士兰微电子
内½高压MOS管的原边控制开关电源
描述
SD8583S是内½高压MOS管功率开关的原边控制开关电源
（PSR） 采
，
用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高
的稳定性和平均效率。
采用SD8583S设计系统，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，
精简电路、降½系统成本。
SD8583S适用8W输出功率，内½线损补偿功½和峰值电流补偿功½。
SD8583S
说明书
SOP-7-225-1.27
主要特点
内½高压
MOS
管功率开关
原边控制模式
½启动电流
前沿消隐
逐周期限流
PFM
调制
降峰值模式
过压保护
欠压锁定
环路开路保护
最大导通时间保护
过温保护
线损电压补偿
峰值电流补偿
应用
充电器
适配器
待机电源
产品规格分类
产品名称
SD8583S
线损补偿
6%
封装类型
SOP-7-255-1.27
打印名称
SD8583S
材料
无卤
包装
编带
杭州士兰微电子股½有限公司
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士兰微电子
内部框图
SD8583S
说明书
5
6
Drain
Q
驱动
Q
前沿
消隐
1
VCC
欠压锁定
VCC过压保护
最大导通时间保护
基准电压
偏½电流
R
保护恢复
时间
开启控制
2
FB
FB过压保护
环路开路保护
S
-
+
120mV
恒流控制
2.0V
3
-
误差
线损
补偿
过温保护
恒压控制
R
CDC
FB
GND
电流
补偿
7
+
0.50/0.38/0.28
负½½
/0.21/0.17
检测
+
放大
振荡器
-
S
ISEN
管脚排列图
VCC 1
7 GND
FB 2
CDC 3
ISEN 4
6 Drain
5 Drain
管脚说明
管脚号
1
2
3
4
5、6
7
管脚名称
VCC
FB
CDC
ISEN
Drain
GND
I/O
P
I
I
I
O
G
供电电源；
反馈电压输入端；
输出线损补偿端；
峰值电流采样端；
高压
MOS
管漏端；
地。
功
½
描
述
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Drain
4
SD8583S
士兰微电子
极限参数（除非特殊说明，T
amb
=25°C）
参
供电电压
内部电源电压
FB输入电压
其他输入电压
输入电流
工½结温
工½温度范围
贮存温度范围
ESD（人½模式）
漏源击穿电压
栅源电压
单脉冲雪崩½量
数
符 号
V
CC
V
REF5V
V
FB
V
IN
I
IN
T
J
T
amb
T
STG
ESD
BV
DSS
V
GS
E
AS
参
数
范
SD8583S
说明书
围
单 ½
V
V
V
V
mA
°C
°C
°C
V
V
V
mJ
-0.3~27
-0.3~5.5
-30~30
-0.3~ 5.5
-10~10
+150
-20~ +85
-40~+150
2500
600
±30
135
MOS
管电气参数（除非特殊说明，T
amb
=25°C）
参
MOS管电流规格
静态漏源导通电阻
数
符
号
I
D
R
DS(ON)
V
GS
=10V，I
D
=1 A
测 试 条 件
最小值
--
--
典型值
--
3.8
最大值
2.0
4.7
单½
A
Ω
电气参数（除非特殊说明，V
CC
=18V，T
amb
=25°C）
参
供电电源部分
启动电流
静态工½电流
启动电压
关断电压
内部供电电源
VCC
过压保护电压
反馈部分
½½开启电压
开路保护电压
开路保护延迟时间
恒压阈值
FB
过压保护电压
恒压关断时间限制
动态特性部分
前沿消隐时间
T
LEB
0.35
0.45
0.55
µS
V
EN
V
BLANK
T
BLANK
V
CV
V
FBOVP
T
OFFmax
T
OFFmin
40
-0.8
0.8
3.96
6.2
0.80
0.6
120
-1.1
1.2
4.00
6.9
0.90
0.8
200
-1.4
1.6
4.04
7.6
1.00
1.0
mV
V
µS
V
V
mS
µS
I
ST
I
DD
V
ST
V
SP
V
REF5V
V
CCOVP
V
CC
=16V；
I
SEN
=0，FB=0；
--
240
16.3
8.1
4.75
25.5
1.5
300
17.8
8.8
5.0
27.0
3
360
19.3
9.5
5.25
28.7
µA
µA
V
V
V
V
数
符 号
测 试 条 件
最小值
典型值
最大值
单½
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参
数
（
1
）
SD8583S
说明书
符 号
D
Smax
T
PRT
T
ONmax
I
SEN
=0V，FB=-2V；
测 试 条 件
最小值
49
13
25
典型值
50
14.5
35
最大值
