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TSF18N60MR

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 18A,600V

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:信安(Truesemi)

厂商官网:http://www.truesemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
18A(Tc)
栅源极阈值电压
5V @ 250uA
漏源导通电阻
450mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
40W(Tc)
类型
N沟道