SU2050FBG/FNG
说明书
双向电压½钳½型超½电容瞬态电压抑制器件
描述
SU2050FBG/FNG是双向电压½钳½型超½电容瞬态电压抑
制器件，其正、反方向电性对称，最大电容为0.9pF。可以在静
电放电，瞬态脉冲以及雷电放电等引起的过压危险情况下保护电
源线，控制线和高速数据线。
SU2050FBG/FNG适合于高速数据传输线的ESD保护。
主要特点
*
双向ESD保护结构；
*
满足IEC61000-4-2(ESD) ：±8kV（空气放电）
±8kV（接触放电）；
*
不大于0.9pF的超½电容结构；
*
很½的钳½电压；
* 5V的½工½电压；
*
可靠的硅器件雪崩击穿结构；
应用
* USB接口；
* 10/100/1000M以太½接口；
*
数码相机；
*
高速数据线接口。
产品规格分类
产 品 名 称
SU2050FBGTR
SU2050FNGTR
封 装 ½ 式
FBP-02C-1.0x0.6x0.5-0.62
DFN-2-1.0x0.6x0.5-0.65
打印名称
C
C
材料
无卤
无卤
包装
编带
编带
管脚排列图
极限参数
参
最大峰值脉冲电流（8/20μs）
最高ESD耐量
IEC61000-4-2（空气放电）
IEC61000-4-2（接触放电）
芯片最高工½温度范围
芯片最高存储温度范围
数
符号
I
PP
V
ESD1
V
ESD2
T
opr
T
stg
额定值
1.0
±8
±8
-55 ~ +125
-55 ~ +150
单½
A
kV
kV
C
C
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SU2050FBG/FNG
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电参数
（T
amb
=25C）
参
反向维持电压
反向击穿电压
反向漏电流
正向钳½电压
反向钳½电压
通道对地的电容
数
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C1
V
C2
C
J2
--
I
t
=1.0mA
V
RWM
=5V；T=25C
I
PP
=1A，t
P
=8/20μS；
I
PP
=1A，t
P
=8/20μS；
V
R
=0V，f=1MHz；
测试条件
最小值
--
6.0
--
--
--
--
典型值
--
--
--
14.7
24
0.5
最大值
5.0
9.0
1
16
35
0.9
单½
V
V
μA
V
V
pF
典型电气特性曲线
符合IEC
61000-4-2的ESD脉冲波½
V-I
双向
ESD保护二极管特性
I
PP
I
PP
100%
90%
-V
CL
-V
BR
-V
RWM
I
R
I
RM
-I
RM
-I
R
V
RWM
V
BR
V
CL
-
10%
t
r
=0.7~1ns
30ns
60ns
+
-I
PP
正向
I
PP
vs. V
CC
16
14
12
20
10
8
6
4
5
2
0
0
0.5
1
1.5
2
0
0
0.5
15
30
反向I
PP
vs. V
CC
25
10
1
1.5
2
正向
I
PP
(A)
反向I
PP
(A)
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典型电气特性曲线（续）
传输脉冲(TLP) 测量(Pin1-Pin2)
10
1E-9
1E-11
10
传输脉冲(TLP) 测量(Pin2-Pin1)
输电线路脉冲(TLP) 电流(A)
输电线路脉冲(TLP) 电流(A)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
12.5
25
37.5
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
输电线路脉冲(TLP) 电压(V)
输电线路脉冲(TLP) 电压(V)
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封装外½图
FBP-02C-1.0x0.6x0.5-0.62
单½:
mm
DFN-2-1.0x0.6x0.50-0.65
单½：mm
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声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否
完整和最新。
任½半导½产品特定条件下½有一定的失效或发生故障的可½，买方有责任在½用
Silan
产品进行系统
设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措½，以避免½在失败风险可½造成人身伤害或财产损失
情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
附：
修改记½：
日 期
2013.05.31
2013.09.16
2013.12.31
2014.05.20
版本号
1.0
1.1
1.2
1.3
原版
修改“极限参数”
修改ESD值
修改典型电气特性曲线
描
述
页码
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