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1.2KE64CA

Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 64V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
78.6 V
最小击穿电压
71.1 V
击穿电压标称值
74 V
外壳连接
ISOLATED
最大钳位电压
103 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
O-PALF-W2
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值反向功率耗散
1200 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性
BIDIRECTIONAL
最大功率耗散
5 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
64 V
最大反向电流
5 µA
表面贴装
NO
技术
AVALANCHE
端子面层
TIN LEAD
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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