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TDM31058

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 N沟道 100V 18.2mΩ@4.5V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:泰德(Techcode)

厂商官网:http://www.techcodesemi.com/cn/index.asp

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
8A
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
13.5mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
3.5W
类型
N沟道