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SBD10C150T

肖特基二极管(SBD)

器件类别:分立半导体   

厂商名称:士兰微(Silan)

厂商官网:http://www.silanic.com.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
直流反向耐压(Vr)
150V
平均整流电流(Io)
10A
正向压降(Vf)
750mV @ 5A
文档预览
士兰微电子
10A、150V肖特基整流管
描述
SBD10C150T/F/S/D
说明书
共阴极
2
SBD10C150T/F/S/D
是采用硅外延工艺制½而成的肖特基整流二极管,
广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
2
1
1
特点
具有过压保护的保护环结构
高电流冲击½力
½功耗,高效率
正向压降½
共阴极
3
TO-263-2L
3
阳极
阳极
1
3
TO-252-2L
1
23
TO-220HW-3L
1
23
TO-220F-3L
1
23
TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SBD10C150T
SBD10C150F
SBD10C150S
SBD10C150STR
SBD10C150T
SBD10C150D
SBD10C150DTR
封装½式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-220HW-3L
TO-252-2L
TO-252-2L
打印名称
SBD10C150T
SBD10C150F
SBD10C150S
SBD10C150S
SBD10C150T
SBD10C150D
SBD10C150D
环保等级
无铅
无铅
无卤
无卤
无铅
无卤
无卤
包装
料管
料管
料管
编带
料管
料管
编带
极限参数(除非特殊说明,T
C
=25°C)
最大反向峰值电压
正向平均整流电流
正向峰值浪涌电流@8.3ms
工½结温
芯片存储温度范围
符 号
V
RRM
I
FAV
I
FSM
T
J
T
STG
额定值
150
10
120
150
-40~150
单 ½
V
A
A
°C
°C
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻
符号
R
θJC
额定值
2.0
单½
°C/W
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:1.9
6
页 第
1
士兰微电子
电参数规格
参 数 名 称
正向压降
符 号
V
F
SBD10C150T/F/S/D
说明书
测 试 条 件
I
F
=5A,T
C
=25°C
I
F
=5A,T
C
=125°C
V
R
=150V,T
C
=25°C
V
R
=150V,T
C
=125°C
最小值
--
--
--
--
最大值
0.9
0.75
50
25
单½
V
V
μA
mA
反向漏电流
I
R
典型特性曲线
图1. 典型正向特性
100
25°C
100
10
图2. 典型反向特性
瞬态正向电流,
I
F
:(V)
10
瞬态反向电流,
I
R
:(mA)
75°C
125°C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
1
0.1
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0
50
100
150
200
0.01
0.1
0.2
0.3 0.4
0.5
0.6 0.7
0.8 0.9
1.0
0.00001
瞬态正向压降,
V
F
:(V)
瞬态反向偏压,
V
R
:(V)
图3. 结电容特性
1000
15
图4. 正向平均整流电流特性
正向平均整流电流,
I
FAV
:(A)
结电容,
C
J
:(pF)
DC
10
100
10
5
F=1MHz
1
1
10
100
0
0
25
50
75
100
125
150
反向偏压,
V
R
:(V)
环境温度,
T
a
:(°C)
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2
士兰微电子
封装外½图
TO-220-3L
SBD10C150T/F/S/D
说明书
单½:
mm
4.30
1.00
1.80
0.60
1.00
0.30
15.10
8.10
9.60
6.10
12.60
3.40
2.60
4.50
1.30
2.40
0.80
4.70
1.50
2.80
1.00
1.60
0.70
16.10
10.00
10.40
7.00
13.60
3.95
3.90
3.20
15.70
9.20
9.90
2.54BSC
6.50
13.08
3.70
TO-220F-3L
单½:
mm
1
4.42
2.30
2.50
0.70
4.70
2.54
2.76
0.80
5.02
2.80
3.10
0.90
1.47
0.35
15.25
15.30
9.30
9.73
0.50
15.87
15.75
9.80
10.16
2.54BCS
6.40
12.48
/
3.00
3.05
6.68
12.98
/
3.18
3.30
7.00
13.48
3.50
3.40
3.55
0.65
16.25
16.30
10.30
10.36
1
3
杭州士兰微电子股½有限公司
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士兰微电子
封装外½图(续)
TO-263-2L
A
E
L1
SBD10C150T/F/S/D
说明书
单½:
mm
c2
SYMBOL
A
A1
b
c
MIN
4.30
0
0.71
0.30
1.17
8.50
9.80
NOM
4.57
0.10
0.81
---
1.27
---
---
2.54BSC
14.70
2.00
1.12
---
---
2.30
1.27
---
15.75
2.74
1.42
1.75
MAX
4.72
0.25
0.91
0.60
1.37
9.35
10.45
D
c2
D
E
e
H
c
L2
A1
H
L
L1
L2
b1
e
e
b
TO-220HW-3L
L
单½:
mm
4.30
1.25
1.80
0.70
1.26
0.33
15.10
8.80
9.60
6.10
12.60
2.70
4.50
1.27
2.50
0.80
1.42
0.38
15.70
9.15
10.20
2.54
6.50
13.10
4.70
1.40
2.80
0.95
1.50
0.40
16.10
9.40
10.40
7.00
13.60
3.50
2.90
杭州士兰微电子股½有限公司
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士兰微电子
封装外½图(续)
TO-252-2L
SBD10C150T/F/S/D
说明书
单½:
mm
SYMBOL
A
A1
b
b3
c
c2
D
E
e
Eject pin(note1)
MIN
2.10
0
0.66
5.10
0.45
0.45
5.80
6.30
9.60
1.40
0.60
NOM
2.30
---
0.76
5.33
---
---
6.10
6.60
2.30TYP
10.10
1.50
2.90REF
0.80
MAX
2.50
0.127
0.89
5.46
0.65
0.65
6.40
6.90
10.60
1.70
1.00
H
L
L1
L4
NOTE1:
There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
声明:
士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最
新。
任½半导½产品特定条件下½有一定的失效或发生故障的可½,
买方有责任在½用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措½,以避免½在失败风险可½造成人身伤害或财产损失情况的发生!
产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
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