首页 > 器件类别 > 分立半导体

SVF740T

高压MOSFET

器件类别:分立半导体   

厂商名称:士兰微(Silan)

厂商官网:http://www.silanic.com.cn/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
400V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
10A(Tc)
栅源极阈值电压
4V @ 250uA
漏源导通电阻
600mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
130W(Tc)
类型
N沟道
文档预览
SVF740T/MJ
说明书
10A、400V N沟道增强型场效应管
描述
SVF740T/MJ
N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管采用士
1
3
2
兰微电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。先进的工艺及
元胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、
优越的开关性½及很高的雪
崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,DC-DC 电源½换器,高
H
PWM
马达驱动。
12
3
TO-251J-3L
1.栅极 2.漏极 3.源极
特点
10A,400V,R
DS(on)(
典型值
)
=0.45@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
12
3
TO-220-3L
12
3
TO-220-3L
产品规格分类
产 品 名 称
SVF740T
SVF740MJ
封装½式
TO-220-3L
TO-251J-3L
打印名称
SVF740T
SVF740MJ
环保等级
无铅
无卤
包装
料管
料管
极限参数(除非特殊说明,T
C
=25C)
参 数 名称
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
耗散功率(T
C
=25C)
-
大于
25C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩½量(注
1)
工½结温范围
贮存温度范围
T
C
=25C
T
C
=100C
符号
SVF740T
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
T
J
T
stg
130
1.04
517
-55½+150
-55½+150
400
±30
10
6.3
40
98
0.78
参数范围
SVF740MJ
V
V
A
A
W
W/C
mJ
C
C
单½
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.0
7
页 第
1
SVF740T/MJ
说明书
热阻特性
参 数 名 称
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
符号
SVF740T
R
θJC
R
θJA
0.96
62.5
参数范围
SVF740MJ
1.28
62.0
C/W
C/W
单½
电气参数(除非特殊说明,T
C
=25C)
参 数 名 称
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
符 号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
=320V,I
D
=10A, V
GS
=10V
(注 2,3)
V
DD
=200V,R
G
=25Ω,I
D
=10A
(注 2,3)
测 试 条 件
V
GS
=0V,I
D
=250µA
V
DS
=400V,V
GS
=0V
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
,I
D
=250µA
V
GS
=10V,I
D
=5.0A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,
f=1.0MHz
最小值
400
--
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
--
0.45
801
118.5
5.06
15.44
38.60
35.12
28.16
16.18
4.77
7.18
最大值
--
1.0
±100
4.0
0.60
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
nC
ns
pF
单½
V
µA
nA
V
源-漏二极管特性参数
参 数 名 称
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注:
1.
2.
3.
L=30mH,I
AS
=5.30A,V
DD
=100V,R
G
=25,开始温度 T
J
=25C;
脉冲测试: 脉冲½度≤300μs,占空比≤2%;
基本上不受工½温度的½响。
符 号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
MOS
管中源极、漏极构成的反偏
P-N
I
S
=10A,V
GS
=0V
I
S
=10A,V
GS
=0V,
dI
F
/dt=100A/µs (注 2)
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
255.6
2.15
最大值
10
40
1.4
--
--
单½
A
V
ns
µC
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.0
7
页 第
2
SVF740T/MJ
说明书
典型特性曲线
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.0
7
页 第
3
SVF740T/MJ
说明书
典型特性曲线(续)
图7. 击穿电压vs.温度特性
漏源导通电阻(标准化) –
R
DS(ON)
漏源击穿电压(标准化)–
BV
DSS
1.2
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
注:
1. V
GS
=10V
2. I
D
=5A
图8. 导通电阻vs.温度特性
1.1
1.0
0.9
注:
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
-50
0
50
100
150
200
结温 –
T
J
(°C)
图9-1. 最大安全工½区域(SVF740T)
10
2
100µs
结温 –
T
J
(°C)
图9-2. 最大安全工½区域(SVF740MJ)
10
2
100µs
10
1
1ms
10ms
DC
10
1
1ms
10ms
漏极电流
- I
D
(A)
漏极电流
- I
D
(A)
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
DC
10
-1
10
-2
10
注:
1.T
C
=25°C
2.T
J
=150°C
3.R
DS(ON)
=0.6Ω
0
10
-1
10
-2
2
注:
1.T
C
=25°C
2.T
J
=150°C
3.R
DS(ON)
=0.6Ω
10
1
10
10
3
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
漏源电压
- V
DS
(V)
图10. 最大漏极电流vs. 壳温
10
8
漏极电流
- I
D
(A)
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
壳温 –
T
C
(°C)
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.0
7
页 第
4
SVF740T/MJ
说明书
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波½图
与待测器件
参数一致
50KΩ
12V
200nF
300nF
V
GS
10V
Qg
V
DS
Qgs
Qgd
V
GS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波½图
V
DS
V
GS
V
DD
R
G
待测器件
10%
R
L
V
DS
90%
V
GS
10V
td(on)
tr
t
on
td(off)
t
f
t
off
E
AS
测试电路及波½图
L
E
AS
=
V
DS
I
D
R
G
待测器件
BV
DSS
1
2
2
LI
AS
BV
DSS
-
V
DD
BV
DSS
I
AS
10V
tp
V
DD
V
DD
I
D(t)
V
DS(t)
tp
Time
杭州士兰微电子股½有限公司
http: //www.silan.com.cn
版本号:2.0
7
页 第
5
查看更多>