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SB620FCT_04

6 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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DATA SHEET
SB620FCT~SB660FCT
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
.112(2.85)
.100(2.55)
.272(6.9)
.248(6.3)
20 to 60 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
ITO-220AB
Unit : inch (mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-
S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Both normal and Pb free product are available :
Pb free: 98.5% Sn above
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
• Low forwrd voltge, high current capability
.406(10.3)
.381(9.7)
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
.606(15.4)
.583(14.8)
MECHANICALDATA
Case: ITO-220AB full molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: As marked.
Mounting Position: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.161(4.1)MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
.071(1.8)
.055(1.4)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
MAX
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t Tc = 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
C
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
C
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B OL S B 6 2 0 F C T S B 6 3 0 F C T S B 6 4 0 F C T S B 6 5 0 F C T S B 6 6 0 F C T U N IT S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
0 .5 5
0 .2
15
6
80
-5 0 to +1 2 5
-5 0 to +1 5 0
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
6 .0
75
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
0 .7 0
V
I
R
Rθ J C
Rθ J A
T
J
T
J
, T
S TG
mA
C / W
O
C
C
O
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-JUN.15.2004
PAGE . 1
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
AVERAGE FORWARD CURRENT,
AMPERES
10.0
8.0
CASE TEMPERATURE,
O
C
,
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
AMPERES
NO. OF CYCLE AT 60HZ
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.2- MAXIMUM NON - REPETITIVE SURGE
CURRENT
10.00
10.00
T
J
=
125
O
C
50-60V
FORWARD CURRENT, AMPERES
1.00
20-40V
REVERSE CURRENT, uA
T
J
=
7
5 C
O
0.10
1.00
0.01
T
J
=25 C
O
0.00
20-40V
50-60V
0.00
20
40
60
80
100
0.10
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, %
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHRACTERISTIC
STAD-JUN.15.2004
PAGE . 2
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