SPH8030H6R8MT,SPH8030H6R8MT pdf中文资料,SPH8030H6R8MT引脚图,SPH8030H6R8MT电路-Datasheet-电子工程世界

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Wire Wound SMD Power Inductors – SPH Series

Operating Temp. : -40℃~+125℃ (Including self-heating)

FEATURES



Magnetic-resin shielded construction reduces buzz noise to ultra-low levels

Metallization on ferrite core results in excellent shock resistance and damage-free durability

Closed magnetic circuit design reduces leakage flux and Electro Magnetic Interference (EMI)

Takes up less PCB real estate and save more power

30% lower DCR than SWPA series and larger current

APPLICATIONS



Smart phone

Blue -ray disc recorders, set top box

Notebooks, desktop computers, servers

Portable gaming devices, personal navigation systems, personal multimedia devices

PRODUCT IDENTIFICATION

SPH

①

SPH

Type

252012

②

③

②

2R2

④

⑤

⑥

□□□

⑦

External Dimensions (L×W×H) [mm]

201610

202012

252010

252012

3012

3015

4012

4018

4020

4030

8030

2.0×1.6×1.0

2.0×2.0×1.2

2.5×2.0×1.0

2.5×2.0×1.2

3.0×3.0×1.2

3.0×3.0×1.5

4.0×4.0×1.2

4.0×4.0×1.8

4.0×4.0×2.0

4.0×4.0×3.0

8.0×8.0×3.0

Wire Wound SMD Power

Inductor

③

Material Code

U Type Material

H Type Material

④

R47

2R2

⑤

⑥

Nominal Inductance

Nominal Value

0.47μH

2.2μH

Inductance Tolerance

±20%

Example

⑦

Packing

Tape & Reel

□□□

Design Code

* Standard product is blank

Sunlord

Specifications subject to change without notice. Please check our website for latest information.

Revised 2017/04/15

Sunlord Industrial Park, Dafuyuan Industrial Zone, Guanlan, Shenzhen, China 518110

Tel:

0086-755-29832660

Fax:

0086-755-82269029

E-Mail:

sunlord@sunlordinc.com

SHAPE AND DIMENSIONS

Land Pattern

Unit: mm

Series

SPH201610

SPH202012

SPH252010

SPH252012

SPH3012

SPH3015

SPH4012

SPH4018

SPH4020

SPH4030

SPH8030

2.0±0.2

2.0±0.1

2.5±0.2

3.0±0.2

4.0±0.2

8.0±0.3

1.6±0.2

2.0±0.1

2.0±0.2

3.0±0.2

4.0±0.2

8.0±0.3

1.0 Max.

1.2 Max.

1.0 Max.

1.2 Max.

1.5 Max.

1.2 Max.

1.8 Max.

2.0 Max.

3.0 Max.

1.60±0.2

2.00±0.2

2.5±0.2

3.3±0.2

6.3±0.3

0.60±0.2

0.80±0.2

0.75±0.2

0.95±0.2

2.00±0.3

0.80±0.2

1.5±0.2

2.1±0.2

4.0±0.3

a Typ.

0.70

0.65

0.80

1.5

1.9

3.0

b Typ.

0.70

0.85

0.8

1.1

2.2

c Typ.

