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首页 > 器件类别 > 分立半导体

ZMM55C4V3

稳压齐纳二极管

器件类别：分立半导体   

厂商名称：扬杰科技(YANGJIE)

厂商官网：http://www.21yangjie.com/

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ZMM55 SERIES
稳压（½纳）二极管
Zener Diodes
■特征
Features
●
P
tot
500mW
●
V
z
2.4V-75V
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
MinMELF SOD-80 (LL-35)
Mounting Pad Layout
.0049(1.25)
.063(1.60)
.055(1.40)
.098(2.50)
0.097(2.00)
■用途  Applications
 
●稳定电压用  Stabilizing
Voltage
.146(3.70)
.130(3.30)
.019(0.47)max.
.197(5.00)
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值（绝对最大额定值）
 
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
损耗功率
Power dissipation
½纳电流
Zener current
最大结温
Maximum junction temperature
存储温度范围
Storage temperature range
符号
Symbol
P
tot
I
Z
T
j
单½
Unit
mW
mA
℃
条件
Conditions
L=4mm,T
L
=25℃
P
tot
/V
Z
最大值
Max
500
见表格
See Table
175
T
stg
℃
-65 to +175
■电特性 （T
a=25
℃
除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25
℃
Unless otherwise specified）
参数名称
Item
典型热阻(1)
Thermal resistance
正向电压
Forward voltage
符号
Symbol
R
θJA
V
F
单½
Unit
℃
/W
V
条件
Conditions
结到环境，L=4毫米，T
L
=常温
junction to ambient air, L=4mm,T
L
=constant
I
F
=200mA
最大值
Max
300
1.5
Document Number 0245
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技½股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
ZMM55 SERIES
■电性参数
(T
A
=25
℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics (T
A
=25
℃
unless otherwise noted)
ZMM55C..
½纳电压范围
Zener voltage
产品型号
Part Number
Min.
ZMM55C2V4
ZMM55C2V7
ZMM55C3V0
ZMM55C3V3
ZMM55C3V6
ZMM55C3V9
ZMM55C4V3
ZMM55C4V7
ZMM55C5V1
ZMM55C5V6
ZMM55C6V2
ZMM55C6V8
ZMM55C7V5
ZMM55C8V2
ZMM55C9V1
ZMM55C10
ZMM55C11
ZMM55C12
ZMM55C13
ZMM55C15
ZMM55C16
ZMM55C18
ZMM55C20
ZMM55C22
ZMM55C24
ZMM55C27
ZMM55C30
ZMM55C33
ZMM55C36
ZMM55C39
ZMM55C43
ZMM55C47
ZMM55C51
ZMM55C56
ZMM55C62
ZMM55C68
ZMM55C75
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
range
V
Z
at I
ZT
V
Max.
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
< 85
< 85
< 85
< 85
< 85
< 85
< 75
< 60
< 35
< 25
< 10
<8
<7
<7
< 10
< 15
< 20
< 20
< 26
< 30
< 40
< 50
< 55
< 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 80
< 90
< 90
< 110
< 125
< 135
< 150
< 200
< 250
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 550
< 450
< 200
< 150
< 50
< 50
< 50
< 70
< 70
< 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 500
< 600
< 700
< 700
< 1000
< 1000
< 1000
< 1500
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
动态电阻
Dynamic resistance
R
ZJT
at I
ZT
Ω
R
ZJK
at I
ZT
测试电流
Test current
I
ZT
mA
Min.
- 0.09
- 0.09
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.06
- 0.05
- 0.02
- 0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
温度系数
Temperature
Coefficient
TK
VZ
%/K
Max.
- 0.06
- 0.06
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.03
0.02
0.02
0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
< 50
< 10
<4
<2
<2
<2
<1
