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SVF12N60F

高压MOSFET

器件类别:分立半导体   

厂商名称:士兰微(Silan)

厂商官网:http://www.silanic.com.cn/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
51W(Tc)
类型
N沟道
文档预览
SVF12N60T/F/S/K
说明书
12A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF12N60T/F/S/K
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采
用士兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。
先进的工艺及
原胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的雪
崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换器,高压
H
PWM
马达驱动。
特点
12A,600V, R
DS(on)
(典型值)
=0.58@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
产品规格分类
产品名称
SVF12N60T
SVF12N60F
SVF12N60S
SVF12N60STR
SVF12N60K
封装½式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-262-3L
打印名称
SVF12N60T
SVF12N60F
SVF12N60S
SVF12N60S
SVF12N60K
环保等级
无铅
无铅
无卤
无卤
无铅
包装
料管
料管
料管
编带
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.2
10
页 第
1
SVF12N60T/F/S/K
说明书
极限参数(除非特殊说明,T
C
=25C)
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
耗散功率(T
C
=25C)
-
大于
25C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩½量(注
1)
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
=25°C
T
C
=100°C
符 号
SVF12N60T
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
J
T
stg
225
1.8
51
0.41
798
-55½+150
-55½+150
参数范围
SVF12N60F
600
±30
12
7.6
48
180
1.44
213
1.7
SVF12N60S
SVF12N60K
V
V
A
A
W
W/C
mJ
C
C
单½
热阻特性
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
SVF12N60T
R
θJC
R
θJA
0.56
62.5
2.44
62.5
参数范围
SVF12N60F
SVF12N60S
0.69
62.5
SVF12N60K
0.59
62.5
C/W
C/W
单½
电气参数(除非特殊说明,T
C
=25C)
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符 号
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V,I
D
=12A,
V
GS
=10V
(注 2,3)
(注 2,3)
V
DD
=300V,I
D
=12A,
V
GS
=10V
,R
G
=24
测试条件
V
GS
=0V,I
D
=250µA
V
DS
=600V,V
GS
=0V
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
V
GS
=V
DS
,I
D
=250µA
V
GS
=10V,I
D
=6.0A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
f=1.0MHz
最小值
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.58
1367
152
14.0
24.33
51.93
87.93
47.73
33.5
7.57
15.2
最大值
--
1.0
±100
4.0
0.75
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
ns
pF
单½
V
µA
nA
V
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SVF12N60T/F/S/K
说明书
源-漏二极管特性参数
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注:
1.
2.
3.
L=30mH,I
AS
=6.66A,V
DD
=100V,R
G
=25Ω,开始温度 T
J
=25C;
脉冲测试: 脉冲½度≤300μs,占空比≤2%;
基本上不受工½温度的½响。
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
I
S
=12A,V
GS
=0V
I
S
=12A,V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/µS
(注
2)
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
530
4.8
最大值
12
48
1.3
--
--
单½
A
V
ns
µC
典型特性曲线
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说明书
典型特性曲线(续)
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SVF12N60T/F/S/K
说明书
典型特性曲线(续)
图9-3. 最大安全工½区域(SVF12N60S)
10
2
100µs
图9-4. 最大安全工½区域(SVF12N60K)
10
2
100µs
10
1
1ms
10
1
1ms
10ms
DC
漏极电流
- I
D
(A)
DC
漏极电流
- I
D
(A)
10ms
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
-1
注:
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.单个脉冲
0
10
-1
注:
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.单个脉冲
10
-2
10
-2
10
1
10
10
2
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
图10. 最大漏极电流vs. 壳温
14
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
漏源电压
- V
DS
(V)
漏极电流
- I
D
(A)
壳温 –
T
C
(°C)
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