1.7

2.0

2.7

3.7

7.5

SPECIFICATIONS

SPH201610H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH201610HR16MT

SPH201610HR24MT

SPH201610HR33MT

SPH201610HR47MT

SPH201610HR68MT

SPH201610H1R0MT

SPH201610H1R5MT

SPH201610H2R2MT

SPH201610H3R3MT

SPH201610H4R7MT

SPH201610H6R8MT

SPH201610H100MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

0.16±20%

0.24±20%

0.33±20%

0.47±20%

0.68±20%

1.0±20%

1.5±20%

2.2±20%

3.3±20%

4.7±20%

6.8±20%

10±20%

0.031

0.040

0.059

0.076

0.114

0.174

0.264

0.335

0.479

0.816

1.020

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.026

0.033

0.049

0.063

0.095

0.145

0.220

0.279

0.399

0.680

0.850

4.30

3.70

2.50

2.30

1.95

1.65

1.35

1.20

0.90

0.70

0.60

0.50

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

4.80

4.10

3.10

2.85

2.45

1.85

1.65

1.45

1.05

0.85

0.70

0.55

3.20

2.90

2.35

2.05

1.45

1.25

1.10

0.88

0.74

0.52

0.45

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

3.50

3.20

2.60

2.25

1.60

1.40

1.20

0.98

0.82

0.58

0.50

Typ.

Sunlord

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Sunlord Industrial Park, Dafuyuan Industrial Zone, Guanlan, Shenzhen, China 518110

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sunlord@sunlordinc.com

SPECIFICATIONS

SPH201610U Series

Part Number

Units

Symbol

SPH201610U50NMT

SPH201610UR10MT

SPH201610UR16MT

SPH201610UR24MT

SPH201610UR33MT

SPH201610UR47MT

SPH201610UR47MTY01

SPH201610UR68MT

SPH201610U1R0MT

SPH201610U2R2MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

0.05±20%

0.10±20%

0.16±20%

0.24±20%

0.33±20%

0.47±20%

0.68±20%

1.0±20%

2.2±20%

0.022

0.031

0.040

0.052

0.045

0.072

0.171

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.018

0.026

0.033

0.043

0.037

0.060

0.143

7.50

4.80

4.70

4.50

3.00

2.90

2.50

1.30

1.10

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

8.00

5.70

5.40

5.00

3.60

3.40

2.90

2.70

1.50

1.20

3.65

3.20

2.90

2.35

2.75

2.05

1.23

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

4.25

3.50

3.20

2.60

3.00

2.25

1.40

Typ.

SPH202012H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH202012HR16MT

SPH202012HR24MT

SPH202012HR33MT

SPH202012HR47MT

SPH202012HR68MT

SPH202012H1R0MT

SPH202012H1R5MT

SPH202012H2R2MT

SPH202012H3R3MT

SPH202012H4R7MT

SPH202012H6R8MT

SPH202012H100MT

SPH202012H150MT

SPH202012H180MT

SPH202012H220MT

SPH202012H330MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

0.16±20%

0.24±20%

0.33±20%

0.47±20%

0.68±20%

1.0±20%

1.5±20%

2.2±20%

3.3±20%

4.7±20%

6.8±20%

10±20%

15±20%

18±20%

22±20%

33±20%

0.031

0.042

0.050

0.060

0.088

0.112

0.127

0.276

0.294

0.479

0.785

1.368

1.680

2.160

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.026

0.035

0.042

0.050

0.073

0.093

0.106

0.230

0.245

0.399

0.654

1.140

1.400

1.800

5.20

4.70

3.50

3.55

2.95

2.70

2.00

1.40

1.20

0.97

0.82

0.72

0.55

0.60

0.40

0.35

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

5.80

5.20

4.00

3.75

3.10

2.85

2.20

1.65

1.35

1.10

0.92

0.82

0.65

0.68

0.50

0.40

2.50

2.20

2.00

1.80

1.50

1.30

1.20

0.85

0.82

0.64

0.49

0.38

0.35

0.30

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

2.75

2.40

2.20

2.00

1.65

1.45

1.35

0.95

0.90

0.70

0.54

0.42

0.38

0.33

Typ.

