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SE8209(ESD)

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 5A,4V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:光宇睿芯(SINO-IC)

厂商官网:http://www.sino-ic.net

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
6A
栅源极阈值电压
1.5V @ 250uA
漏源导通电阻
26mΩ @ 5A,4V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
双N沟道
并行信号NPN、PNP及推挽式
多少位(码道)绝对值编码器就有多少根信号电缆,每根电缆代表一位数据,以电缆输出电平的高低代表1或0,物理器件与增量值编码器相似,有集电极开路NPN、PNP、差分驱动、推挽HTL等等,分高电平有效或低电平有效来针对PNP或NPN的物理器件格式。推挽式输出信号电压较高,电压范围宽,器件不易损坏,与PNP和NPN都兼容。推挽式兼容NPN、PNP,论坛里谁知道NPN、PNP接上拉电阻变成推挽式,这个电阻是接到哪里的?如何接的?求助!并行信号NPN、PNP及推挽式文中的论述疙疙瘩瘩的。“...
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