< 0.5
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 100
< 50
< 40
< 40
< 40
< 40
< 20
< 10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
< 10
< 10
< 10
< 10
< 10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
测试电流
Test current
I
ZK
mA
I
R
μA
反向漏电流
Reverse leakage current
I
R1)
at V
R
V
备注：Notes:
额外的测量，电压档ZMM55C9V1至ZMM55C75，其漏电流IR在95%Vzmin≤35nA，在
T
j
=25℃
。
Additional measurement of voltage group ZMM55C9V1 to ZMM55C75,IR at 95% V
Zmin
≤35nA
at T
j
=25℃
1)
T
j
=150℃
Document Number 0245
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技½股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
ZMM55 SERIES
■电性参数
(T
A
=25℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
ZMM55B..
½纳电压范围
Zener voltage
产品型号
Part Number
range
V
Z
at I
ZT
V
Min.
ZMM55B2V4
ZMM55B2V7
ZMM55B3V0
ZMM55B3V3
ZMM55B3V6
ZMM55B3V9
ZMM55B4V3
ZMM55B4V7
ZMM55B5V1
ZMM55B5V6
ZMM55B6V2
ZMM55B6V8
ZMM55B7V5
ZMM55B8V2
ZMM55B9V1
ZMM55B10
ZMM55B11
ZMM55B12
ZMM55B13
ZMM55B15
ZMM55B16
ZMM55B18
ZMM55B20
ZMM55B22
ZMM55B24
ZMM55B27
ZMM55B30
ZMM55B33
ZMM55B36
ZMM55B39
ZMM55B43
ZMM55B47
ZMM55B51
ZMM55B56
ZMM55B62
ZMM55B68
ZMM55B75
2.35
2.64
2.94
3.24
3.52
3.82
4.22
4.6
5
5.48
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.78
11.76
12.74
14.7
15.7
17.64
19.6
21.55
23.5
26.4
29.4
32.4
35.3
38.2
42.1
46.1
50
54.9
60.8
66.6
73.5
Max.
2.45
2.76
3.06
3.36
3.68
3.98
4.38
4.8
5.2
5.72
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.22
12.24
13.26
15.3
16.3
18.36
20.4
22.45
24.5
27.6
30.6
33.6
36.7
39.8
43.9
47.9
52
57.1
63.2
69.4
76.5
< 85
< 85
< 90
< 90
< 90
< 90
< 90
< 80
< 60
< 40
< 10
<8
<7
<7
< 10
< 15
< 20
< 20
< 26
< 30
< 40
< 50
< 55
< 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 80
< 90
< 90
< 110
< 125
< 135
< 150
< 200
< 250
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 600
< 550
< 450
< 200
< 150
< 50
< 50
< 50
< 70
< 70
< 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 500
< 600
< 700
< 700
< 1000
< 1000
< 1000
< 1500
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
动态电阻
Dynamic resistance
R
ZJT
at I
ZT
Ω
R
ZJK
at I
ZT
测试电流
Test current
I
ZT
mA
Min.
- 0.09
- 0.09
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.06
- 0.05
- 0.02
- 0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
温度系数
Temperature
Coefficient
TK
VZ
%/K
Max.
- 0.06
- 0.06
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.03
0.02
0.02
0.05
0.06
0.07
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
< 50
< 10
<4
<2
<2
<2
<1
< 0.5
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 0.1
< 100
< 50
< 40
< 40
< 40
< 40
< 20
< 10
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
< 10
< 10
< 10
< 10
< 10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
测试电流
Test current
I
ZK
mA
I
R
μA
反向漏电流
Reverse leakage current
I
R(1)
at V
R
V
备注：Notes:
额外的测量，电压档ZMM55B9V1至ZMM55B75，其漏电流IR在95%V
Zmin
≤35nA，在
T
j
=25℃
。
Additional measurement of voltage group ZMM55B9V1 to ZMM55B75,IR at 95% V
