SE3060K

漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：53W 类型：N沟道

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：光宇睿芯(SINO-IC)

厂商官网：http://www.sino-ic.net