51
16
45
单½
%
mS
µS
恒压环路最大占空比
保护恢复时间
最大导通时间保护
限流部分
峰值电流检测阈值
1
峰值电流检测阈值
2
峰值电流检测阈值
3
峰值电流检测阈值
4
峰值电流检测阈值
5
补偿部分
线损电压补偿
峰值电流补偿
过温保护部分
过温保护
过温保护迟滞
V
PK1
V
PK2
V
PK3
V
PK4
V
PK5
1.00<CDC<2.00V；
0.65<CDC<1.45V；
0.40<CDC<1.05V；
0.30<CDC<0.75V；
0<CDC<0.60V；
485
368
270
204
165
500
380
280
210
170
515
392
290
216
175
mV
mV
mV
mV
mV
ΔFB/FB
ΔV
PK
CDC=5V，FB=-10V；
--
40
6
50
--
60
%
mV
T
OTP
T
OTP_hys
140
--
145
30
150
--
°C
°C
注释1：恒压环路占空比，即变压器副边导通时间所占整个周期的比值，定义为Ds，Dsmax=0.5。
参数温度特性
启动电流vs. 温度
12.0
8.0
启动电流
(μA)
启动电压(V)
启动电压vs. 温度
21.0
20.0
19.0
18.0
17.0
16.0
15.0
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120
4.0
0
-4.0
-8.0
-12.0
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120
温度(°C)
温度(°C)
关断电压vs. 温度
12.0
11.0
关断电压
(V)
恒压阈值vs. 温度
4.50
4.30
恒压阈值
(V)
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120
4.10
3.90
3.70
3.50
3.30
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120
温度(°C)
温度(°C)
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功½描述
SD8583S
说明书
SD8583S
是离线式开关电源集成电路，是内½线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器
原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压，控制系统的输出电压和电流，达到输出恒压或者恒流的目的。
完整的工½周期分为峰值电流检测和反馈电压检测：
½
MOS
管导通，通过采样电阻检测原级线圈的电流，此时
FB
端电压为负，输出电容对负½½供电，输出电压
V
O
下
降；½原级线圈的电流到达峰值时，MOS 管关断，FB 端电压检测开始。存储在次级线圈的½量对输出电容充电，输出
电压
V
O
上升，并对负½½供电。½同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后，MOS 管才开启。随之，芯片再次进入峰
值电流检测。
1.
电路启动和欠压锁定
系统上电，电路由高压直流母线通过启动电阻对
VCC
管脚外½的电容充电。½
VCC
上升到
17.8V，电路开始工½；
在电路正常工½过程中，由启动电阻和辅助线圈共同供电来维持
VCC
电压；½
VCC
下降到
8.8V
进入欠压锁定状态，
启动电阻对
VCC
电容供电，VCC 上升到
17.8V，电路启动重新工½。
2.
峰值电流检测
½驱动为高电平，MOS 管导通，通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流，½达到设定的电流限制值即峰
值电流，MOS 管关断。
在
MOS
管导通时会产生一个瞬间的毛刺，如果该毛刺的幅度超过峰值电流阈值
V
PK
，即会导致驱动关断。因此设
½前沿消隐时间
T
LEB
＝0.45µs，消除由该毛刺带来的可½的误触发。
根据
CDC
管脚电压来检测系统负½½，不同的负½½状态对应不同的峰值电流阈值。
½
0<CDC<0.60V，峰值电流阈值 V
PK5
=170mV；
½
0.30<CDC<0.75V，峰值电流阈值 V
PK4
=210mV；
½
0.40<CDC<1.05V，峰值电流阈值 V
PK3
=280mV；
½
0.65<CDC<1.45V，峰值电流阈值 V
PK2
=380mV；
½
1.00<CDC<2.00V，峰值电流阈值 V
PK1
=500mV；
CDC
2.00
1.45
1.05
0.75
0.60
0
Vpk
0.50
0.38
0.28
0.21
0.17
0
10% 16%
30%
55%
100% LOAD
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电子工程世界
