SL4N65
N-CHANNEL MOSFET
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
I
D
V
DSS
R
DS(ON)
（V
GS
=10V）
Q
G
4A
650V
2.6Ω
18nC
用途
高频开关电源
电子整流器
LED
电源
APPLICATIONS
High efficiency switch mode power supplies
Electronic lamp ballasts based on half bridge
LED power supplies
产品特性
½栅极电荷
½
C
RSS
(典型值 50pF)
开关速度快
100%雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
FEATURES
Low gate charge
Low C
RSS
(typical 50pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
1 Gate
2 Drain
3 Source
订货信息
ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
SL4N65F
SL4N65I
SL4N65D
印记
Marking
SL4N65F
SL4N65I
SL4N65D
封装
Package
TO-220FT
IPAK
DPAK
无卤素
Halogen Free
否
NO
否
NO
否
NO
包装
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
器件重量
Device Weight
2.2g(typ)
0.35g(typ)
0.3g(typ)
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1
SL4N65
绝对值
ABSOLUTE RATINGS
(T
C
=25℃,unless otherwise specified)
项目
Parameter
漏极－源极击穿电压
Drain-Source Breakdown Voltage
T
C
=25℃
漏极连续电流
Continuous Drain Current
T
C
=100°℃
漏极脉冲电流（注
1）
Drain Current pulsed（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量（注
2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）
重复雪崩½量（注
1）
Repetitive Avalanche Current
（note
1）
二极管反向恢复最大电压变化速率（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（note
3）
耗散功率
Total Power Dissipation
T
C
=25℃
Derate above 25℃
符号
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
E
AR
dv/dt
P
D
T
J
T
STG
T
L
157.1
1.26
数值
Ratings
IPAK
DPAK
650
4
*
2.5
*
16
*
±30
184
15
5
144.4
1.15
150
-55½+150
300
23.3
0.19
TO-220FT
单½
Unit
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
℃
最高结温
Operating Junction Temperature
存储温度
Storage Temperature
焊接温度
Maximum Temperature for Soldering Leads
*
漏极电流由最高结温限制。
* Drain current is limited by junction temperature.
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（T
J
=25℃,unless otherwise specified）
项目
Parameter
断态特性
Off Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Breakdown Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
漏源极漏电流
Drain-Source leakage Current
栅源极漏电流
Gate-Source
leakage current
正向
Forward
反向
Reverse
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
J
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
I
D
=250
μ
A,
referenced to 25℃
V
DS
=650V,V
GS
=0V
V
DS
=520V,T
C
=125℃
V
DS
=0V,V
GS
=30V
V
DS
=0V,V
GS
=-30V
650
-
-
-
-
-
-
0.48
-
-
-
-
-
-
1
50
100
-100
V
V/℃
μA
μA
nA
nA
符号
Symbol
测试条件
Test conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单½
Unit
I
DSS
I
GSS
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2
SL4N65
项目
Parameter
通态特性
On Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
开关特性
Switching Characteristics
导通延迟时间
Turn on delay time
上升时间
Rise time
关断延迟时间
Turn off delay time
下降时间
Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
t
d(ON)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DS
=520V,I
D
=4A,
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=325V,I
D
=4A,
R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
11
26
42
27
18
3
9
-
-
ns
-
-
-
-
-
nC
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
f=1MH
Z
B
B
符号
Symbol
测试条件
Test conditions
最小值
Min
典型值
Typ
最大值
Max
单½
Unit
V
GS(th)
R
DS(ON)
V
DS
=V
GS
，
I
D
=250μA
V
GS
=10V,I
D
=2A
V
DS
=30V,I
D
=2A(note 4)
2.5
-
3.5
-
2
-
4.5
2.6
-
V
Ω
S
g
FS
-
-
-
531
60
50
-
-
-
pF
源-漏二极管特性
Source-Drain Diode Characteristics
正向连续电流
Continuous Forward Current
正向脉冲电流
Pulsed Forward Current
正向压降
Forward Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,I
S
=4A
V
GS
=0V,I
S
=4A,
dI
F
/dt=100A/
μ
s
(note 4)
-
-
-
-
-
-
-
-
229
1.6
4
16
1.5
-
-
A
A
V
ns
μC
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3
SL4N65
热特性
THERMAL CHARACTERISTICS
项目
Parameter
符号
Symbol
最大值
Max
IPAK
0.8
81.4
DPAK
0.87
79.6
TO-220FT
5.36
48.7
单½
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance,Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance,Junction to Ambient
R
th(j-c)
R
th(j-a)
℃/W
℃/W
注:
1:脉冲½度由最高结温限制
2:L=22.8mH, I
AS
=4A, V
DD
=50V, R
G
=25Ω,起始结
温 T
J
=25℃
3:I
SD
≤4A,di/dt ≤100A/μs,V
DD
≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25℃
4:脉冲测试:脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5:基本与工½温度无关
Notes:
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:L=22.8mH, I
AS
=4A, V
DD
=50V, R
G
=25 Ω,Starting
T
J
=25℃
3:I
SD
≤4A,di/dt ≤100A/μs,V
DD
≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5:Essentially independent of operating temperature
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4
SL4N65
特征曲线
TYPICAL CHARACTERISTICS (curves)
Fig.1. On-state Characteristics
Fig.2. On-resistance variation vs.
drain current and gate voltage
Fig.3. Gate charge characteristics
Fig.4. On state current vs.
Diode forward voltage
Fig.5. Breakdown voltage variation vs.
Junction temperation
Fig.6. On resistance variation vs.
Junction temperature
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5
电子工程世界
综合技术交流
