士兰微电子
SVF7N65CF/D/MJ/K/T
说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF7N65CF/D/MJ/K/T N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶½管
采用士兰微电子
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。
先进的工艺
及元胞结构½得该产品具有较½的导通电阻、优越的开关性½及很高的
雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源，DC-DC 电源½换器，高压
H
桥
PWM
马达驱动。
1
3
1
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
1
2
3
TO-262-3L
特点
7A，650V，R
DS(on)(
典型值
)
=1.1@V
GS
=10V
½栅极电荷量
½反向传输电容
开关速度快
提升了
dv/dt
½力
12
23
3
TO-252-2L
TO-220-3L
TO-251J-3L
1
23
12
3
TO-220F-3L
TO-220-3L
产品规格分类
产 品 名 称
SVF7N65CF
SVF7N65CDTR
SVF7N65CMJ
SVF7N65CK
SVF7N65CT
封装½式
TO-220F-3L
TO-252-2L
TO-251J-3L
TO-262-3L
TO-220-3L
打印名称
SVF7N65CF
SVF7N65C
SVF7N65C
SVF7N65CK
SVF7N65CT
环保等级
无卤
无卤
无卤
无卤
无卤
包装
料管
编带
料管
料管
料管
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士兰微电子
极限参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
SVF7N65CF/D/MJ/K/T
说明书
参数范围
参
数
符 号
SVF7N6
5CF
漏源电压
栅源电压
漏极电流
漏极脉冲电流
耗散功率（T
C
=25C）
-
大于
25C
每摄氏度减少
单脉冲雪崩½量（注
1）
工½结温范围
贮存温度范围
P
D
E
AS
T
J
T
stg
T
C
= 25C
T
C
= 100C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
46
0.37
89
0.71
SVF7N6
5CD
SVF7N6
5CMJ
650
±
30
7.0
4.4
28.0
90
0.72
435
-55½+150
-55½+150
120
0.96
145
1.16
SVF7N6
5CK
SVF7N6
5CT
V
V
A
A
W
W/C
mJ
C
C
单½
热阻特性
参数范围
参
数
符
号
SVF7N6
5CF
芯片对管壳热阻
芯片对环境的热阻
R
θJC
R
θJA
2.7
62.5
SVF7N6
5CD
1.4
62.0
SVF7N6
5CMJ
1.39
62.0
SVF7N65
CK
1.04
62.5
SVF7N6
5CT
0.86
62.5
C/W
C/W
单½
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士兰微电子
电性参数(除非特殊说明，T
C
=25C)
参
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
栅极开启电压
导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
数
符 号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
SVF7N65CF/D/MJ/K/T
说明书
测试条件
V
GS
=0V， I
D
=250µA
V
DS
=650V，V
GS
=0V
V
GS
=±
30V，V
DS
=0V
V
GS
= V
DS
，I
D
=250µA
V
GS
=10V，I
D
=3.5A
最小值
650
--
--
2.0
--
--
典型值
--
--
--
--
1.1
789
98
9.0
15
32
51
33
21
4.5
10
最大值
--
1.0
±
100
4.0
1.4
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单½
V
µA
nA
V
V
DS
=25V，V
GS
=0V， f=1.0MHz
--
--
pF
V
DD
=325V， R
G
=25Ω，I
D
=7.0A
--
--
--
--
ns
(注 2，3)
V
DS
=520V，I
D
=7.0A，V
GS
=10V
--
--
nC
(注 2，3)
--
源-漏二极管特性参数
参
源极电流
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
1.
2.
3.
L=30mH，I
AS
=5.0A，V
DD
=100V，R
G
=25Ω，开始温度 T
J
=25C；
脉冲测试： 脉冲½度≤300μs，占空比≤2%；
基本上不受工½温度的½响。
数
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
rr
测试条件
MOS
管中源极、
漏极构成的反偏
P-N
结
I
S
=7.0A，V
GS
=0V
I
S
=7.0A，V
GS
=0V，
dI
F
/dt=100A/µs（注 2）
最小值
--
--
--
--
--
典型值
--
--
--
499
3.0
最大值
7.0
28.0
1.4
--
--
单½
A
V
ns
µC
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典型特性曲线
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说明书
图
1.
