
最小值
400
700
9
10
5
10
35
最大值
单½
V
V
V
uA
uA
uA
共发射极直流电流增益
H
FE
V
CE
=5V
；
集电极－发射极饱和压降
下降时间
特征频率
V
CE
(sat)
t
f
f
T
I
C
=2A
；
0.6
0.5
5
V
uS
MHz
I
C
=2A
；
I
B1
=I
B2
=0.4A
；
V
CE
=150V
V
CE
=10V
；
I
C
=0.1A
；
f =1MHz
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静态输出特性
1
50mA
0.8
40mA
Ic
（
A
）集电极电流
HFE
直流电流增益
0.6
30mA
30
40
50
HFE
直流电流增益－
Ic
集电极电流
Vce=5V
0.4
20mA
20
0.2
10mA
10
Ib=0
0
2
4
6
8
Vce
（
V
）集电极－发射极电压
10
1
0.01
0.1
1
Ic
（
A
）集电极电流
2
4
Vce
（
sat
）集电极
-
发射极饱和压降－
Ic
集电极电流
3
Vce
（
sat
）
V
）集电极－发射极饱和压降
（
50
Pc
耗散功率－
Tj
结温
40
2
Ic=2Ib
Pc
（
W
％）耗散功率
3
4
30
1
20
10
0.1
0
0.1
1
2
Ic
（
A
）集电极电流
0
40
80
120
Tj
（℃）结温
160
200
SOA
（
DC
）安全工½区
10
Ic
（
A
）集电极电流
1
0.1
0.01
1
10
100
Vce
（
V
）集电极－发射极电压
1000
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封装½式：
封装½式：
单½： ，无其他特别说明公差
SOT-82
( 单½：mm，无其他特别说明公差 ±0.1mm)
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电子工程世界
