SGT5T65LD1D(S)说明书
5A、650V绝缘栅双极型晶½管
描述
SGT5T65LD1D(S)
绝缘栅双极型晶½管采用士兰微电子第三代场截
止工艺（Field
Stop III）制½，具有较½的导通损耗和开关损耗，该产品可
应用于
UPS,SMPS
以及
PFC
等领域。
特点
5A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.55V@IC=5A
½导通损耗
快开关速度
高输入阻抗
½名规则
产品规格分类
产 品 名 称
SGT5T65LD1DTR
SGT5T65LD1S
SGT5T65LD1STR
封装½式
TO-252-2L
TO-263-2L
TO-263-2L
打印名称
5T65LD1D
5T65LD1S
5T65LD1S
环保等级
无卤
无卤
无卤
包装
编带
料管
编带
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极限参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参
集电极-射极电压
栅极-射极电压
集电极电流
集电极脉冲电流
集电极允许最大关断电流
二极管电流
二极管脉冲电流
短路时间
耗散功率
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
=25C
T
C
=100C
T
C
=25C
T
C
=100C
T
C
=25C
T
C
=100C
数
符 号
V
CE
V
GE
I
C
I
CM
I
LM
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
stg
参数范围
650
±30
10
5
15
10
10
5
20
10
82
33
-55½+150
-55½+150
单½
V
V
A
A
A
A
A
A
us
W
W
C
C
热阻特性
参
数
符
号
参数范围
1.51
2.14
单½
C/W
C/W
芯片对管壳热阻（IGBT）
芯片对管壳热阻（FRD）
R
θJC
R
θJC
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IGBT
电性参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参
集射击穿电压
集射漏电流
栅射漏电流
栅极开启电压
饱和压降
跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通损耗
关断损耗
开关损耗
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
导通损耗
关断损耗
开关损耗
栅电荷
发射极栅电荷
集电极栅电荷
数
符 号
BV
CE
I
CES
I
GES
V
GE(th)
V
CE(sat)
Gfs
C
ies
C
oes
C
res
Rg
T
d(on)
T
r
T
d(off)
T
f
E
on
E
off
E
st
T
d(on)
T
r
T
d(off)
T
f
E
on
E
off
E
st
Q
g
Q
ge
Q
gc
V
CE
= 400V, I
C
=5A, V
GE
= 15V
V
CE
=400V
I
C
=5A
R
g
=10Ω
V
GE
=15V
感性负½½
T
C
=125C
V
CE
=400V
I
C
=5A
R
g
=10Ω
V
GE
=15V
感性负½½
T
C
=25C
测试条件
V
GE
=0V, I
C
=250uA
V
CE
=650V, V
GE
=0V
V
GE
=30V, V
CE
=0V
I
C
=250uA, V
CE
=V
GE
I
C
=5A,V
GE
=15V，T
C
=25C
I
C
=5A,V
GE
=15V，T
C
=125C
V
CE
=20V, I
C
=5A
V
CE
=30V
V
GE
=0V
f=1MHz
V
CE
=0V，V
GE
=0V，f=1MHz
最小值
650
--
--
3.5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
5.5
1.55
1.8
3.1
530
32
7.6
4.6
5.2
15.6
19.2
177.2
0.2
0.07
0.27
6
20
24
232
0.26
0.12
0.38
19.9
6.5
6.1
最大值
--
200
±400
6.5
2.3
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
mJ
ns
mJ
ns
Ω
pF
单½
V
uA
nA
V
V
V
FRD
电性参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参
数
符 号
V
FM
测试条件
I
F
=3A, T
C
=25C
I
F
=3A, T
C
=125C
I
EC
=3A,dI
EC
/dt=200A/μs, T
C
=25C
I
EC
=3A,dI
EC
/dt=200A/μs, T
C
=125C
I
EC
=3A,dI
EC
/dt=200A/μs, T
C
=25C
I
EC
=3A,dI
EC
/dt=200A/μs, T
C
=125C
最小值
--
--
--
--
--
--
典型值
1.7
1.6
60
44
80
75
最大值
2.3
--
--
--
--
--
单½
V
二极管正向压降
二极管反向恢复时间
T
rr
ns
二极管反向恢复电荷
Q
rr
nC
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典型特性曲线
图
1-1.
典型输出特性
20
共射极
T
C
=25°C
17V
15V
13V
图
1-2.
典型输出特性
20
共射极
T
C
=125°C
17V
15V
13V
16
16
11V
集电极电流–
I
C
(A)
集电极电流–
I
C
(A)
12
12
11V
8
V
GE
=9V
8
V
GE
=9V
4
4
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
集电极-发射极电压 –
V
CE
(V)
图2. 典型饱和压降特性
20
共射极
V
GE
=15V
集电极-发射极电压 –
V
CE
(V)
图3. 传输特性
20
共射极
V
CE
=10V
集电极电流 –
I
C
(A)
16
T
C
=25°C
T
C
=125°C
16
集电极电流 –
I
C
(A)
T
C
=25°C
12
12
T
C
=125°C
8
8
4
4
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
5
10
15
集电极-发射机电压 –
V
CE
(V)
图4. 饱和压降
vs. V
GE
15
15
共射极
T
C
=25°C
栅极-发射极电压 –
V
GE
(V)
图5. 饱和压降
vs. V
GE
共射极
T
C
=125°C
集电极-发射极电压 –
V
CE
(V)
10
5A
10A
集电极-发射极电压–
V
CE
(V)
10
5A
10A
5
I
C
=2.5A
5
I
C
=2.5A
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
栅极-发射极电压 –
V
GE
(V)
栅极-发射极电压–
V
GE
(V)
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典型特性曲线（续）
图6. 饱和电压
vs.
温度
4.0
3.5
3.0
400
2.5
5A
共射极
V
GE
=15V
图7. 电容特性
700
600
共射极
V
GE
=0V, f=1MHz
T
C
=25°C
10A
Cies
500
300
Coes
2.0
1.5
I
C
=2.5A
200
100
0
50
75
100
125
1
10
35
Cres
1.0
25
壳温 –
T
C
(°C)
集电极-发射极电压 –
V
CE
(V)
图9-1.导通特性
vs.
栅极电阻
100
图8. 栅极电荷特性
15
共射极
T
C
=25°C
V
CC
=100V
200V
300V
12
Tr
Td(on)
9
10
6
共射极
V
CC
=400V, V
GE
=15V, I
C
=5A
T
C
=25°C
3
0
0
10
20
1
0
10
20
30
40
50
栅极电荷 –
Q
g
(nC)
图9-2.导通特性
vs.
栅极电阻
100
1000
栅极电阻
- R
G
(Ω)
图10-1. 关断特性
vs.
栅极电阻
共射极
V
CC
=400V, V
GE
=15V, I
C
=5A
T
C
=25°C
Tr
Td(on)
Tf
10
100
Td(off)
共射极
V
CC
=400V, V
GE
=15V, I
C
=5A
T
C
=125°C
1
0
10
20
30
40
50
10
0
10
20
30
40
50
栅极电阻
- R
G
(Ω)
栅极电阻
- R
G
(Ω)
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电子工程世界
