SVF10N65T/F/K/S
说明书
10A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF10N65T/F/K/S N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采用
士兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。
先进的工艺及元
胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的雪崩
击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，DC-DC 电源½换器，高压
H
桥
PWM
马达驱动。
1
2
1
3
1
23
TO-262-3L
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
10A，650V，R
DS(on)(
典型值
)
=0.80@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
1
1
23
3
TO-220-3L
TO-263-2L
23
1
23
TO-220F-3L
TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SVF10N65T
SVF10N65F
SVF10N65K
SVF10N65S
SVF10N65STR
封装½式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-262-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
打印名称
SVF10N65T
SVF10N65F
SVF10N65K
SVF10N65S
SVF10N65S
环保等级
无铅
无铅
无铅
无卤
无卤
包装
料管
料管
料管
料管
编带
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极限参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参数范围
参
数
符 号
SVF10N
65F
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
耗散功率（T
C
=25C）
-
大于
25C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩½量（注
1）
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
J
T
stg
50
0.4
156
1.25
618
-55½+150
-55½+150
SVF10N
65T
650
±30
10.0
6.3
40
150
1.20
150
1.20
SVF10N
65K
SVF10N
65S
V
V
A
A
W
W/C
mJ
C
C
单½
热阻特性
参数范围
参
数
符
号
SVF10N
65F
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
R
θJC
R
θJA
2.5
62.5
SVF10N
65K
0.83
62.5
SVF10N
65T
0.8
62.5
SVF10N
65S
0.83
62.5
C/W
C/W
单½
电气参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参
数
符 号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
(注 2，3)
(注 2，3)
V
DS
=520V，I
D
=10A，V
GS
=10V
V
DD
=325V，R
G
=25Ω，
I
D
=10A
V
DS
=25V，V
GS
=0V， f=1.0MHz
测试条件
V
GS
=0V， I
D
=250µA
V
DS
=650V，V
GS
=0V
V
GS
=±30V，V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，I
D
=250µA
V
GS
=10V，I
D
=5.0A
最小值
650
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.8
1100
130
12.5
21.27
41.40
82.47
42.53
28.5
6.23
13.2
最大值
--
1.0
±100
4.0
1.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
ns
pF
单½
V
µA
nA
V
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
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源-漏二极管特性参数
参
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
1.
2.
3.
L=30mH，I
AS
=6.0A，V
DD
=100V，R
G
=25Ω，开始温度 T
J
=25C；
脉冲测试： 脉冲½度≤300μs，占空比≤2%；
基本上不受工½温度的½响。
数
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
结
I
S
=10A，V
GS
=0V
I
S
=10A，V
GS
=0V，
dI
F
/dt=100A/µs（注 2）
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
561
4.32
最大值
10
40
1.3
--
--
单½
A
V
ns
µC
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典型特性曲线
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典型特性曲线（续）
图7. 击穿电压vs.温度特性
1.2
漏源击穿电压–
BV
DSS
（标准化）
漏源导通电阻–
R
DS(ON)
（标准化）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=5.0A
图8. 导通电阻vs.温度特性
1.1
1.0
0.9
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
-50
0
50
100
150
200
结温 –
T
J
(°C)
结温 –
T
J
(°C)
图9-1. 最大安全工½区域(SVF10N65F)
10
2
图9-2. 最大安全工½区域(SVF10N65K)
10
2
100µs
100µs
10
漏极电流
- I
D
(A)
1
10ms
漏极电流
- I
D
(A)
1ms
10
1
1ms
10ms
10
0
DC
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
0
DC
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
-1
10
-2
10
0
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.单个脉冲
10
-1
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.单个脉冲
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
图9-3. 最大安全工½区域(SVF10N65T)
10
2
漏源电压
- V
DS
(V)
图9-4. 最大安全工½区域(SVF10N65S)
10
100µs
2
100µs
10
漏极电流
- I
D
(A)
1
1ms
10ms
10
漏极电流
- I
D
(A)
1
1ms
10ms
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
DC
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
DC
10
-1
10
-2
10
0
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.单个脉冲
10
-1
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.单个脉冲
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
漏源电压
- V
DS
(V)
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电子工程世界