SPH252010H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH252010HR24MT

SPH252010HR33MT

SPH252010HR47MT

SPH252010HR68MT

SPH252010HR68MTY01

SPH252010HR68MTY02

SPH252010H1R0MT

SPH252010H1R5MT

SPH252010H2R2MT

SPH252010H3R3MT

SPH252010H4R7MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

0.24±20%

0.33±20%

0.47±20%

0.68±20%

1.0±20%

1.5±20%

2.2±20%

3.3±20%

4.7±20%

0.034

0.043

0.044

0.061

0.065

0.080

0.108

0.137

0.228

0.323

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.028

0.036

0.037

0.051

0.055

0.067

0.090

0.114

0.170

0.269

3.60

3.80

2.40

2.75

3.20

2.05

1.70

1.55

1.10

1.00

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

4.40

4.60

2.80

3.10

3.50

2.45

2.05

1.80

1.40

1.15

2.75

2.40

2.10

1.80

1.55

1.40

1.10

0.91

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

3.00

2.65

2.35

2.30

2.00

1.70

1.55

1.20

1.00

Typ.

Sunlord

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SPECIFICATIONS

SPH252010H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH252010H6R8MT

SPH252010H100MT

SPH252010H150MT

SPH252010H220MT

SPH252010H330MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

6.8±20%

10±20%

15±20%

22±20%

33±20%

0.451

0.584

0.954

1.548

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.376

0.487

0.795

1.290

0.82

0.65

0.55

0.45

0.25

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

0.95

0.75

0.65

0.55

0.30

0.76

0.67

0.50

0.40

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

0.84

0.74

0.55

0.45

Typ.

SPH252012H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH252012HR16MT

SPH252012HR24MT

SPH252012HR33MT

SPH252012HR47MT

SPH252012HR47MTY01

SPH252012HR68MT

SPH252012HR68MTY01

SPH252012HR68MTY02

SPH252012H1R0MT

SPH252012H1R0MTY03

SPH252012H1R2MT

SPH252012H1R5MT

SPH252012H2R2MT

SPH252012H3R3MT

SPH252012H4R7MT

SPH252012H6R8MT

SPH252012H100MT

SPH252012H150MT

SPH252012H180MT

SPH252012H220MT

SPH252012H330MT

SPH252012H470MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

0.16±20%

0.24±20%

0.33±20%

0.47±20%

0.68±20%

1.0±20%

1.2±20%

1.5±20%

2.2±20%

3.3±20%

4.7±20%

6.8±20%

10±20%

15±20%

18±20%

22±20%

33±20%

47±20%

0.022

0.029

0.036

0.038

0.061

0.042

0.060

0.044

0.043

0.078

0.096

0.144

0.210

0.360

0.522

1.000

1.090

1.840

2.220

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.018

0.024

0.030

0.032

0.051

0.035

0.051

0.037

0.065

0.080

0.120

0.175

0.300

0.435

0.830

0.910

1.530

1.850

6.50

4.00

3.70

4.90

3.00

3.20

3.80

1.70

2.40

2.20

2.00

1.80

1.15

1.10

0.80

0.70

0.65

0.50

0.45

0.35

0.25

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

7.20

4.75

4.70

4.10

5.20

3.30

3.50

4.20

1.90

2.60

2.50

2.35

1.95

1.25

1.20

1.00

0.85

0.75

0.65

0.55

0.40

0.30

4.05

3.35

3.00

2.90

2.10

2.50

2.10

2.20

2.40

1.95

1.80

1.40

1.12

0.95

0.79

0.57

0.54

0.42

0.30

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

4.50

3.70

3.30

3.20

2.30

2.70

2.30

2.40

2.60

2.10

1.95

1.50

1.25

1.05

0.87

0.63

0.60

0.46

0.35

Typ.

SPH3012H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH3012H1R0MT

SPH3012H1R0MTY02

SPH3012H2R2MT

SPH3012H3R3MT

SPH3012H100MT

SPH3012H100MTY01

SPH3012H220MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

1.0±20%

2.2±20%

3.3±20%

10±20%

22±20%

0.040

0.056

0.090

0.134

0.372

0.495

0.840

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.032

0.047

0.075

0.112

0.310

0.413

0.700

2.20

2.80

1.50

1.23

0.75

1.00

0.50

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

2.50

3.20

1.80

1.55

0.90

1.10

0.60

2.30

1.90

1.40

0.75

0.90

0.50

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

2.50

2.00

1.60

0.80

1.00

0.55

Typ.