Zmin
≤35nA
at T
j
=25℃
1)
T
j
=150℃
Document Number 0245
Rev. 1.0, 22-Sep-11
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ZMM55 SERIES
■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
图
2
：工½电压在工½条件Tamb=25度下的典型变化
图
1
：总功率损耗与环境温度关系
FIG1: Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Ptot(W)
600
500
400
300
200
100
0
Vz(mV)
FIG2:Typical Change of Working Voltage under
Operating Conditions at Tamb=25
℃
1000
Tj=25
℃
100
10
Iz=5mA
0
40
80
120
160
200
1
Tamb
（℃）
0
5
10
15
20
25
Vz(V)
图
3
： 工 ½ 电 压 的 典 型 变 化 与 结 温 的 关 系
F IG 3 : T ypica l C han ge of W orking V oltage vs.
Jun ction T em perature
Vztn
1.3
V ztn=V zt/V z(25
℃
)
1.2
T K vz= 10 ×10-4/K
-4× 10-4/K
8× 10-4/K
图
4
： 温 度 系 数 与 ½ 纳 电 压 的 关 系
F IG 4: T em perature C oefficient of V z vs. Z -voltage
TKvz(10-4/K)
15
10
1.1
6 ×10-4/K
4×1 0-4/K
2× 10-4/K
5
1.0
0
-4× 10-4/K
-4× 10-4/K
0 .9
0
0.8
-60
0
60
120
180
240
T j(
℃
)
-5
0
10
20
30
40
50
V z(V )
Iz(mA)
图
5
： 正 向 电 流 与 正 向 电 压 的 关 系
F IG 5: F orw ard C urrent vs. F orw ard V oltage
IF(mA)
100
图
6
：½纳电流与½纳电压的关系
FIG6: Z-Current vs. Z-Voltage
100
10
T j=25
℃
1.0
80
Ptot=500mW
Tamb=25
℃
60
0.1
40
0.01
20
0.001
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V F (V )
0
4
8
12
16
20
Vz(V)
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Rev. 1.0, 22-Sep-11
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ZMM55 SERIES
■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
图
7
： ½ 纳 电 流 与 ½ 纳 电 压 的 关 系
FIG 7: Z-C urrent vs. Z-Voltage
Iz(mA)
Rz(Ω)
图
8
：不同½纳阻抗与½纳电压的关系
FIG8:Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
1000
50
40
P tot=500m W
Tam b=25
℃
30
5mA
100
Iz=1mA
20
10
10mA
10
Tj=25
℃
1
0
15
20
25
30
35
V z(V)
0
5
10
15
20
25
Vz(V)
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2013年SiliconLabs&EDOM新品巡演及应用技术研讨会携全新产品方案10月全面启程！研讨会从10月24日至11月7日共历经北京、上海、成都、深圳和厦门5个城市，为业界工程师展示SiliconLabs最新的可简化嵌入式设计过程的解决方案和开发工具。演讲主题涵盖SiliconLabs全新的节能32位MCU如何进行低功耗设计、采用创新的CMOS+MEMS技术的单晶体MEMS振荡器如何改变频率控制市场、采用EmberZigBeeSoC提升智能联网的无缝、点对点的网...
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富士通FRAM心得提交
已经开始进行测试了，下面给大家汇报下，个人感觉MB85RC256的特点中，我最看重的是写的次数几乎认为是无限次。这样在一些需要存一定的数据，便又频繁的进行写操作的应用中，它的优点就得到最大的体现。其它特点，如速度快，一次可以写N个数据等，使用其它的EEPROM也能实现。所以我看好它的近乎无限次的写特点。另外就是低功耗的特性，我在应用中就是通过单片机的IO口对MB85RC256提供电源，灵活方便，更好的进行低功耗的设计，和AT24Cxx系列的无缝替换也会在更多的场合得到更多的应用，上手更加的方便。...
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请大神帮分析下这个电路!
重新整理了下.哪位大神帮忙分析下这个电路啊.24V方波输入,24V方波输出.但是R132经常烧,用的是06030.1W的电阻;客户的电路,不明白什么原理.谢谢!请大神帮分析下这个电路!烧那个电阻，这个电阻是到后级去了，后级的电路也要放一下，不然不好分析，光看前级驱动，不好说。后级一样的情况下只有上面的烧电阻，跟后级关系不大的 不好意思.是下面这个电阻.后级什么都没有接,就在高温上电老化时候就烧了 他上面那个电路好像有问题.下面那个电阻也烧.而且后级电路没有接,只...
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精工1245U 打印机资料，谁有？
精工1245U打印机资料，谁有？先谢谢了精工1245U打印机资料，谁有？帮顶。。。精工还有打印机？...
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关于openpilot的问题7
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