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SMAJ5.0

400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
400 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:南晶电子(DGNJDZ)

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
最大击穿电压
7.3 V
最小击穿电压
6.4 V
加工封装描述
PLASTIC, SMA, 2 PIN
无铅
Yes
欧盟RoHS规范
Yes
状态
ACTIVE
包装形状
RECTANGULAR
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
C BEND
端子涂层
NOT SPECIFIED
端子位置
DUAL
包装材料
PLASTIC/EPOXY
工艺
AVALANCHE
结构
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
最大功耗极限
1 W
极性
UNIDIRECTIONAL
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
关闭电压
5 V
最大非重复峰值转速功率
400 W
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