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SD103AW_04

0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE
0.4 A, 硅, 信号二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:强茂(PANJIT)

厂商官网:http://www.panjit.com.tw/

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
状态
ACTIVE
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
GULL WING
端子涂层
TIN LEAD
端子位置
DUAL
包装材料
PLASTIC/EPOXY
工艺
SCHOTTKY
结构
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
最大功耗极限
0.4000 W
二极管类型
SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大
0.0100 us
最大平均正向电流
0.4000 A
文档预览
DATA SHEET
SD103AW~SD103CW
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low turn-on voltage
• Fast switching
.028(0.7)
.019(0.5)
.154(3.90)
.141(3.60)
.110(2.8)
.098(2.5)
20 to 40 Volts
CURRENT
0.35 Ampers
SOD-123
Unit: inch (mm)
• PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
Case: SOD-123, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Approx. Weight: 0.0045 gram
.008(.20)MAX
.005(.12)MAX
.016(.40)MIN
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
P a ra me te r
M a r k i ng C o d e
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a x i m u m A v e r a g e F o r w a r d C u r r e n t a t Ta = 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt a t 1 0 uS
M a x i m u m In s t a n t a n e o u s F o r w a r d V o l t a g e
M a xi m um R e ve r s e C ur r e nt
Ty p i c a l J u n c t i o n C a p a c i t a n c e a t V R = 0 V
M a xi m um The r m a l R e s i s t a nc e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
A V
I
F S M
V
F
I
R
CJ
Rθ J A
T
J
5 .0 @3 0 V
S ym b o l
S D 1 0 3 AW
S6
40
28
40
SD103BW
S7
30
21
30
0 .3 5
2 .0
0 .3 7 @0 .0 2 A
0 .6 0 @0 .2 A
5 .0 @2 0 V
50
300
-5 5 to +1 2 5
O
SD103CW
S8
20
14
20
.053(1.35)
.037(0.95)
MECHANICAL DATA
.071(1.8)
.055(1.4)
U ni t s
V
V
V
A
A
V
5 .0 @1 0 V
uA
pF
C / W
O
C
STAD-FEB.23.2004
PAGE . 1
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
1000
,
AVERAGE FORWARD CURRENT A
MPS
0.8
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
FORAWRD CURRENT, mA
0.7
100
10
1.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
1000
100
REVERSE CURRENT, uAmps
T
J
=125
O
C
CAPACITANCE, pF
T
J
=25 C
O
100
10
10
T
J
=75
O
C
1.0
1.0
0.1
0
10
20
30
40
0.1
0
10
20
30
40
REVERSE VOLTAGE, Volts
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
Fig.3 TYPICAL REVERSE CURRENT
Fig.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
STAD-FEB.23.2004
PAGE . 2
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