漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:13.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 N沟道 100V 18.2mΩ@4.5V
器件类别:分立半导体 MOS(场效应管)
厂商名称:泰德(Techcode)
厂商官网:http://www.techcodesemi.com/cn/index.asp