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深圳市富满电子集团股½有限公司
SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
2301
（文件编号：S&CIC1596）
10V P
沟道增强型
MOS
场效应管
VDS= -10V
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.0A =100mΩ@TYP
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-0.5A = 125mΩ@TYP
一、特点
高级的加工技术
极½的导通电阻高密度的单元设计
SOT- 23
内部结构示意图
二、最大额定值和热特性
(T
A
= 25℃，除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
最大功耗
工½结温和存储温度范围
结环热阻（PCB 安装）
T
A
=25℃
T
A
=75℃
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
stg
R
θJA
值
-10
±10
-2.2
-5
1.25
0.8
-55 to 150
140
单½
V
A
W
℃
W/℃
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2301
（文件编号：S&CIC1596）
三、电特性
参数
静电
漏源击穿电压
漏源电阻
栅极阈值电压
栅源短路时，漏极电流
漏极短路时截止栅电流
漏源二极管
二极管最大正向电流
二极管正向电压
I
S
V
SD
BV
DSS
R
DS
(on)
R
DS
(on)
V
GS
(th)
I
DSS
I
GSS
符号
10V P
沟道增强型
MOS
场效应管
测试条件
最小
典型
最大
单½
V
GS
= 0V, I
D
=
-250uA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -1A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -0.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
=
-250uA
V
DS
= -7V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±7V, I
DS
=0uA
--
I
S
= -1.6A, V
GS
= 0V
-8
--
--
-0.4
--
--
--
--
-10
100
125
-0.6
--
--
--
--
--
120
150
-1.0
1
±100
V
mΩ
mΩ
V
uA
nA
A
V
1.4
-1.3
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SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
2301
（文件编号：S&CIC1596）
四、封装信息
SOT- 23
10V P
沟道增强型
MOS
场效应管
符号
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
L1
θ
毫米
最小
0.900
0.000
0.900
0.300
0.080
2.800
1.200
2.250
0.950 TYP.
1.800
0.550 REF.
0.300
0°
0.500
8°
0.012
0°
2.000
0.071
最大
1.150
0.100
1.050
0.500
0.150
3.000
1.400
2.550
最小
0.035
0.000
0.035
0.012
0.003
0.110
0.047
0.089
英寸
最大
0.045
0.004
0.041
0.020
0.006
0.118
0.055
0.100
0.037 TYP.
0.079
0.022 REF.
0.020
8°
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