Sunlord

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SPECIFICATIONS

SPH3015H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH3015HR22MT

SPH3015HR24MT

SPH3015HR47MT

SPH3015HR55MT

SPH3015H1R0MT

SPH3015H1R5MT

SPH3015H2R2MT

SPH3015H3R3MT

SPH3015H3R9MT

SPH3015H4R7MT

SPH3015H6R8MT

SPH3015H100MT

SPH3015H150MT

SPH3015H220MT

SPH3015H260MT

SPH3015H330MT

SPH3015H470MT

Inductance

@1MHz,1V

μH

0.22±20%

0.24±20%

0.47±20%

0.55±20%

1.0±20%

1.5±20%

2.2±20%

3.3±20%

3.9±20%

4.7±20%

6.8±20%

10±20%

15±20%

22±20%

26±20%

33±20%

47±20%

0.022

0.019

0.040

0.048

0.060

0.084

0.115

0.144

0.276

0.360

0.540

0.768

1.090

1.250

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.018

0.016

0.033

0.040

0.050

0.070

0.096

0.120

0.230

0.300

0.450

0.640

0.910

1.040

6.00

5.50

2.40

2.70

2.00

1.50

1.30

1.10

0.80

0.75

0.60

0.52

0.40

0.50

0.35

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

6.80

5.50

2.80

2.70

3.00

2.30

1.70

1.50

1.60

1.20

0.90

0.70

0.60

0.50

0.55

0.42

3.00

3.05

2.20

2.00

1.80

1.50

1.30

1.16

0.84

0.73

0.60

0.45

0.50

0.45

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

3.50

3.55

2.50

2.30

2.05

1.70

1.50

1.35

0.97

0.84

0.70

0.55

0.50

Typ.

SPH4012H Series

Part Number

Units

Symbol

SPH4012HR33NT

SPH4012HR47NT

SPH4012HR82NT

SPH4012H1R0NT

SPH4012H1R5NT

SPH4012H1R8NT

SPH4012H2R2MT

SPH4012H2R7MT

SPH4012H3R3MT

SPH4012H3R6MT

SPH4012H4R3MT

SPH4012H4R7MT

SPH4012H5R1MT

SPH4012H5R6MT

SPH4012H6R8MT

SPH4012H100MT

SPH4012H100MTY01

SPH4012H120MT

SPH4012H150MT

SPH4012H180MT

SPH4012H220MT

SPH4012H270MT

SPH4012H330MT

SPH4012H360MT

SPH4012H390MT

Inductance

@0.1MHz,1V

μH

0.33±30%

0.47±30%

0.82±30%

1.0±30%

1.5±30%

1.8±30%

2.2±20%

2.7±20%

3.3±20%

3.6±20%

4.3±20%

4.7±20%

5.1±20%

5.6±20%

6.8±20%

10±20%

12±20%

15±20%

18±20%

22±20%

27±20%

33±20%

36±20%

39±20%

0.031

0.032

0.042

0.050

0.066

0.084

0.090

0.108

0.132

0.150

0.204

0.240

0.312

0.432

0.460

0.672

0.756

1.188

DC Resistance

Max.

Ω

DCR

0.026

0.027

0.035

0.042

0.055

0.070

0.075

0.090

0.110

0.125

0.170

0.200

0.260

0.360

0.380

0.560

0.630

0.990

5.50

3.50

3.00

2.80

2.10

1.70

1.90

1.40

1.20

1.10

0.90

0.80

0.90

0.85

0.65

0.50

0.45

0.40

0.55

Typ.

Saturation Current

Max.

Isat

6.30

4.20

3.50

3.30

2.20

2.40

1.80

2.20

1.70

1.60

1.50

1.30

1.40

1.10

0.90

1.10

1.00

0.80

0.65

0.60

0.55

0.50

0.62

2.90

2.50

2.20

2.00

1.70

1.50

1.40

1.30

1.10

1.00

0.90

0.78

0.63

0.57

0.47

Typ.

