SVF7N60F(S),SVF7N60F(S) pdf中文资料,SVF7N60F(S)引脚图,SVF7N60F(S)电路-Datasheet-电子工程世界

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SVF7N60F/S/D

说明书

7A、600V N沟道增强型场效应管

描述

SVF7N60F/S/D

沟道增强型高压功率

MOS

场效应晶½管采用

士兰微电子的

F-Cell

平面高压

VDMOS

工艺技术制造。

先进的工艺及

元胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的雪

崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于

AC-DC

开关电源，DC-DC 电源½换器，高压

桥

PWM

马达驱动。

特点



7A，600V，R

DS(on)(

典型值

)

=0.96@V

=10V

½栅极电荷量

½反向传输电容

开关速度快

提升了

dv/dt

½力

产品规格分类

产品名称

SVF7N60F

SVF7N60S

SVF7N60STR

SVF7N60DTR

封装½式

TO-220F-3L

TO-263-2L

TO-252-2L

打印名称

SVF7N60F

SVF7N60S

SVF7N60D

环保等级

无铅

无卤

包装½式

料管

编带

杭州士兰微电子股½有限公司

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SVF7N60F/S/D

说明书

极限参数(除非特殊说明，T

=25C)

参数名称

漏源电压

栅源电压

漏极电流

漏极冲击电流

耗散功率（T

=25C）

大于

25C

每摄氏度减少

单脉冲雪崩½量（注

1）

工½结温范围

贮存温度范围

=25C

=100C

符号

SVF7N60F

stg

0.36

参数范围

SVF7N60S

600

±30

7.0

4.0

122

0.98

490

-55½+150

0.72

SVF7N60D

W/C

C

单½

热阻特性

参数名称

芯片对管壳热阻

芯片对环境的热阻

符号

SVF7N60F

θJC

θJA

2.78

62.5

参数范围

SVF7N60S

1.02

62.5

SVF7N60D

1.39

62.0

C/W

单½

电气参数(除非特殊说明，TC=25C)

参数名称

漏源击穿电压

漏源漏电流

栅源漏电流

栅极开启电压

导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

栅极-源极电荷量

栅极-漏极电荷量

符号

DSS

GSS

GS(th)

DS(on)

iss

oss

rss

d(on)

d(off)

(注 2,3)

=480V，I

=7.0A， V

=10V

=300V，I

=7.0A， R

=25

=25V，V

=0V， f=1.0MHZ

测试条件

=0V， I

=250µA

=600V，V

=0V

=±30V，V

=0V

= V

，I

=250µA

=10V，I

=3.5A

最小值

600

2.0

592

典型值

0.96

770

8.7

15.5

32.7

52.2

31.5

21.1

4.53

10.0

最大值

1.0

±100

4.0

1.2

1001

单½

µA



(注 2,3)

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说明书

源-漏二极管特性参数

参数名称

源极电流

源极脉冲电流

源-漏二极管压降

反向恢复时间

反向恢复电荷

注：

L=30mH，I

=5.16A，V

=100V，R

=25，开始温度 T

=25C；

脉冲测试：脉冲½度≤300μs，占空比≤2%；

基本不受工½温度的½响。

符号

测试条件

MOS

管中源极、

漏极构成的反偏

P-N

结

=7.0A，V

=0V

=7.0A，V

=0V，

/dt=100A/µs

最小值

典型值

482

2.9

最大值

7.0

1.4

单½

µC

典型特性曲线

漏极电流 –

(A)

漏源导通电阻 –

DS(ON)

(Ω)

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反向漏极电流 –

(A)

漏极电流 –

(A)

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典型特性曲线（续）

图5. 电容特性

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0.1

100

iss

oss

rss

注：

1. V

=0V

2. f=1MHz

iss

=shorted)

oss

rss

图6. 电荷量特性

=520V

=325V

=130V

注：I

=7.0A

漏源电压 –

(V)

图7. 击穿电压vs.温度特性

1.2

3.0

2.5

1.1

2.0

1.0

1.5

1.0

0.9

注：

1. V

=0V

2. I

=250µA

总栅极电荷 –

(nC)

图8. 导通电阻vs.温度特性

0.5

0.0

-100

注：

1. V

=10V

2. I

=3.5A

0.8

-100

-50

100

150

200

-50

100

150

200

结温 –

(°C)

图9-1. 最大安全工½区域(SVF7N60F)

此区域工½受限于R

DS(ON)

100µs

结温 –

(°C)

图9-2. 最大安全工½区域(SVF7N60S)

此区域工½受限于R

DS(ON)

100µs

10ms

1ms

10ms

-1

注：

1.T

=25°C

2.T

=150°C

3.R

DS(ON)

[max]=1.2Ω

-1

注：

1.T

=25°C

2.T

=150°C

3.R

DS(ON)

[max]=1.2Ω

-2

漏源电压

- V

(V)

漏源电压

- V

(V)

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典型特性曲线（续）

图9-3. 最大安全工½区域(SVF7N60D)

图10. 最大漏极电流vs. 壳温

此区域工½受限于R

DS(ON)

100µs

1ms

10ms

漏极电流

- I

(A)

漏极电流

- I

(A)

-1

注：

1.T

=25°C

2.T

=150°C

3.R

DS(ON)

[max]=1.2Ω

-2

100

125

150

漏源电压

- V

(V)

壳温 –

(°C)

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