½感抗片式多层片状陶电容器
LOW INDUCTANCE MLCC
½感抗片式多层电容器通过改变与端
头结合部分的长½比,做成短而½的产品,
提高电极的导电率和导电面积,降½ESR
和ESL,减少电流变化和电压下降引起的
噪声干扰,改善电容器的性½。从而½系
统达到½功耗、高效率、高速运行的目的。
L½½ I½½½½½½½½½ MLCC ½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½½½½ ½½½
½½½½½ ½½½½½½½½½½ ½½½ ½½½½½½ ½½½½½ ½½ ½½½ ½½½½½½½½½½½
½½ ½½½½½½½½½½½ ½½½½ ½½½½½½½½ ½½½½½½½½½½½½ ½½ ½½½ ½½½½½½-
½½½½. T½½½ ½½½½½½½½ ½½½ ESL ½½½ ESR ½½½½½½ ½½½½½½½½
½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½½½ ½½ ½½½½½½½½ ½½½ ½½½½-
½½½ ½½½½½½ ½½½½½ ½½½½½ ½½½ ½½½½½½½ ½½½½. T½½ ½½½½½½
½½½½ ½½½½½½½ ½½ ½½½½½ ½½½½½ ½½½½½½½½½½½, ½½½½½½½½½
½½½½½½½½½½ ½½½ ½½½½½½ ½½½½½½½½½ ½½½½½½.
特性:
更½ESL
自谐振频率高
更½ESR
½积小
FEATURES:
L½½½½ ESL
H½½½ R½½½½½½½ F½½½½½½½½
L½½½½ ESR
S½½½½ S½½½
应用:
高速微处理器
多芯片模块(MCM)中交流噪声的抑制
高速数字设备
APPLICATIONS:
H½½½ S½½½½ M½½½½½½½½½½½½½½
AC N½½½½ R½½½½½½½½ ½½ ½½½½½-½½½½(MCM)
H½½½ S½½½½ ½½½½½½½ ½½½½½½½½½
尺寸、工½电压及容量范围
DIMENSIONS,CAPACITANCE AND RANGE & OPERATING VOLTAGE
尺寸规格
S½½½
C½½½
L
尺寸D½½½½½½½½½(½½)
W
T
M½½
ME
M½½
材料
D½½½½½½½½½
工½电压
R½½½½
V½½½½½½
16
NPO.
25
50
16
0508
1.27±0.25
2.03±0.25
1.27
0.25±0.13
X7R
25
50
16
Y5V
25
50
16
NPO
25
50
16
X7R
0612
1.57±0.25
3.17±0.25
1.52
0.25±0.13
Y5V
25
50
16
25
50
容量范围
C½½½½½½½½½½(½F)
150½2,200
150½2,200
150½1,000
1,000½100,000
1,000½100,000
1,000½47,000
10,000½470,000
10,000½470,000
10,000½330,000
150½3,300
150½3,300
150½2,200
1,000½220,000
1,000½220,000
1,000½100,000
10,000½1,000,000
10,000½1,000,000
10,000½470,000
备注:型号规格可根据用户的具½要求设计
N½½½:W½ ½½½ ½½½½½½ ½½½ ½½½½ ½½½½½½½½½ ½½ ½½½½½½½½ ½½½½½½½½½½½½.
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