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SB2045LFCT_T0_00001

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
强茂(PANJIT)
包装说明
HALOGEN FREE, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW POWER LOSS
应用
EFFICIENCY
外壳连接
ISOLATED
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.52 V
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流
145 A
元件数量
2
相数
1
端子数量
3
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
10 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压
45 V
最大反向电流
500 µA
表面贴装
NO
技术
SCHOTTKY
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
文档预览
SB2045LFCT
DUAL HIGH-VOLTAGE SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
45 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANICAL DATA
Case : ITO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams
.177(4.5)
.137(3.5)
.027(.67)
.022(.57)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
Typ i c a l the r ma l r e s i s ta nc e
Operating junction
Storage temperature range
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
R
ΘJC
T
J
T
STG
VALUE
45
20
10
145
4 .5
-55 to + 125
-55 to + 150
O
UNIT
V
A
A
C / W
o
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage
Instantaneous forward voltage per
diode
(1)
Reverse current per diode
(2)
SYMBOL
V
BR
V
F
I
R
TEST CONDITIONS
I
R
=1mA
I
F
=5A
I
F
=10A
V
R
=45V
T
J
=25
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=100
o
C
MIN.
50
-
-
-
-
TYP.
-
0.42
0.46
100
-
MAX.
-
0.46
0.52
500
100
UNIT
V
V
μA
mA
Note.1.Pulse test : 300μs pulse width, 1% duty cycle
2.Pulse test : pulse width < 40ms
May 13,2010-REV.01
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SB2045LFCT
I
R
, Leakage Current (mA)
100
100
Per Diode
10
T
J
= 100°C
I
F
, Forward Current (A)
Per Diode
10
T
J
= 125°C
1
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
T
J
= 75°C
1
0.1
T
J
= 25°C
0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.01
20
40
60
80
100
V
F
, Forward Voltage (V)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig.1 Typical Forward Characteristics
10000
Per Diode
Fig.2 Typical Reverse Characteristics
C
J
, Junction Capacitance
(pF)
12.00
I
F
, Forward Current (A)
Per Diode
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
1000
100
10
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V
R
, Reverse Bias Voltage (V)
T
C
, Case Temperature (°C)
Fig.3 Typical Junction Capacitance
Fig.4 Forward Current Derating Curve
May 13,2010-REV.01
PAGE . 2
SB2045LFCT
Part No_packing code_Version
SB2045LFCT_T0_00001
SB2045LFCT_T0_10001
For example :
RB500V-40_R2_00001
Part No.
Serial number
Version code means HF
Packing size code means 13"
Packing type means T/R
Packing Code
XX
Packing type
Tape and Ammunition Box
(T/B)
Tape and Reel
(T/R)
Bulk Packing
(B/P)
Tube Packing
(T/P)
Tape and Reel (Right Oriented)
(TRR)
Tape and Reel (Left Oriented)
(TRL)
FORMING
1
st
Code
A
R
B
T
S
L
F
Packing size code
N/A
7"
13"
26mm
52mm
PANASERT T/B CATHODE UP
(PBCU)
PANASERT T/B CATHODE DOWN
(PBCD)
Version Code
XXXXX
2
nd
Code
HF or RoHS
1
st
Code 2
nd
~5
th
Code
0
1
2
X
Y
U
D
HF
RoHS
0
1
serial number
serial number
May 13,2010-REV.01
PAGE . 3
SB2045LFCT
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