Heat Rating Current

Max.

Irms

3.35

3.20

2.90

2.50

2.30

2.00

1.80

1.60

1.30

1.10

1.00

0.90

0.73

0.68

0.54

Typ.

Sunlord

Specifications subject to change without notice. Please check our website for latest information.

Revised 2017/04/15

Sunlord Industrial Park, Dafuyuan Industrial Zone, Guanlan, Shenzhen, China 518110

Tel:

0086-755-29832660

Fax:

0086-755-82269029

E-Mail:

sunlord@sunlordinc.com

“时钟”起源-32768贴片晶振: 32.768KHZ是一个很有意义的数字，我们每天都要用到它，它给我们带来太多的好处。只是生活中太少有人去关注了，只关注着它给我们带来的演变数字。我们每天用的手表，手机。电脑上显示着做用的钟就是由它演变过来的。太奇妙了吧！32.768KHZ是一个标准的频率，晶振频率的应用主要有以下几个方面的参数：尺寸、负载电容、频率偏差、应用范围。按尺寸外形来分主要分为插件和贴片的；插件的主要有2*6、3*8、49s等，贴片的就有很多种了，跟据各公司的设计可的型号有很多，例如：日本KDS晶振就有49SMD、D...; 18508208640 综合技术交流

编译uclinux内核时候遇到的问题，帮我看看吧。: 由于毕业设计需要和本身兴趣，要构造ARM＋uclinux，本机Linux版本：UBUNTU6.06.在本机上安装了www.uclinux.org上下的arm-elf-tools，然后arm-elf-gcc－v，显示如下Readingspecsfrom/usr/local/lib/gcc-lib/arm-elf/2.95.3/specsgccversion2.95.320010315(release)(ColdFirepatches-20010318fromhtt...; luoweiliang1982 Linux与安卓

分频器: 分频器的一些资料分频器里面有可编程的吗？麻烦楼主给介绍一下！不知道里面有什么具体内容，先下来收着谢谢啦...; 我是教大的单片机

驱动DLL放哪?: 自己编译生成WINCE一键盘流接口驱动MYDRIVER.DLL,请问该放哪?怎么编进系统?请高手赐教,折腾这驱动好久了(是2440开发板)驱动DLL放哪?这个你打开工程的注册表和bib文件看看就知道了大侠们能否说详细点,本人在线边学边等,方法有效,立刻感恩结贴!你打开platform.bib可以看到里面有MODULES区域（上面）和FILES区域（下面）你可以把你的MYDRIVER.DLL拷贝到files目录下（跟platform.bib同目录）然后在FILES区域里加上MYDRIV...; tom_peng 嵌入式系统

2812，如何把数据存储到片内flash，然后又如何读取已经存储在片内flash中的数据: 如题。我有点急2812，如何把数据存储到片内flash，然后又如何读取已经存储在片内flash中的数据自己顶，求大神指路看看芯片的资料,有没有IAP编程rattle发表于2014-7-2809:01看看芯片的资料,有没有IAP编程好像有，我看下，多指教rattle发表于2014-7-2809:01看看芯片的资料,有没有IAP编程 #defineFlash_Erase(a,b)Flash2812_Erase(a,b)#defi...; xklzw 微控制器 MCU

锂离子电池组设计手册：电池体系、部件、类型和术语: 主要内容：●简述电池专业术语，以便读者更好地理解电池以及相关部件和市场。●使用简洁的计算公式对电池进行普适性的计算。●清晰讲述锂离子电池的不同部件以及重要性。●解释不同的锂离子电池电芯和化学体系的差别，确定不同的化学体系和电芯类型适用于何种场合。●概括电池类型之间的差别，如功率型电池和能量型电池之间的差异。●详细讲述不同类型新能源汽车的构造，包括纯电动汽车、插电式混合电动汽车、混合电动汽车等。●回顾汽车电气化发展简史，并展望未来发展的趋势。ht...; arui1999 下载中心专版

