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MOS(场效应管)
SVF4N60F(S)
器件类别：
分立半导体
MOS(场效应管)
厂商名称：
士兰微(Silan)
厂商官网：
http://www.silanic.com.cn/
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SVF4N60D/F/T/M
说明书
4A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N60D/F/T/M
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采
用士兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的工
艺及元胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、
优越的开关性½及很高
的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，DC-DC 电源½换器，高
压
H
桥
PWM
马达驱动。
特点
4A，600V，R
DS(on)
（典型值）
=2.0@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
产品规格分类
产 品 名 称
SVF4N60F
SVF4N60T
SVF4N60DTR
SVF4N60M
封装½式
TO-220F-3L
TO-220-3L
TO-252-2L
TO-251D-3L
打印名称
SVF4N60F
SVF4N60T
SVF4N60D
SVF4N60M
环保等级
无铅
无铅
无卤
无卤
包装
料管
料管
编带
料管
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号：3.4
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第
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SVF4N60D/F/T/M
说明书
极限参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参 数 名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
耗散功率（T
C
=25C）
-大于 25C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩½量（注
1）
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
=25C
T
C
=100C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
J
T
stg
33
0.26
参数范围
SVF4N60F
SVF4N60D/M
600
±30
4.0
2.5
16
77
0.62
217
-55½+150
-55½+150
110
0.88
SVF4N60T
单½
V
V
A
A
W
W/C
mJ
C
C
热阻特性
参 数 名 称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
R
θJC
R
θJA
参数范围
SVF4N60F
3.85
62.5
SVF4N60D/M
1.61
62.0
SVF4N60T
1.14
62.5
单½
C/W
C/W
电气参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参 数 名 称
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符 号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V，I
D
=4A，V
GS
=10V
(注 2，3)
V
DD
=300V，I
D
=4A，R
G
=25
V
DS
=25V，V
GS
=0V，f=1.0MHz
测 试 条 件
V
GS
=0V，I
D
=250µA
V
DS
=600V，V
GS
=0V
V
GS
=±30V，V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，I
D
=250µA
V
GS
=10V， I
D
=2.0A
最小值
600
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
2.0
433
55
4.5
10.07
26.13
28.87
26.13
12.5
2.75
6.19
最大值
--
1.0
±100
4.0
2.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
ns
pF
单½
V
µA
nA
V
(注 2，3)
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SVF4N60D/F/T/M
说明书
源-漏二极管特性参数
参 数 名 称
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
1.
2.
3.
L=30mH，I
AS
=3.75A，V
DD
=100V，R
G
=25，开始温度 T
J
=25C；
脉冲测试： 脉冲½度≤300μs，占空比≤2%；
基本上不受工½温度的½响。
符 号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
结
I
S
=4.0A，V
GS
=0V
I
S
=4.0A，V
GS
=0V，
dI
F
/dt=100A/µs (注 2)
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
425
1.75
最大值
4.0
16
1.4
--
--
单½
A
V
ns
µC
典型特性曲线
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典型特性曲线（续）
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SVF4N60D/F/T/M
说明书
典型特性曲线（续）
图9-3. 最大安全工½区域(SVF4N60T)
10
2
图
10.
最大漏极电流vs. 壳温
4.5
4.0
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
1
10ms
100µs
1ms
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
10
0
DC
10
-1
注：
1.T
C
=25°C
2.T
j
=150°C
3.R
DS(ON)
[MAX]=2.4Ω
1.0
0.5
10
2
10
3
0
25
50
75
100
125
150
壳温 –
T
C
(°C)
10
-2
10
0
10
1
漏源电压
- V
DS
(V)
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