首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

SB2030FCT

肖特基二极管

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

器件标准:

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
强茂(PANJIT)
零件包装代码
TO-220AB
包装说明
ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
其他特性
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用
EFFICIENCY
外壳连接
ISOLATED
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.55 V
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流
200 A
元件数量
2
相数
1
端子数量
3
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
10 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压
30 V
表面贴装
NO
技术
SCHOTTKY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
SB2020FCT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
20 to 60 Volts
CURRENT
20 Amperes
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
• Low power loss, high efficiency.
0.272(6.9)
0.248(6.3)
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
MECHANCAL DATA
• Case: ITO-220AB full Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o r wa r d C ur r e nt a t
Tc = 7 5
O
C
P e a k F o rwa r d S urg e C ur r e nt :8 .3 ms s i ng le ha lf
s i ne - wa ve s up e r i mp o s e d o n r a te d lo a d
(J E D E C me tho d )
Ma xi mum F o r wa r d Vo lta g e a t 1 0 A p e r le g
Ma xi mum D C Re ve r s e C ur r e nt a t
Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The r m a l Re s i s ta nc e p e r d i o d e
Op e r a ti ng J unc ti o n Te m p e r a tur e Ra ng e
S to r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
T
S TG
SB2020F C T S B2030F CT SB 2040FC T SB 2045FC T SB2050F C T SB2060F C T
UNITS
V
V
V
A
20
14
20
30
21
30
40
28
40
2 0 .0
45
31
45
50
35
50
60
42
60
200
A
0 .5 5
0 .2
50
2
- 5 5 to +1 2 5
- 5 5 to +1 5 0
-5 5 to + 1 5 0
0 .7 5
V
mA
O
C / W
O
C
C
O
Note:
Both Bonding and Chip structure are available.
August 25,2010-REV.04
PAGE . 1
SB2020FCT SERIES
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
25
20-30V
40-60V
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
AMPERES
AVERAGE FORWARD CURRENT
AMPERES
240
210
180
150
120
90
60
30
0
1
2
5
10
20
50
100
8.3ms Single
Half Sine-Wave
JEDEC Method
20
15
10
5
0
0
50
100
150
CASE TEMPERATURE,
O
C
NO. OF CYCLE AT 60Hz
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.2- MAXIMUM NON - REPETITIVE SURGE
CURRENT
INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT, mA
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT
AMPERES
10
40
20-45V
T
J
=100 C
1.0
O
10
8
6
4
2
1.0
50-60V
0.1
T
J
=75 C
O
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
0.3 0.4
0.01
T
J
=25
O
C
1% Duty Cycle
Pulse Width=300
m
s
T
J
=25
O
C
0.001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE, %
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE
,VOLTS
Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
August 25,2010-REV.04
PAGE . 2
查看更多>
能蓝牙Mesh组网的PHY6212有哪些优势(二)
ROMPHY6212共有2个ROM。SRAMPHY6212的SRAM分为5个区块,各个区块都具备可进行单独配置的数据保留能力,且所有区块均可用于储存程序或数据。FLASHPHY6212利用FLASH实现非易失性程序和数据存储功能,FLASH的大小为256KB或512KB,支持2线读取。镜像模式介绍镜像模式与芯片的变化无关,任何芯片的变化都可以使用镜像模式来执行。在镜像模式下,程序将从FLASH被复制到SRAM,随即在SRAM...
乐乐熊 综合技术交流
需要3路硬件SPI
A:现有需求:支持低功耗支持spi,至少3路支持串口,至少7路支持网串口,至少1路我看手册资料只有2路看图1B:i.MX6Q的可以满足3路可以配置出来请看图2需要3路硬件SPI:handshake:handshake:handshake...
明远智睿Lan 综合技术交流
【好书共读——《电子硬件工程师入职图解手册》分享】_IV_电平转换
##前提回顾【好书共读《电子硬件工程师入职图解手册》分享】_I_开箱【好书共读《电子硬件工程师入职图解手册》分享】_II_套路深【好书共读《电子硬件工程师入职图解手册》分享】_III_宽温##电平转换电路第二章有个电平转换电路,算是比较常见的那种。不过我个人是经常用MOS管的版本,因为还有个体二极管可以用于反向传输,这样就可以应用在INOUT的线路上了。不过用三极管也有个好处:速率更高。通常来说三极管相对于MOS的优势就是开关速率更高。...
黑屋白巫 综合技术交流
PIC单片机程序的基本结构
建立源程序时首先用伪指令TITLE提供程序的标题,接着给出整个程序的总说明,并用列表伪指令LIST指定所用单片机型号和文件输出格式,再利用INCLUDE伪指令读入MPASM中提供的定义文件如《P16F84?INC》,然后对片内常用资源进行定义,再给出一般程序的基本结构框架。现举例如下。  TITLE“Thisis……”;程序标题  ;程序说明  LISTP=16F84,F=1NHX8M  ;  includep16F84.inc  -config_RC_Qsc &_WDT_0...
pcbpc2012 综合技术交流