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SD6602AS

隔离恒流驱动

器件类别:光电子/LED   

厂商名称:士兰微(Silan)

厂商官网:http://www.silanic.com.cn/

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文档预览
SD6602AS
说明书
高精度½成本PSR
LED恒流驱动器
描述
SD6602AS
是一款高精度、½成本的原边反馈
LED
恒流驱动芯片,
应用于反激隔离
LED
照明。
芯片工½在电感电流断续模式,
适用于
90Vac~265Vac
输入电压、
7W
以下输出功率。
SD6602AS
采用特有的恒流控制方式,电流精度达到±3%以内,并可通
过峰值电流采样电阻设定输出电流。芯片内部集成
600V
功率
MOS
开关,采
用原边反馈控制模式,无需环路补偿,无需光耦、TL431、变压器辅助绕组等
元件,节约了系统成本和½积。
芯片内部集成
LED
开路/短路保护;原边过流保护、过压保护、过温保护
等,以提高系统的可靠性。
SD6602AS
采用
SOP-7-255-1.27
封装。
应用
GU10 LED
射灯
LED
球泡灯
PAR
其他
LED
照明
主要特点
±3%LED 输出电流精度
无须辅助绕组的原边反馈控制技术
高效率、½系统成本
内部集成
600V
功率管
内½线电压补偿
无需环路补偿
内½前沿消隐电路
LED
短路/开路保护
原边逐周期过流保护
CS
管脚短路保护
欠压保护
过温保护
产品规格分类
产品名称
SD6602ASTR
封装类型
SOP-7-225-1.27
打印名称
--
材料
无铅
包装
编带
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:0.1
6
页 第
1
士兰微电子
内部框图
SD6602AS
说明书
5
6
DRAIN
3
VCC
欠压锁定
基准电压
偏½电流
VCC
SW
4
过压保护
过流保护
过温保护
恒流控制
逻辑控制
驱动
+ -
0.5V
CS
1
GND
2
极限参数(除非特殊说明,T
amb
=25°C)
MOS管的极限参数
内部高压MOS漏极到源极耐压
电路的极限参数
VCC引脚最大电源电流
CS电流采样端
内部高压MOS管源极电压
功耗
工½结温
贮存温度范围
ESD(人½模式)
I
CC_MAX
V
CS
V
SW
P
DMAX
T
J
T
STG
ESD
5
-0.3~6
-0.3~20
0.45
-40~150
-55~150
2500
mA
V
V
W
°C
°C
V
V
DS
600
V
符 号
单 ½
电气参数(除非特殊说明,V
CC
=13V,T
amb
=25°C)
供电电源部分
VCC
钳½电压
启动电流
VCC
工½电流
V
cc_clamp
I
ST
I
OP
0.35mA
V
CC
= V
on
-2V
CS=0;VCC= V
on
-1V
14.5
--
--
16
50
160
17.5
100
250
V
µA
µA
符 号
测 试 条 件
最小值
典型值
最大值
单½
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2
士兰微电子
启动阈值电压
关断阈值电压
电流采样
电流检测阈值
前沿消隐时间
芯片关断延时
工½频率
最小工½频率
最大工½频率
最大占空比
功率管
功率管导通阻抗
功率管击穿电压
功率管漏电流
过温保护部分
过热检测
过热迟滞
T
sd
T
sdhys
R
DSON
BV
DSS
I
DSS
--
--
--
F
MIN
F
MAX
D
MAX
--
--
--
V
CS_TH
T
LEB
T
DELAY
符 号
V
ST
V
SP
测 试 条 件
VCC
电压上升
VCC
电压下降
SD6602AS
说明书
最小值
--
--
典型值
11.7
7.6
最大值
--
--
单½
V
V
490
--
--
500
300
200
510
--
--
mV
nS
nS
3.5
70
40
--
--
--
KHZ
KHZ
%
7.5
600
--
--
--
10
V
uA
170
10
180
15
--
20
°C
°C
管脚排列图
CS 1
GND 2
VCC 3
SW 4
6 DRAIN
5 DRAIN
7 NC
管脚说明
管脚号
1
2
3
4
5、6
7
管脚名称
CS
GND
VCC
SW
DRAIN
NC
I/O
I
I
P
O
I
G
电流采样端;
地;
供电电源;
内部高管功率管源极;
内部高管功率管漏极;
无连接、必须悬空
½
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页 第
3
士兰微电子
应用电路图
典型应用如下图:
SD6602AS
说明书
NP
NS
AC
CS
GND
VCC
SW
DRAIN
DRAIN
NC
注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。
封装外½图
SOP-7-225-1.27
0.4½1.27
UNIT: mm
0.33½0.51
0.17½0.26
3.9±0.2
1.27BSC
0.1½0.25
1.30~1.55
1.8MAX
4.9±0.2
杭州士兰微电子股½有限公司
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6.0±0.2
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6
页 第
4
士兰微电子
注意!
静电敏感器件
操½
ESDS
产品应采取
防护措½
SD6602AS
说明书
MOS电路操½注意事项:
静电在很多地方½会产生,采取下面的预防措½,可以有效防止
MOS
电路由于受静电放电½响而引起的损坏:
操½人员要通过防静电腕带接地。
设备外壳必须接地。
装配过程中½用的工具必须接地。
必须采用导½包装或抗静电材料包装或运输。
声明:
士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最
新。
任½半导½产品特定条件下½有一定的失效或发生故障的可½,
买方有责任在½用
Silan
产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措½,以避免½在失败风险可½造成人身伤害或财产损失情况的发生!
产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:0.1
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5
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