SM9926DSKC-TRG

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 6.8A,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称：大中(Sinopower)

厂商官网：http://www.sinopowersemi.com/Form2/index.aspx