漏源电压(Vdss):18V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A 栅源极阈值电压:1.3V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道 N沟道,18V,3.6A,80mΩ@4.5V
器件类别:分立半导体 MOS(场效应管)
厂商名称:时科(SHIKUES)
厂商官网:http://www.shike.tw