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W006

1.5 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:南晶电子(DGNJDZ)

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W005
THRU
W10
SINGLE PHASE 1.0AMPBRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE RANGE
50to1000Volts
CURRENT
1.0Ampere
FEATURES
*Idealforprintedcircuitboard
*Lowforwardvoltage
*Lowleakagecurrent
*Polarity:markedonbody
*Mountingposition:Any
*Weight:1.20grams
*BothnormalandPbfreeproductareavailable:
*Normal:80~95%Sn,5~20%Pb
*Pbfree:99SnabovecanmeetRohsenviromentsubstance
directiverequest
POS.
LEAD
.220(5.6)
.180(4.6)
1.2
(30.5)
MIN.
.217(5.5)
.197(5.0)
WOM
.358
(9.1)
MAX.
1.0
(25.4)
MIN.
.032(0.8)
.030(0.7)
.220(5.6)
.180(4.6)
Dimensions ininchesand(millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating25Cambienttemperatureuniessotherwiesspecified.
Singlephasehalfwave,60Hz,resistiveorinductiveload.
Forcapacitiveload,deratecurrentby20%.
TYPE NUMBER
MaximumRecurrentPeakReverseVoltage
MaximumRMSVoltage
MaximumDCBlockingVoltage
MaximumAverageForwardRectifiedCurrent
.375"(9.5mm)LeadLengthatTa=25C
PeakForward SurgeCurrent,8.3mssinglehalfsine-wave
superimposedonratedload(JEDECmethod)
MaximumForwardVoltageDropperBridgeElementat1.0AD.C.
MaximumDCReverseCurrent
Ta=25C
atRatedDCBlockingVoltage
OperatingTemperatureRange,Tj
StorageTemperatureRange,TSTG
Ta=100 C
W005
50
35
50
W01
100
70
100
W02
200
140
200
W04
400
280
400
1.0
35
1.0
10
500
-65
-65
+125
+150
W06
600
420
600
W08
800
560
800
W10
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
µA
C
C
RATING ANDCHARACTERISTICCURVES(W005THRUW10)
FIG.1-TYPICALFORWARD CURRENT
DERATINGCURVE
35
1.2
1.0
0.8
21
0.6
SinglePhase
HalfWave60Hz
FIG.2-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
28
Tj=25C
8.3msSingleHalf
SineWave
JEDECmethod
0.4
0.2
ResistiveOrInductiveLoad
14
7
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
5
10
50
100
AMBIENTTEMPERATURE(C)
NUMBEROFCYCLESAT60Hz
FIG.3-TYPICALFORWARD
CHARACTERISTICS
50
50
FIG.4-TYPICALREVERSE
CHARACTERISTICS
10
10
3.0
1.0
Tj=25C
PulseWidth300us
1%DutyCycle
3.0
1.0
0.1
0.1
Tj=25C
.01
0
.2
.4
.6
.8
1.0
1.2
1.4
.01
20
40
60
80
100 120 140
FORWARDVOLTAGE,(V)
PERCENTAGEOFPEAKREVERSEVOLTAGE,(%)
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