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WST3078

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A,3A 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 2.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:N沟道和P沟道 N+P双沟道.30V.3.5A.32mΩ/-30V.-3A.78mΩ

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:微硕(WINSOK)

厂商官网:http://www.winsok.tw/cn/index.aspx

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
3.5A,3A
栅源极阈值电压
2.5V @ 250uA
漏源导通电阻
50mΩ @ 2.7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)
1.4W
类型
N沟道和P沟道
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