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SE6050B

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):80W 类型:N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:光宇睿芯(SINO-IC)

厂商官网:http://www.sino-ic.net

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
50A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
15mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
80W
类型
N沟道
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