STM32入门学习笔记之uCOS-II系统移植3

⑤这两个函数都用于任务切换，它们的本质都是触发PendSV中断，具体切换过程在PendSV的中断函数中进行，其中OSCtxSw是任务级切换，OSIntCtxSw是中断级切换，是从中断退出时切换到一个任务中，从中断切换到任务的过程中，CPU的寄存器入栈工作已经完成。OSCtxSwPUSH{R4,R5}LDRR4,=NVIC_INT_CTRL;触发PendSV异常...[详细]
京东方首条全自动线体闹“乌龙”，面板厂或被迫调整规划

作为京东方2020年的重点项目——京东方B10超大尺寸产线Setup完成暨产品下线仪式顺利举行，预示着京东方大尺寸LCD面板产品竞争力以及核心技术能力的提升，可以进一步加快大尺寸面板市场的布局。京东方B10战队公开称，这条产线是目前业界首条全自动线体，京东方在没有任何经验参考的情况下完成了在量产工厂中打通跨楼层Lifter的问题。京东方B10技术的提升引起业内的关注，各大媒体也对此事件...[详细]
15年动力电池成本下降90%，3年后电车生产成本有望低于燃油车

美国能源部下属汽车技术办公室（DepartmentofEnergy'sVehicleTechnologiesOffice）研究发现，考虑通货膨胀因素情况下，2008-2023年的15年间，电动汽车锂离子电池组成本下降约90%，2008年动力电池大规模生产的成本大约为1,415美元/kWh，2013年该成本已降低至139美元/kWh。彭博新能源财经（BloombergN...[详细]
用的Jlink但是却提示找不到Ulink的解决办法

1.首先这里要选Jlink2.这里需要选择Jlink驱动另外一个解决办法：正确操作上面的第1步，然后勾选下面选项...[详细]
科技部发布“十四五“”新型显示和战略性电子材料”等重

2月1日，科技部高新司发布了《关于对“十四五”国家重点研发计划“氢能技术”等18个重点专项2021年度项目申报指南征求意见的通知》（以下简称《通知》）。《通知》提出，“十四五”重点研发计划的组织实施，将贯彻落实十九届五中全会关于打好关键核心技术攻坚战的部署要求，持续深化科研管理改革，进一步推进政府职能转变和科研领域“放管服”改革，大力实施重点项目“揭榜挂帅”，将需求导向、问题导向、应用导向贯穿...[详细]
三星2017年资本支出将达440亿美元

集微网消息，据标普全球市场情报（S＆PGlobalMarketIntelligence）估计，三星去年资本投资达440亿美元，高过传统重量级资本投资人荷兰皇家壳牌石油和美国艾克森美孚的金额合计，傲视全球。三星2017年的资本支出主要用于提升智能手机面板和存储器芯片生产。标普全球市场情报的分析师指出，未来3年三星将再斥资近1,100亿美元提升生产设备。三星去年10月曾表示，2017年约三...[详细]
工控机的基础知识之DOS操作系统的介绍

DOS是DiskoperatingSystem的简称，它是个人计算机里的一种操作系统。因为在一些特定工业场合，现在还有很多设备如数控机床等里面的工控机还在使用dos操作系统。使用此操作系统的客户也会遇到一些问题，这里我们给大家简介介绍一下dos操作系统的组成、文件管理系统以及进入dos的方法。一、DOS系统的组成：DOS操作系统主要有Microsoft公司开发的MS-DOS和旧M公司开发的...[详细]
华为在云计算领域志存高远

以市场占有率衡量，华为技术有限公司(HuaweiTechnologiesCo.)已经是全球排名前三位的电信网络设备和智能手机生产商。现在，这家中国科技巨头正把目光瞄准主要由西方重量级公司主宰的云计算市场。在服务器和其它数据中心使用的设备及云计算关键零部件的供应中，华为通过采用过去几年在扩大智能手机和电信设备销售时用过的策略，与慧与公司(HewlettPackardEnte...[详细]
三星韩国会议完成5G商业化标准开设芯片代工业务研发中心

