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TC2309

漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.5A 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道 P沟道 -12V -4.5A

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:富满电子(FM)

厂商官网:http://www.superchip.cn/index.aspx

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
12V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
4.5A
栅源极阈值电压
1.4V @ 250uA
漏源导通电阻
62mΩ @ 4.5A,4.5V
类型
P沟道
文档预览
深圳市富满电子集团股½有限公司
SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
TC2309
(文件编号:S&CIC1053)
一、 特点
12V
高密度设计的
P
沟道
MOS
超½导通电阻
R
DS(ON)=
50mΩ , TYP@V
GS
= -4.5V
R
DS(ON)
=68mΩ, TYP@V
GS
= -2.5V
12V
高密度
P
沟道
MOS
S 1
S 2
S 3
G 4
8 D
7 D
6 D
5 D
二、 产品应用
笔记本电脑的电源管理、便携式设备和电池供电系统
SOP-8
三、 电特性
极限参数(T
A
=25℃,除其它特殊说明)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
T
J
T
STG
参数
漏源极电压
栅源极电压
连续漏电流
脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
贮存温度
额定值
-12
±8
-4.5
-15
-1
150
-55~150
单½
V
V
A
A
A
静态电特性(T
A
=25℃,除其它特殊说明)
参数
漏源极击穿电压
漏极电压漏电流
门阈值电压
栅极漏电流
测试条件
V
GS
=0V, I
DS
=250uA
V
DS
=-12V, V
GS
=0V
T
A
=85℃
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250uA
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
V
GS
=-1.8V, I
DS
=-1A
110
68
50
-0.5
-0.7
最小值
典型值
-12
1
10
-1.4
±100
120
78
62
-1.3
6
最大值
单½
V
uA
uA
V
nA
mΩ
mΩ
mΩ
V
符号
BV
DSS
I
DSS
V
GS(th)
I
GSS
R
DS(ON)
漏源极导通电阻
V
GS
=-2.5V, I
DS
=-3.5A
V
GS
=-4.5V, I
DS
=-4.5A
V
SD
R
G
二极管正向电压
栅极输入电阻
I
SD
=-1A, V
GS
=0V
VGS=0V;VDS=0V
Frequency=1MHZ
www.superchip.cn
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Version 1.1
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