输出特性
100
V
GS
=4.5V
V
GS
=5V
V
GS
=5.5V
V
GS
=6V
V
GS
=7V
V
GS
=8V
V
GS
=10V
V
GS
=15V
图2. 传输特性
100
-55°
C
25°
C
150°
C
漏极电流 –
I
D
(A)
10
漏极电流–
I
D
(A)
10
1
注：
1.250µS脉冲测试t
2.V
DS
=50V
1
注：
1.250µS脉冲测试
2.V
DS
=50V
0.1
0.1
0.1
100
1
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
漏源电压 –
V
DS
(V)
图3. 导通电阻
vs.
漏极电流、栅极电压
1.6
漏源导通电阻 –
R
DS(ON)
(Ω)
栅源电压–
V
GS
(V)
图
4.
½二极管压降
vs.
源极电流、温度
100
-55°
C
25°
C
150°
C
注：
1.250µS
脉冲测试
2.V
GS
=0V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0
V
GS
=10V
V
GS
=20V
反向漏极电流 –
I
DR
(A)
注：
T
J
=25°
C
10
1
2
4
漏极电流–
I
D
(A)
图5. 电容特性
8
10
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
漏源电压–
V
SD
(V)
图6. 电荷量特性
12
V
DS
=520V
V
DS
=325V
V
DS
=130V
1600
1400
1200
电容(pF)
C
iss
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=shorted)
C
oss
=C
ds
+C
gd
C
rss
=C
gd
10
栅源电压–
V
GS
(V)
1000
800
600
400
200
0
0.1
C
iss
C
oss
C
rss
8
6
4
2
注：I
D
=7A
注：
1. V
GS
=0V
2. f=1MHz
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
漏源电压 –
V
DS
(V)
总栅极电荷 –
Q
g
(nC)
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士兰微电子
典型特性曲线（续）
图7. 击穿电压vs.温度特性
漏源击穿电压 –
BV
DSS
（标准化）
SVF7N65CF/D/MJ/K/T
说明书
图8. 导通电阻vs.温度特性
漏源导通电阻–
R
DS(ON)
（标准化）
1.2
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
注：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=3.5A
1.1
1.0
0.9
注：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250µA
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
-50
0
50
100
150
200
结温 –
T
J
(°
C)
结温 –
T
J
(°
C)
图9-1. 最大安全工½区域(SVF7N65CF)
10
2
图9-2. 最大安全工½区域(SVF7N65CD)
10
2
100µs
100µs
10
漏极电流
- I
D
(A)
1
漏极电流
- I
D
(A)
1ms
10ms
10
1
1ms
10ms
10
0
DC
此区域工½受限于R
DS(ON)
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
DC
10
-1
10
-2
10
0
注：
1.T
C
=25°
C
2.T
j
=150°
C
3.R
DS(ON)
[max]=1.4Ω
10
-1
注：
1.T
C
=25°
C
2.T
j
=150°
C
3.R
DS(ON)
[max]=1.4Ω
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
图9-3. 最大安全工½区域(SVF7N65CMJ)
10
2
漏源电压
- V
DS
(V)
图9-4. 最大安全工½区域(SVF7N65CK)
10
100µs
2
100µs
10
1
漏极电流
- I
D
(A)
10ms
漏极电流
- I
D
(A)
1ms
10
1
10ms
1ms
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
DC
10
0
此区域工½受限于R
DS(ON)
DC
10
-1
注：
1.T
C
=25°
C
2.T
j
=150°
C
3.R
DS(ON)
[max]=1.4Ω
10
-1
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
注：
1.T
C
=25°
C
2.T
j
=150°
C
3.R
DS(ON)
[max]=1.4Ω
10
1
10
2
10
3
漏源电压
- V
DS
(V)
漏源电压
- V
DS
(V)
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电子工程世界
综合技术交流
