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SED8830A

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:14.5mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:双N沟道(共漏) N沟道,20V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:光宇睿芯(SINO-IC)

厂商官网:http://www.sino-ic.net

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
7A
栅源极阈值电压
1.3V @ 250uA
漏源导通电阻
14.5mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.5W
类型
双N沟道(共漏)
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