蓝鲸TMT频道5月21日讯，据三星官网的消息显示，三星电子今日宣布，于5月21日至25日在釜山举办第三代合作伙伴计划（3GPP）工作组的最终会议，以完成5G移动通信标准、以及最终确定5G商业化的相关标准技术。在芯片研发方面，包括三星、高通以及Verizon、AT&T、KT和SKTelecom等主要移动运营商和手机及设备供应商，将完成5G阶段1标准制定。同时，据韩联社报道称，业内消息人士表...[详细]
高通：未来十年最激动人心的技术进步将来自汽车

高通的技术将苹果最新的iPhone型号、三星GalaxyS8这样的手机连接到蜂窝网络。但移动市场正在放缓，高通公司一直在寻求在增长更快的领域扩张。随着汽车提供更多功能，以及车载控制和娱乐发展，汽车需要更先进的处理器来为车辆提供驱动力。市场研究员IDC估计半导体供应商2021年在汽车市场的产值达到501亿美元，比2016年上涨52%。高通在汽车行业的努力集中在三个主要领域：连接，计算和电气化。...[详细]
通信设备商们的2019年表现如何

引言近20年来，通信行业风起云涌，大浪淘沙。阿尔卡特、西门子通信、马可尼、朗讯、摩托罗拉、北电……这些曾经叱诧风云的国际通信巨头，都已经湮没在历史长河之中，难寻踪迹。处于第一阵营的通信设备商，只剩下中国的华为和中兴、瑞典的爱立信、芬兰的诺基亚。不久之前，这四大设备商纷纷发布了自己的2019年年报。本文将对这些年报展开盘点，主要目的有两个：一是用数据说话，展现各家公司的整体表现...[详细]
AD834用于直流至500MHz应用：均方根-直流转换、电压控制放大器和视频开关

简介 AD834是目前最快的四象限乘法器，可用带宽为800MHz,相比之下，二象限乘法器AD539带宽为60MHz,四象限乘法器AD734带宽为10MHz,而四象限乘法器AD534带宽为1MHz.单芯片结构和高速度使AD834非常适合平衡调制和解调、功率测量、增益控制和视频开关等高频应用，此类频率早已超过模拟乘法器的范围。 AD834并未牺牲精度来实现速度。与所有ADI乘法器一样...[详细]
浮点弧度数转换成浮点度数

标号：ＲＴＯＤ功能：浮点弧度数转换成浮点度数入口条件：浮点弧度数在中。出口信息：转换成的浮点度数仍在中。影响资源：PSW、A、B、R2～R7、位1EH、1FH堆栈需求：６字节RTOD:MOVR5,#6;系数（１８０／）传送到第二工作区MOVR6,#0E5HMOVR7,#2FHSJMPDR;通过乘法进行转换...[详细]
Akamai最新SOTI 报告：APJ 地区制造业遭受的 API 网络攻击数量高居榜首

根据新一期的AkamaiSOTI研究报告显示，APJ地区制造业成为遭受API攻击最多的行业，API攻击量占总数的近三分之一(31.2%)2024年3月27日–负责支持和保护网络生活的云服务提供商阿卡迈技术公司（AkamaiTechnologies,Inc.，以下简称：Akamai），近日发布了新一期的互联网现状(SOTI)报告——《潜伏在阴影之中：攻击趋势揭示了...[详细]
激光雷达上下游厂商梳理分析

自动驾驶逐步落地有望带领激光雷达持续放量，未来国内将有更多搭载激光雷达的车型上市。激光雷达产业链上游壁垒较高，当前我国激光雷达上游核心器件仍以进口为主；中游竞争格局尚为定型，国产厂商仍有较多机遇。展望后续，固态补盲及芯片领域给予国产厂商较多成长空间，未来或是国产替代的重点领域。本文着重解析了Innoviz、Luminar、Velodyne&Ouster、Aeva等海外厂商近期产品进程和量产节点...[详细]